MACOM的MA4AGSW1A是一种铝镓砷单极单掷(SPST)吸收式PIN二极管开关。该开关采用增强型AlGaAs阳极,采用MACOM专利的异质结技术形成。与使用传统GaAs工艺制造的器件相比,AlGaAs技术产生的开关损耗更小。
MACOM的MA4AGSW1是一种铝镓砷单极单掷(SPST)PIN二极管开关。该开关采用增强型Al-GaAs阳极,采用MACOM专利的异质结技术形成。该技术产生的开关损耗小于传统的AlGaAs工艺。在50GHz时,可以实现0.3dB的插入损耗降低。
MACOM的MAATCC0011是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 6位数字衰减器。步长为0.5 dB,总衰减范围为31.5 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAATCC0011非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0010是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 5位数字衰减器。步长为1.0 dB,总衰减范围为31 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAATCC0010非常适合用于需要精度,快速,极低功耗和低成本的场合。
MACOM的MAATCC0009是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 6位数字衰减器。步长为0.5 dB,总衰减范围为31.5 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAATCC0009非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0008是一款GaAs FET 4位数字衰减器,最小步长为1.0 dB,总衰减范围为15 dB。该器件采用SOIC-16塑料表面贴装封装。MAATCC0008非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0007是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 5位数字衰减器。步长为1.0 dB,总衰减范围为31 dB。该器件采用SOW-16塑料表面贴装封装。MAATCC0007非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0006是一款GaAs FET 4位数字衰减器,最小步长为2.0 dB,总衰减范围为30 dB。该器件采用SOIC-16塑料表面贴装封装。MAATCC0006非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0005是一款GaAs FET 6位数字衰减器,最小步长为0.5 dB,总衰减范围为31.5 dB。该器件采用SOIC-24宽体塑料表面贴装封装。MAATCC0005非常适合需要精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MAAD-011021是一款宽带6位数字衰减器,覆盖直流至30 GHz。衰减比特值为0.5 dB LSB(最低有效位),1,2,4,8和16 dB,总衰减为31.5 dB。衰减误差通常小于+/- 0.5 dB,RMS相位误差在20 GHz时小于5度,典型插入损耗在15 GHz时为7.2 dB。
MACOM的AT-283-PIN是一款GaAs FET 5位数字衰减器,最小步长为0.5 dB,总衰减为15.5 dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封陶瓷16引脚表面贴装封装。AT-283-PIN非常适用于需要精度,快速切换,极低功耗和低互调产品的场合
MACOM的AT-233-PIN是一款GaAs FET 4位数字衰减器,最小步长为2 dB,总衰减为30 dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封陶瓷16引脚表面贴装封装。AT-233-PIN非常适用于需要精度,快速切换,极低功耗和低互调产品的场合。
MACOM的AT-107-PIN是一款GaAs FET 6位数字衰减器,最小步长为0.5 dB,总衰减为31.5 dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封陶瓷24引脚表面贴装封装。AT-107-PIN非常适用于需要精度,快速切换,极低功耗和低互调产品的场合。
MAAP-011139-DIE是裸片形式的4级4 W功率放大器。该功率放大器工作频率为29至31 GHz,提供24 dB线性增益,4 W饱和输出功率和23%效率,同时偏置电压为6 V. MAAP-011139-DIE是一款非常适合VSAT通信的功率放大器。
