XB1014-QT是一款三级37.0-40.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器,具有21.0 dB的小信号增益和20dB dBm的P1dB输出压缩点。该器件还提供可变增益调节和可调偏置。该器件非常适合作为LO或RF缓冲级,具有极低成本的宽带性能。
MACOM的MAAM02350-A2是一款宽带MMIC放大器,采用小型无铅8引脚陶瓷封装。它包括两个集成增益级,并采用电阻反馈在非常宽的带宽内获得平坦增益和良好的50欧姆输入和输出阻抗匹配。MAAM02350-A2采用+6 V单电源供电。
MACOM代理商现货MRF1000MB设计用于IFF,DME,TACAN,雷达发射器和CW系统的低功率级中的A类和AB类共射极放大器应用。保证性能@ 1090 MHz,18 Vdc - A级。
MACOM代理商现货MRF10005专为CW和长脉冲公共基极放大器应用而设计,如JTIDS和模式S,频率范围为0.96至1.215 GHz,具有较高的总占空比。保证性能@ 1.215GHz,28Vdc,密封工业标准包装。
MACOM现货MRF321主要设计用于200-500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和预驱动放大器级。在400 MHz,28 Vdc下保证性能:输出功率= 10 W,功率增益= 12 dB min。,效率= 50%min。100%使用30:1 VSWRTesdtedc测试所有相角的负载不匹配
MACOM代理商现货PH3135-20M航空航天与国防NPN硅微波功率晶体管, 密封金属/陶瓷封装内部输入和输出阻抗匹配,金金属化系统。
MACOM现货MRF426用于1.5至30 MHz HF / SSB设备中的高增益驱动器和输出线性放大器, 额定28 V,30 MHz特性:输出功率= 25 W(PEP),最小增益= 22 dB,效率= 35%,互调失真@ 25 W(PEP)-IMD = -30 dB(最大值)。
MACOM现货MRF314用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和输出放大器,保证150 MHz时的性能,28 Vdc:输出功率= 30 W,最小增益= 10 dB,高可靠性应用的金金属化系统。
MACOM现货MRF10031专为960-1215 MHz长或短脉冲公共基极放大器应用而设计,如JTIDS和Mode-S发射器。保证性能@ 960-1215MHz,36Vdc,金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性。
MACOM现货MRF455射频功率晶体管 - 硅双极性航空航天功率放大器 ,专为工业,商业和业余无线电设备中的功率放大器应用而设计,频率为30 MHz。 输出功率= 60 W.
MACOM现货代理商MRF454工业商业和业余无线电设备中的功率放大器, 指定12.5 V,30 MHz特性:效率= 50%,最小增益= 12 dB, 输出功率= 80 W.
MACOM代理商现货MRF327航空航天宽带大信号输出放大器, 保证性能@ 400 MHz,28 Vdc:输出功率= 80 W,225至400 MHz频段,最小增益= 7.3 dB @ 400 MHz。
PH1214-100EL射频功率晶体管 - 硅双极性, 通用基本配置密封金属扩散发射极镇流电阻器 符合RoHS标准,MACOM现货代理商
MRF421高功率线性放大器射频功率晶体管主要设计用于2.0至30 MHz的高功率线性放大器。100%测试所有相位天使的负载不匹配,具有30:1的VSWR, MACOM代理商现货
PH2226-110M射频功率晶体管陶瓷封装,NPN硅微波功率晶体管符合RoHS标准, 扩散发射极镇流电阻器,金金属化系统,MACOM代理商现货出售
MACOM现货代理商的MRF392主要设计用于30至500 MHz频率范围内的宽带大信号输出和驱动放大器级。指定的28 V,400 MHz特性:输出功率= 125 W,典型增益= 10 dB,效率= 55%(典型值)。
MRF1150MB射频功率晶体管 - 硅双极性设计用于短脉冲TACAN,IFF和DME发射器中的B类和C类共基极放大器应用。保证性能@ 1090 MHz,50 Vdc - 输出功率= 150 W峰值最小增益= 7.8 dB, MACOM现货代理商热销。
MRF422主要设计用于2.0至30 MHz的高功率线性放大器,额定28 V,30 MHz特性:输出功率= 150 W(PEP),效率= 40%,最小增益= 10 dB,100%测试所有相位天使的负载失配,具有30:1的VSWR, MACOM现货
MRF429射频功率晶体管主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于海洋和基站设备。
PH1214-220M硅微波功率晶体管陶瓷封装 符合RoHS标准,密封金属/陶瓷封装,扩散发射极镇流电阻器,宽带C类操作, 通用基本配置,MACOM现货代理出售。
HMC641ALC4是一款宽带反射GaAs pHEMT SP4T开关,采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为DC至20 GHz,具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。
HMC345ALP3E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP4T开关,采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz,具有高隔离和低插入损耗。
ADI现货HMC245AQS16和HMC245AQS16E均为低成本反射式SP3T开关,采用16引脚QSOP表贴封装。 该开关频率范围为DC至3.5 GHz,提供30至40 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。
ADI现货HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB(典型值)的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。
HMC199AMS8和HMC199AMS8E均为低成本通用型双通道SPDT GaAs“旁路”开关,采用8引脚MSOP封装,频率范围为DC至2.5 GHz。 这四个RF端口部件将两个SPDT开关和一条直通线集成到单个IC上
HMC641A是一款非反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关在0.1 GHz至18 GHz宽带频率范围内通常提供2.1 dB的低插入损耗和42 dB的高隔离度。
HMC574AMS8E是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装,适合于高射入功率电平下需要极低失真性能的发射/接收应用。该器件可控制DC至3 GHz信号,尤其适合蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用,典型插入损耗仅为0.3 dB。
MRF448射频功率晶体管 硅双极性主要设计用于高压应用,作为2.0至30 MHz的高功率线性放大器。适用于海洋和基站设备。若您有任何疑问,请联系我们立维创展,我们会尽最大努力为您服务。
PH1214-300M密封金属/陶瓷封装NPN硅微波功率晶体管 ,内部输入和输出阻抗匹配宽带C类操作扩散发射极镇流电阻器,符合RoHS标准
MACOM现货MRF141G专为频率为175 MHz的宽带商用和军用应用而设计。该设备的高功率,高增益和宽带性能对FM广播或电视频道频段固态发射机和放大器特别有用。