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微波元器件
SemiGen是美国一家晶圆级射频器件实力派制造商,从晶圆到封装器件, 品类丰富,从航天级MIL-PRF 38534到军用MIL-PRF 19500、750和883,SemiGen致力于提供卓越的质量和可靠性。
深圳市立维创展科技有限公司,授权代理于中国区域销售SemiGen产品,并提供售前和售后技术支持服务。
PIN Diodes射频二极管SemiGen
超快速开关低容阻大功率高压覆盖频率2-20GHz适用于功率开关、衰减器、移相器、双工器等项目订货周期 2-4周
超快速开关
低容阻
大功率
高压
覆盖频率2-20GHz
适用于功率开关、衰减器、移相器、双工器等项目
订货周期 2-4周
梁式引线 PIN 二极管SemiGen
切换速度快低电容/电阻坚固的结构订货周期 2-4周
切换速度快
低电容/电阻
坚固的结构
限幅二极管SemiGen
低电容和电阻易于粘合低损耗快速开启时间订货周期 2-4周
低电容和电阻
易于粘合
低损耗
快速开启时间
阶跃恢复二极管SemiGen
Tightend 电容范围的广泛选择低转换时间高效率用于波导、同轴和带状线应用订货周期 2-4周
Tightend 电容范围的广泛选择
低转换时间
高效率
用于波导、同轴和带状线应用
点接触二极管SemiGen
对于匹配的 Fwd 对,在部件号后使用 suf x M。对于反向设备,请使用 suf x R。对于匹配的 Fwd 和 Rev,使用 suf x MR.订货周期 2-4周
对于匹配的 Fwd 对,在部件号后使用 suf x M。
对于反向设备,请使用 suf x R。
对于匹配的 Fwd 和 Rev,使用 suf x MR.
肖特基二极管SemiGen
多结芯片低 1/F 噪声小结电容用于混频器、检测器、倍增器和调制器。订货周期 2-4周
多结芯片
低 1/F 噪声
小结电容
用于混频器、检测器、倍增器和调制器。
肖特基势垒桥四边形SemiGen
性能稳定单体结构匹配的电气性能用于高达 40 GHz 的倍频器、调制器和双平衡混频器的设计。订货周期 2-4周
性能稳定
单体结构
匹配的电气性能
用于高达 40 GHz 的倍频器、调制器和双平衡混频器的设计。
肖特基势垒四边形SemiGen
性能稳定单体结构匹配的电气性能用于倍频器、调制器和双平衡混频器的设计。订货周期 2-4周
用于倍频器、调制器和双平衡混频器的设计。
衰减器SemiGen
出色的平坦度和衰减精度卓越的功率处理能力金属化这些离子束蚀刻薄膜衰减器是广泛应用的理想解决方案,包括微波无线电、军事子系统、光纤、科学仪器和高达 28 GHz 的传感器应用。订货周期 2-4周
出色的平坦度和衰减精度
卓越的功率处理能力
金属化
这些离子束蚀刻薄膜衰减器是广泛应用的理想解决方案,包括微波无线电、军事子系统、光纤、科学仪器和高达 28 GHz 的传感器应用。
固定衰减器焊盘SemiGen
中高功率处理 1W 至 5W CW从 DC 到 20 GHz 的平坦响应回波损耗 >18 dB DC 至 14 GHz回波损耗 >16 dB 15 GHz 至 20 GHz温度稳定 TCR <100 PPM大多数设计上的芯片尺寸 .030" X .030"订货周期 2-4周
中高功率处理 1W 至 5W CW
从 DC 到 20 GHz 的平坦响应
回波损耗 >18 dB DC 至 14 GHz
回波损耗 >16 dB 15 GHz 至 20 GHz
温度稳定 TCR <100 PPM
大多数设计上的芯片尺寸 .030" X .030"
MIS 电容器SemiGen
