QPM2637是一款氮化镓MMIC前端模块(FEM),专为9-10.5 GHz范围内的国防X波段雷达应用而设计。MMIC结合了T / R开关,低噪声放大器和功率放大器。
QPF4006是一款多功能氮化镓MMIC前端模块,适用于39GHz相控阵5G基站和终端。该器件结合了低噪声高线性度LNA,低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。
Qorvo的QPD1025是SiC HEMT上的1800 W(P3dB)分立GaN,L 频段1800W双通道射频晶体管,非常适用于IFF,航空电子设备和测试仪器。该器件可以支持CW和脉冲操作。工作频率范围为1.0至1.1 GHz。
QPA9120是一款宽带,高增益,高线性度驱动放大器,QPA9120旨在用作无线基础设施的前置驱动放大器,其中需要高线性度,中等射频功率和高效直流电源操作。该器件是5G密集阵列m-MIMO无线电应用的绝佳选择。
QPA4501是一款集成的2级功率放大器模块,设计用于器件输出高达3 W RMS的5G大规模MIMO应用。QPA4501采用Doherty最终级,为整个模块提供高功率附加效率,平均功率高达3 W。
Qorvo的5G射频QPB9329是一款高度集成的前端模块,适用于TDD基站及5G大规模MIMO系统。开关LNA模块在双通道配置中集成了两级LNA和高功率开关。第二级LNA能够进入旁路模式。
Doherty放大器QPB9319是一款高度集成的前端模块,适用于TDD基站。开关LNA模块在双通道配置中集成了两级LNA和高功率开关。主要应用于5G无线基础设施,5G,4.5G,5G大规模MIMO系统 ,基于TDD的架构基站等。
Qorvo的RFPA2016是一款3级HBT功率放大器模块,具有高增益和出色的效率。外部匹配和偏置控制使RFPA2016能够针对各种应用进行优化,包括700MHz至2700MHz的小型功率放大器和超线性驱动器放大器。
Qorvo的RFPA2013是一款专为无线基础设施应用而设计的单级GaAs HBT功率放大器。它以相对较低的直流功率提供超线性操作,使其成为需要高效率的下一代无线电的理想选择。
Qorvo的RFPA1545是一款单级GaAs HBT功率放大器,专为高功率,高效率应用而设计。它也非常适合无线基础设施线性驱动放大器应用。FPA1545可针对150MHz至1000MHz范围内的子频段进行线性或饱和操作进行优化。
Qorvo的RFPA1012是一款专为无线基础设施高线性度应用而设计的GaAs HBT线性功率放大器。这款高性能单级放大器采用高度可靠的GaAs HBT制造工艺,可在宽频率范围内实现超高线性度。
Qorvo的RFGA2054是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器。RFGA2054的内部有源偏置电路允许放大器直接从5V电源工作,并提供稳定的电流温度和过程Beta变化。
Qorvo的RFGA2044是一款高性能InGaP HBT MMIC驱动放大器。RFGA2044的内部有源偏置电路允许放大器直接在5V电源下工作,并提供稳定的电流温度和过程Beta变化。该达林顿放大器内部匹配至50欧姆,非常适合需要占用空间小和外部元件极少的应用。
MACOM的MA4AGSW1A是一种铝镓砷单极单掷(SPST)吸收式PIN二极管开关。该开关采用增强型AlGaAs阳极,采用MACOM专利的异质结技术形成。与使用传统GaAs工艺制造的器件相比,AlGaAs技术产生的开关损耗更小。
MACOM的MA4AGSW1是一种铝镓砷单极单掷(SPST)PIN二极管开关。该开关采用增强型Al-GaAs阳极,采用MACOM专利的异质结技术形成。该技术产生的开关损耗小于传统的AlGaAs工艺。在50GHz时,可以实现0.3dB的插入损耗降低。
MACOM的MAATCC0011是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 6位数字衰减器。步长为0.5 dB,总衰减范围为31.5 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAATCC0011非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0010是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 5位数字衰减器。步长为1.0 dB,总衰减范围为31 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAATCC0010非常适合用于需要精度,快速,极低功耗和低成本的场合。
MACOM的MAATCC0009是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 6位数字衰减器。步长为0.5 dB,总衰减范围为31.5 dB。该器件采用PQFN塑料表面贴装封装。MAATCC0009非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0008是一款GaAs FET 4位数字衰减器,最小步长为1.0 dB,总衰减范围为15 dB。该器件采用SOIC-16塑料表面贴装封装。MAATCC0008非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0007是一款具有集成TTL驱动器的GaAs FET 5位数字衰减器。步长为1.0 dB,总衰减范围为31 dB。该器件采用SOW-16塑料表面贴装封装。MAATCC0007非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0006是一款GaAs FET 4位数字衰减器,最小步长为2.0 dB,总衰减范围为30 dB。该器件采用SOIC-16塑料表面贴装封装。MAATCC0006非常适用于要求精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MACOM的MAATCC0005是一款GaAs FET 6位数字衰减器,最小步长为0.5 dB,总衰减范围为31.5 dB。该器件采用SOIC-24宽体塑料表面贴装封装。MAATCC0005非常适合需要精度,速度快,功耗极低和成本低的场合。
MAAD-011021是一款宽带6位数字衰减器,覆盖直流至30 GHz。衰减比特值为0.5 dB LSB(最低有效位),1,2,4,8和16 dB,总衰减为31.5 dB。衰减误差通常小于+/- 0.5 dB,RMS相位误差在20 GHz时小于5度,典型插入损耗在15 GHz时为7.2 dB。
MACOM的AT-283-PIN是一款GaAs FET 5位数字衰减器,最小步长为0.5 dB,总衰减为15.5 dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封陶瓷16引脚表面贴装封装。AT-283-PIN非常适用于需要精度,快速切换,极低功耗和低互调产品的场合
MACOM的AT-233-PIN是一款GaAs FET 4位数字衰减器,最小步长为2 dB,总衰减为30 dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封陶瓷16引脚表面贴装封装。AT-233-PIN非常适用于需要精度,快速切换,极低功耗和低互调产品的场合。
MACOM的AT-107-PIN是一款GaAs FET 6位数字衰减器,最小步长为0.5 dB,总衰减为31.5 dB。该衰减器和集成TTL驱动器采用密封陶瓷24引脚表面贴装封装。AT-107-PIN非常适用于需要精度,快速切换,极低功耗和低互调产品的场合。
MAAP-011139-DIE是裸片形式的4级4 W功率放大器。该功率放大器工作频率为29至31 GHz,提供24 dB线性增益,4 W饱和输出功率和23%效率,同时偏置电压为6 V. MAAP-011139-DIE是一款非常适合VSAT通信的功率放大器。
MAAP-015016-DIE是一款工作频率为32至38 GHz的4 W宽带功率放大器,饱和输出功率为37 dBm,PAE为23%,信号增益小,为18 dB。该设计完全匹配50欧姆,并在两个I / O端口上提供片上ESD保护和集成DC阻塞电容。
MAAP-010168是一款两级MMIC功率放大器,专为宽带高功率应用而设计。它可以用作驱动器或输出级放大器。该器件完全匹配输入和输出至50 O,从而消除了任何敏感的外部RF调谐组件。
MAAP-010171是一款两级8 W饱和S波段功率放大器,采用5mm 20引脚PQFN封装,易于组装。该产品在输入和输出上完全匹配50欧姆。它可用作功率放大器级或高功率脉冲应用中的驱动级。它非常适用于空中交通管制,天气,军用和S波段雷达应用。