NPTB00004A GaN HEMT是一款针对DC-6 GHz工作进行了优化的VHF / UHF / L波段雷达宽带晶体管。该器件采用工业标准表面贴装SOIC塑料封装,设计用于CW,脉冲和线性工作,输出功率为5W(37 dBm)。
NPA1008是一款宽带集成GaN功率放大器,针对20 - 2700 MHz工作进行了优化。该放大器设计用于饱和和线性工作,输出电平为5 W(37 dBm),采用无铅4 x 4 mm 24引脚QFN塑料封装。NPA1008非常适用于测试和测量,国防通信,陆地移动无线电和无线基础设施中的通用窄带到宽带应用。
NPTB00025B射频功率晶体管针对DC - 4000MHz的宽带操作进行了优化,热增强型工业标准封装100%射频测试,特点适用于高达32V的工作电压
HMC344ALP3E是一款宽带、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。该开关具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。
HMC322ALP4E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP8T开关,采用低成本无引脚表贴封装。 该开关频率范围为DC至8 GHz,具有高隔离和低插入损耗。 该开关还集成了片内二进制解码电路,将所需逻辑控制线减至三条
ADI现货HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至3.0 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。
HMC244AG16是一款非反射式SP4T开关,采用16引脚玻璃/金属(密封)封装。 该开关频率范围为DC至4 GHz,3 GHz范围内提供30至50 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。
ADI现货HMC986A是一款宽带GaAs pHEMT MMIC单刀双掷(SPDT)开关裸片。这款紧凑型开关采用反射式拓扑结构,通过两个互补输入(0/-3V至0/-5V)控制。输入信号为40 GHz时,该器件具有19 dB回损、34 dB隔离,以及仅2.1 dB的插入损耗。
ADI现货HMC547ALC3是一款通用型宽带高隔离非反射GaAs MESFET SPDT开关,采用3x3 mm无引脚陶瓷表贴封装。该开关频率范围为DC至28.0 GHz,在中频段时具有高于40 dB的隔离度和小于2 dB的插入损耗。
ADI现货HMC427ALP3E是一款低损耗宽带正控制转换开关,采用无引脚表贴封装。 该开关频率范围为DC至8 GHz,具有高隔离和低插入损耗。 该开关采用0/+5V正控制电压工作,所需固定偏置为+5V (< 20 μA)。
ADI现货的HMC347A是一款宽带非反射式GaAs pHEMT SPDT MMIC芯片。该开关频率范围为DC至20 GHz,具有高隔离和低插入损耗。由于采用了片内通孔结构,该开关在较低频率下具有超过52 dB的隔离度,在较高频率下具有超过40 dB的隔离度。
HMC321ALP4E是一款宽带非反射GaAs SP8T开关,采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz,具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路,将所需逻辑控制线减至三条。
HMC612LP4(E)对数检波器/控制器适合用来将频率范围为50 Hz至3 GHz的输入信号转换为输出端成比例的直流电压。 HMC612LP4(E)采用连续压缩技术,在宽输入频率范围内具有极高的动态范围和转换精度。
HMC611LP4(E)对数检波器/控制器将输入端的RF信号转换为输出端成正比的DC电压。HMC611LP4(E)利用连续压缩拓扑结构,提供宽输入频率范围内的极高动态范围和转换精度。随着输入功率增加,连续放大器逐渐进入饱和,从而生成精确的对数函数近似值。
HMC713LP3E对数检波器/控制器非常适合将RF信号(50 MHz至8000 MHz频率范围内)的功率在输出端转换为与输入功率成正比的直流电压。 HMC713LP3E采用连续压缩技术,可在宽输入频率范围内提供具有高测量精度的54 dB动态范围。
HMC1021LP4E是一款集成高带宽包络检波器的RMS功率检波器。RMS输出为温度补偿式、单调、线性dB表示的RF实信号功率,采用70 dB的输入检测范围测量。
HMC1020LP4E功率检波器设计用于RF功率测量和频率高达3.9 GHz.的控制应用。 该检波器提供精确的任何宽带、单端RF/IF输入信号均方根表示。 输出为温度补偿式、单调表示实信号功率,采用72 dB的输入检测范围测量。
HMC500LP3(E)是一款高动态范围的矢量调制器RFIC,用于RF预失真和前馈消除电路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正电路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持续改变RF信号的相位和幅度
HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。
HMC630LP3和HMC630LP3E均为高动态范围矢量调制器RFIC,可用于RF预失真和前馈消除电路以及RF波束成形和幅度/相位校正电路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用来连续改变RF信号的相位和幅度
NPT1012B氮化镓28V 25W射频功率晶体管, 针对DC-4000MHz的宽带操作进行了优化,14 - 28V的高效率,对于负载牵引数据和非线性模型,若您有任何疑问,请联系我们立维创展,我们会尽最大努力为您服务。
NPT2021 GaN HEMT是一款宽带晶体管,针对DC-2.5 GHz工作进行了优化。该器件支持CW,脉冲和线性工作,输出功率为45 W,采用工业标准塑料封装,带螺栓法兰。
NPT2010 GaN HEMT是一款针对DC-2.2 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于连续波,脉冲和线性工作,输出功率为100W(50 dBm),采用工业标准金属陶瓷封装,带螺栓法兰。
NPT1010B氮化镓氮气28伏,100W射频功率晶体管使用SigaNIC®NFR1工艺建造-专有的氮化镓硅技术不推荐用于新的应用。 若您有任何疑问,请联系我们立维创展,我们会尽最大努力为您服务。
NPT25100射频功率晶体管90W P3dB连续波功率,优势和特点有CW、脉冲、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100~-2500兆赫其他应用的优化,高可靠性金金属化工艺,热增强工业标准封装,100%射频测试等
NPT2022 GaN HEMT是一种宽带晶体管,针对DC-2 GHz工作进行了优化。该器件支持CW,脉冲和线性工作,输出功率为100 W(50 dBm),采用行业标准塑料封装。NPT2022非常适用于国防通信,陆地移动无线电,航空电子设备,无线基础设施,ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。
NPA1003QA是一款宽带,内部匹配的GaN MMIC功率放大器,针对20-1500 MHz工作进行了优化。该器件设计用于CW,脉冲和线性工作,输出功率超过5W(37 dBm),采用工业标准表面贴装QFN4X4-16塑料封装。
MAGx-011086 GaN HEMT是一款宽带晶体管,针对DC-6 GHz工作进行了优化,采用用户友好型封装,是高带宽应用的理想选择。该器件设计用于CW,脉冲和线性工作,输出功率为5W(37 dBm),采用工业标准,低电感,表面贴装QFN4X4-24塑料封装。
components.HMC649A是一款6位数字移相器芯片,额定频率范围为3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC649A在所有相态具有3度的低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。
HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。