MAAP-015016-DIE是一款工作频率为32至38 GHz的4 W宽带功率放大器,饱和输出功率为37 dBm,PAE为23%,信号增益小,为18 dB。该设计完全匹配50欧姆,并在两个I / O端口上提供片上ESD保护和集成DC阻塞电容。
MAAP-010168是一款两级MMIC功率放大器,专为宽带高功率应用而设计。它可以用作驱动器或输出级放大器。该器件完全匹配输入和输出至50 O,从而消除了任何敏感的外部RF调谐组件。
MAAP-010171是一款两级8 W饱和S波段功率放大器,采用5mm 20引脚PQFN封装,易于组装。该产品在输入和输出上完全匹配50欧姆。它可用作功率放大器级或高功率脉冲应用中的驱动级。它非常适用于空中交通管制,天气,军用和S波段雷达应用。
MAAP-015030两级8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的饱和脉冲输出功率,21dB的大信号增益和40%的功率附加效率。为高功率X波段应用提供出色的裸片解决方案。
MAAM26100是一款GaAs MMIC两级高效功率放大器。MAAM26100采用完全单片设计,无需50欧姆系统的外部电路。MAAM26100非常适用于UMTS应用中的驱动放大器和发射机输出,测试设备,电子战干扰器,导弹子系统和相控阵雷达。
MAAM26100-P1是一款航空航天功率放大器GaAs MMIC两级高效功率放大器,采用无铅高性能螺栓陶瓷封装。MAAM26100-P1采用完全单片设计,无需50欧姆系统的外部电路。MAAM26100-P1非常适用于UMTS应用中的驱动放大器和发射机输出,测试设备,电子战干扰器,导弹子系统和相控阵雷达。
MAAM26100-B1是一款GaAs MMIC两级高效功率放大器,采用小型无铅7引脚陶瓷封装。MAAM26100-B1采用完全单片设计,无需50欧姆系统的外部电路。MAAM26100-B1非常适用于UMTS应用中的驱动器放大器和发射器输出,测试设备,电子战干扰器,导弹子系统和相控阵雷达。
MARKI现货代理商RF/微波巴伦(或变压器)BAL-0006SMG是一种在给定输出阻抗下接收输入信号并在某个输出阻抗下输出相同信号和反相信号的装置。传输线变压器巴伦(BAL-0003SMG,BAL-0006SMG和BAL-0009SMG)为竞争对手的市售表面贴装变压器提供卓越的幅度平衡,相位平衡和共模抑制。
MAAL-010528是一款高性能X波段GaAs LNA微波低噪声放大器,采用微型无铅3 mm PQFN表面贴装塑料封装。该MMIC工作频率为8至12 GHz,标称增益为20 dB,具有出色的增益平坦度,26 dBm的高OIP3线性度和1.6 dB的中频噪声系数。
MACOM的XD1001-BD频率为18.0-50.0 GHz GaAs MMIC分布式放大器具有17.0 dB的小信号增益,整个频段的噪声系数为5.0 dB。该分布式放大器还包括30.0 dB增益控制和+15 dBm P1dB压缩点。
MAAM-011109-TR1000是一款易于使用的宽带放大器,工作频率范围为10 MHz - 40 GHz。该器件具有13 dB增益和+18 dBm输出功率。匹配是50典型回波损耗优于15 dB。
MACOM现货MAAM-010513是一款3级驱动放大器,具有出色的回波损耗,采用5 mm叠层封装,易于组装。该放大器产品在输入和输出上完全匹配50欧姆。它可用作发送链中的驱动放大器级或LO缓冲放大器。适用于无线网络和通信。
MACOM代理商现货MAAM-011101超小型宽带通用放大器的工作频率为4至20 GHz,具有16 dB典型增益和+18 dBm输出功率。输入和输出完全匹配到50典型回波损耗优于12 dB。小信号线性度通常为+ 30 dBm,反向隔离度优于28 dB。
MACOM的两级10.0-21.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器具有18.0 dB的小信号增益和+ 20.0 dBm P1dB输出压缩点。该器件还提供可变增益调节和可调偏置。该MMIC采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
MACOM的航空航天与国防两级10.0-21.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器具有17.0 dB的小信号增益和P1dB输出压缩点+18.0 dBm。该器件还提供可变增益调节和可调偏置。该器件非常适合作为LO或RF缓冲级,具有极低成本的宽带性能。
XF1001-SC是一款高线性度的Hetrojunction场效应晶体管(HFET),采用工业标准SOT-89封装。当器件偏置在8V的漏极电压和300m的漏极电流时,可以实现最佳性能。在此偏置点,器件能够提供超过30 dBm的P1dB和超过46 dBm的OIP3。