非常高的 Q低温系数低耗散因数长期稳定性正面和背面金触点薄至 3 mil 以限制电感订货周期 2-4周
非常高的 Q
低温系数
低耗散因数
长期稳定性
正面和背面金触点
薄至 3 mil 以限制电感
二进制电容器SemiGen
梁式引线电容器SemiGen
金粘合表面(顶部和底部)热压技术环氧树脂技术高频应用的理想选择,可以筛选到空间级资格。订货周期 2-4周
金粘合表面(顶部和底部)
热压技术
环氧树脂技术
高频应用的理想选择,可以筛选到空间级资格。
朗格耦合器SemiGen
小至 10 微米的线条和空间+/- 1 微米的公差朗格耦合器广泛用作微波放大器、混频器和调制器中的薄膜功率组合器和分配器。订货周期 2-4周
小至 10 微米的线条和空间
+/- 1 微米的公差
朗格耦合器广泛用作微波放大器、混频器和调制器中的薄膜功率组合器和分配器。
二极管底座SemiGen
底座顶部表面边缘上的金属焊盘有助于满足二极管边缘安装要求,边缘间隙几何形状低至 5 微米。在 Ti/Pt/Au 边缘焊盘上的 Au/Sn 选择性沉积消除了对小型焊料预制件的处理需求,并避免了关键基板边缘区域潜在焊料卷起的风险。订货周期 2-4周
底座顶部表面边缘上的金属焊盘有助于满足二极管边缘安装要求,边缘间隙几何形状低至 5 微米。
在 Ti/Pt/Au 边缘焊盘上的 Au/Sn 选择性沉积消除了对小型焊料预制件的处理需求,并避免了关键基板边缘区域潜在焊料卷起的风险。
滤波器SemiGen
特征尺寸小至 10 微米电路之间的高一致性订货周期 2-4周
特征尺寸小至 10 微米
电路之间的高一致性
电感线圈SemiGen
无需“质押”线圈线圈上的钝化保护涂层尺寸均匀度平面实体结构线圈符合 RoHS 标准订货周期 2-4周
无需“质押”线圈
线圈上的钝化保护涂层
尺寸均匀度
平面实体结构线圈
符合 RoHS 标准
电阻器SemiGen
芯片尺寸小于 0.020" x 0.020" 的单值或网络应用薄层电阻率从 25 到 200 欧姆每平方长期稳定性在 125°C 的空气中 1000 小时内的值变化小于 0.5%订货周期 2-4周
芯片尺寸小于 0.020" x 0.020" 的单值或网络应用
薄层电阻率从 25 到 200 欧姆每平方
长期稳定性在 125°C 的空气中 1000 小时内的值变化小于 0.5%
隔离电容器SemiGen
串联谐振:(C < 1pf) > 30 GHz (C = 1 到 2 pf) > 22 GHz击穿电压:> 100订货周期 2-4周
串联谐振:(C < 1pf) > 30 GHz (C = 1 到 2 pf) > 22 GHz
击穿电压:> 100
输电线路SemiGen
开箱即可使用所有列表数据包括 > 3 个 AU 趋肤深度——保证损耗和阻抗规格适用于 Au/Sn 和 Au/Ge 附着基材抛光 99.6% 氧化铝微带传输线的厚度有 5 mil、10 mil、15 mil、20 mil 和 25 mil,公差为 +/- 1 mil。订货周期 2-4周
开箱即可使用
所有列表数据包括 > 3 个 AU 趋肤深度——保证损耗和阻抗规格
适用于 Au/Sn 和 Au/Ge 附着
基材抛光 99.6% 氧化铝
微带传输线的厚度有 5 mil、10 mil、15 mil、20 mil 和 25 mil,公差为 +/- 1 mil。
薄膜电路SemiGen
氧化铝 - 烧成和抛光,99.5% 或更高氮化铝石英/熔融石英蓝宝石铁氧体/石榴石钛酸盐(Hi-K 材料)玻璃订货周期 2-4周
氧化铝 - 烧成和抛光,99.5% 或更高
氮化铝
石英/熔融石英
蓝宝石
铁氧体/石榴石
钛酸盐(Hi-K 材料)
玻璃