HMC967LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益、2.5 dB的噪声系数,并在频段范围内提供25 dBc的镜像抑制性能。 HMC967LP4E采用LNA,后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。
HMC977LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益、2.7 dB的噪声系数和21 dBc的镜像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA,后接由有源x2倍频器驱动的镜像抑制混频器。
HMC6147ALC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供13 dB小信号转换增益,具有25 dBc边带抑制。 HMC6147ALC5A采用低噪声放大器来驱动I/Q混频器,LO由X2倍频器驱动。
HMC6789BLC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的12引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件提供14 dB的小信号转换增益和25 dBc的镜像抑制性能。HMC6789BLC5A采用低噪声放大器驱动I/Q混频器,其中LO由x2乘法器驱动
HMC1065LP4E是一款紧凑型GaAs MMIC镜像抑制低噪声变频器,采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该器件提供13 dB的小信号转换增益,17 dBc的镜像抑制和-2 dBm输入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍频器驱动的I/Q混频器工作。
HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。
HMC951B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件在整个频段范围内提供13 dB的小信号转换增益、2 dB的噪声系数和24 dB的镜像抑制性能。 HMC951B采用LNA,后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。
HMC8108是一款紧凑型、X频段、砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪声转换器,采用符合RoHS标准的陶瓷无铅芯片载体封装。HMC8108将范围为9 GHz至10 GHz的射频(RF)输入信号转换为输出端的60 MHz典型单端中频(IF)信号。
HMC1056LP4BE是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。
HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器,采用“无铅”SMT封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。
Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建立在Qorvo的氮化镓技术基础之上,该技术可实现更高的效率,可靠性,功率和可生存性,并可节省尺寸,重量和成本。每个FEM将关键的T / R模块功能集成到一个紧凑的封装中:T / R开关,功率放大器和低噪声放大器(LNA)。
HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器,采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。
HMC8191是一款无源宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽,非常适合需要宽频率范围
HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件,均采用GaAs MESFET工艺制造。
HMC498LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用无引脚“无铅”SMT封装。 该放大器具有17至24 GHz的工作范围,提供22 dB增益、+26 dBm饱和功率和23% PAE(+5V电源电压)。
HMC383LC4是一款通用GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器采用+5V单电源,增益为15 dB,饱和功率为+18 dBm。 在整个工作频带内具有一致的增益和输出功率
HMC633LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,采用无铅4x4 mm表贴陶瓷封装,工作频率范围为5.5至17 GHz。 该放大器提供高达30 dB的增益、+30 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率
HMC634LC4是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器,采用无铅4x4 mm陶瓷表贴封装,工作频率范围为5至20 GHz。 该放大器提供高达21 dB的增益、+29 dBm输出IP3及+22 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为180 mA(+5V电源)。
HMC498是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC功率放大器,工作频率范围为17至24 GHz。 HMC498提供24 dB增益,饱和功率为+27 dBm,电源电压为+5V (25% PAE)。 由于尺寸较小,HMC498放大器可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。
HMC-APH596是一款两级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为16至33 GHz。 HMC-APH596提供17 dB增益,采用+5V电源电压时具有+24 dBm输出功率(1 dB压缩)。
Qorvo的RFGA2012专门设计用于以最小的直流功率实现高OIP3。超线性性能已在150MHz至3GHz的标准频段中得到证明。RFGA2012具有VBIAS引脚,允许用户针对特定要求优化静态电流。VBIAS引脚也可用作掉电引脚。
Qorvo的RFGA0024是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0024的内部有源偏置电路允许放大器直接从5V电源工作,并提供稳定的电流随温度变化并处理Beta变化。这款达林顿放大器的内部匹配电阻为50欧姆,非常适合需要小尺寸和最少外部元件的应用。
Qorvo的RFGA0014是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA0014的内部有源偏置电路允许放大器直接从5V电源工作,并提供稳定的电流随温度变化并处理Beta变化。这款达林顿放大器的内部匹配电阻为50欧姆,非常适合需要小尺寸和最少外部元件的应用。
Qorvo的RF5633是专为最终或驱动器级应用设计的线性功率放大器IC。该器件采用带有背面接地的无引线芯片载体。RF5633设计用于在广泛的温度和功率输出范围内保持线性。外部匹配为多个频段的输出功率提供可调性。
Qorvo的RF5623是专为中等功率应用设计的线性功率放大器IC。该器件采用先进的InGaP异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计用作802.16e发射器的最终射频放大器。
Qorvo的RF3827是一款通用,低成本,高线性度的RF放大器IC。该器件采用砷化镓工艺制造,采用3mm x 3mm,16引脚QFN封装。它非常适合用作线性/低噪声放大器,其中OIP3等于38dBm,噪声系数小于1.5dB。
Qorvo的RF3315是一款高效率砷化镓异质结双极晶体管(HBT)放大器,采用低成本表面贴装封装。该放大器非常适用于需要200MHz至3GHz频率范围内的高线性度和低噪声系数的应用。
Qorvo的RF3223是一款采用低成本表面贴装封装的高效GaAs异质结双极晶体管(HBT)放大器。该放大器非常适用于需要500MHz至3GHz频率范围内的高线性度和低噪声系数的应用。RF3223采用单5V电源供电,采用经济的3mm x 3mm QFN封装。
Qorvo的RF3220是一款高效率砷化镓异质结双极晶体管(HBT)放大器,采用低成本表面贴装封装。该放大器非常适用于需要500MHz至3GHz频率范围内的高线性度和低噪声系数的应用。RF3220采用单5V电源供电,采用经济的3mm x 3mm QFN封装。
Qorvo的RF2162是针对3V手持系统的高功率高效率线性放大器IC。该器件采用先进的砷化镓异质结双极晶体管(HBT)工艺制造,设计用作双模式3V CDMA / AMPS手持数字蜂窝设备扩频系统和其他应用中的最终RF放大器。 800MHz至960MHz频段。