HMC412BMS8GE是一个被动双平衡混频器,工作在8至16千兆赫。HMC412BMS8GE与LO驱动电平在9至15 dBm之间工作,并在整个指定频带上提供8 dB的转换损耗。这种混频器不需要外部元件或偏置。
HMC558ALC3B是一款通用型双平衡混频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装,可用作5.5至14 GHz范围内的上变频器或下变频器。这款混频器采用GaAs MESFET工艺制造,无需外部元件或匹配电路。
HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器,采用8引脚超小型塑料表贴封装,带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。
HMC220B是一个超微型,双平衡混频器在一个8引脚迷你小外形封装与裸露垫(Mini SosiEP)。这种基本的单片微波集成电路(MMIC)混频器由砷化镓(GaAs)肖特基二极管和平面变压器Baluns构成。
HMC129ALC4是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装,在4 GHz至8 GHz工作频段内可用作上变频器或下变频器。HMC129ALC4非常适合需要小尺寸,无需直流偏置和稳定IC性能的应用。
HMC292ALC3B是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装,在14 GHz至30 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器。HMC292ALC3B非常适合需要小尺寸,无需直流偏置和稳定IC性能的应用。
HMC6146BLC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q可变增益上变频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供12 dB小信号转换增益,具有25 dBc边带抑制和17 db增益控制。 HMC 6146BLC5A采用RF可变增益放大器,
HMC6787ALC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q可变增益上变频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供11 dB小信号转换增益,具有17 dBc边带抑制和13 dB增益控制。 HMC6787ALC5A采用RF可变增益放大器,在其之前为一个I/Q混频器,LO由X2倍频器驱动。
HMC7911LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的边带抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。
HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器,工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益,以及 22 dBc 的边带抑制。
HMC572LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件在整个频段范围内提供8 dB的小信号转换增益、3.5 dB的噪声系数和18 dB的镜像抑制性能。
HMC904LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、3 dB的噪声系数,并在频段范围内提供30 dB的镜像抑制性能。
HMC967LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益、2.5 dB的噪声系数,并在频段范围内提供25 dBc的镜像抑制性能。 HMC967LP4E采用LNA,后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。
HMC977LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益、2.7 dB的噪声系数和21 dBc的镜像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA,后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。
HMC6147ALC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供13 dB小信号转换增益,具有25 dBc边带抑制。 HMC6147ALC5A采用低噪声放大器来驱动I/Q混频器,LO由X2倍频器驱动。
HMC6789BLC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的12引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的镜像抑制性能。HMC6789BLC5A采用低噪声放大器驱动I/Q混频器,其中LO由x2乘法器驱动
HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器,采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益,17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。
HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。
HMC951B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件在整个频段范围内提供13 dB的小信号转换增益、2 dB的噪声系数和24 dB的镜像抑制性能。 HMC951B采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。
HMC8108是一款紧凑型、X频段、砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪声转换器,采用符合RoHS标准的陶瓷无铅芯片载体封装。HMC8108将范围为9 GHz至10 GHz的射频(RF)输入信号转换为输出端的60 MHz典型单端中频(IF)信号。
HMC1056LP4BE是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。
HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。
Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建立在Qorvo的氮化镓技术基础之上,该技术可实现更高的效率,可靠性,功率和可生存性,并可节省尺寸,重量和成本。每个FEM将关键的T / R模块功能集成到一个紧凑的封装中:T / R开关,功率放大器和低噪声放大器(LNA)。
HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器,采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。
HMC8191是一款无源宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽,非常适合需要宽频率范围
HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs MESFET工艺制造。
HMC498LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 该放大器具有17至24 GHz的工作范围,提供22 dB增益、+26 dBm饱和功率和23% PAE(+5V电源电压)。
HMC383LC4是一款通用GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器采用+5V单电源,增益为15 dB,饱和功率为+18 dBm。 在整个工作频带内具有一致的增益和输出功率
HMC633LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,采用无铅4x4 mm表贴陶瓷封装,工作频率范围为5.5至17 GHz。 该放大器提供高达30 dB的增益、+30 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率