有害的相位噪声会导致信号完整性差,从而导致性能不合格。QORVO的低相位噪声放大器产品线解决了这一问题,QORVO低相位噪声放大器在10 kHz偏移下提供低至-165 DBC/Hz的低相位噪声性能。QORVO低相位噪声放大器覆盖直流至40GHz(UHF、L,S、C、x、Ku、K和Ka波段),可作为本振(LO)驱动器或接收器放大器,在各种需要降低相位噪声或抖动的设计中达到绝对最低水平。QORVO的许多产品都是用裸芯片和表面贴装QFN封装的。
随着PIN开关在电子系统中的应用日益广泛,引脚开关驱动器的设计越来越受到国内外元器件制造商的重视。PIN开关驱动器的响应速度是其重要指标之一。PIN是经典的开关器件,其特点是快速、低成本。
Amphenol R58系列连接器是需要屏蔽和耐腐蚀的军用和商用航空电子设备环境的理想选择。Amphenol R58系列有过滤和非过滤两种版本。Amphenol R58系列滤波器采用安费诺加拿大应力隔离电容技术实现。应用包括盲协调、军用航空电子设备中的电缆到电缆和电缆到盒子的连接,瞄准吊舱和机翼挂架。
Noisecom J7000A系列噪声测量仪产生具有大峰值因子的高斯白噪声(AWGN),以模拟“真实世界”的随机抖动。在随机总抖动模型中,这种随机抖动通常称为RJ。今天的高速数字电路设计人员面临着小时间/抖动预算,以提供高数据率和低误码率(BER)的挑战。这些仪器被串行数据设计者和生产测试工程师用来满足他们的抖动测试要求。
有害的相位噪声会导致信号完整性差,从而导致不合格的性能。Custom MMIC低相位噪声放大器生产线解决了这一问题,在10 kHz失调的情况下,该放大器的相位噪声性能低到-165 dBc/Hz。Custom MMIC低相位噪声放大器覆盖DC到40 GHz(UHF、L、S、C、X、Ku、K和Ka波段),可以作为本地振荡器(LO)驱动器或接收机放大器,用于各种需要相位噪声或将抖动降低到绝对最低水平的设计中。许多Custom MMIC产品都封装了裸芯片和表面QFN。
AMCOM单极双掷开关(SPDT)由移动端和固定端组成,移动端是连接电源呼叫输入线的所谓刀,一般连接到开关手柄的一端;另一端是功率输出的两端,即所谓的固定端。总之,AMCOM单极双掷开关与电气设备相连。
Cypress赛普拉斯的接口集成电路,解决方案和技术提供广泛的工业,汽车,通信,个人电子和企业计算设备。Cypress赛普拉斯接口产品和解决方案可以实现高带宽和更长的传输距离,同时降低系统规模、成本和复杂性,从而更快地进入市场。
CERNEX同轴适配器包括直列式和系列间产品。CERNEX是为不同应用而设计的精密级连接器,这些应用要求高达不同GHz级别的卓越性能。CERNEX同轴适配器的设计旨在确保配合连接器的外导体在接合中心触点之前接合并对齐,以防止损坏中心接触齿。CERNEX还可用于半刚性电缆组件、连接器和精密适配器。
硅(Si)功率器件的发展已接近其性能极限,很难满足开关电源的高频、高效率和高功率密度的要求,UMS氮化镓(GaN)功率晶体管作为宽带隙半导体材料的典型代表,以其开关速度快、寄生参数小、电参数优越等优点而受到广泛关注。
CREE射频微波GaN HEMT器件非常适用于超宽带放大器的应用,具有很高的击穿电压。高功率密度、低寄生和高FT的固有特性允许使用具有多倍频程的放大器来实现瞬时带宽。CREE射频微波系列产品包括输出功率为15W至350 W(CW)的50V封装型晶体管、不匹配的离散器件和用于DC-6 GHz应用的工作在50V的50 ohm MMIC放大器。
ADI直接数字频率合成器是从相位概念出发直接合成所需波形的一种新的频率合成技术。ADI直接数字频率合成是一种新的频率合成技术和信号产生方法,具有极高的频率转换时间、很高的频率分辨率和较低的相位噪声。
MITEQ耦合器提供了一种简单、方便、准确的微波能量采样方法,不需要移动元件和调整。与其他涉及探针或耦合电路的功率采样方法不同,MITEQ定向耦合器还提供了分离前向和反射功率的重要能力。通过选择一个方向上的能量作为设备方向的函数,可以方便地进行准确的驻波比测量,从而消除了开槽线所需的机械运动。由于消除了反射误差,使用MITEQ定向耦合器时衰减测量变得更加准确。
MCLI公司在电力分销商和组合设备方面的专业知识为政府、军事、国防和商业承包商以及教育和研究机构提供可靠和可靠的产品。MCLI的功率分配器和组合器以最高的工艺和标准进行组装和测试。MCLI自豪地能够以合理的价格提供最优质的产品和优秀的客户服务,及时答复报价问题,保持产品库存并为交货和快速交货做好准备。
ARRA微型无级衰减器代表了最完整的微型连续可变衰减器系列。大多数型号的重量为2到3盎司,并且已经过各种军事用途的认证。ARRA微型无级衰减器由于其非接触衰减,可以提供最大的无磨损性能和高可靠性。
Thunderline-z隶属于世界500强企业之一的Emerson。23年来,Thunderline-z一直以制造高质量射频和直流引线和微波封装而闻名。它的声誉是因为它强调严格的公差控制和对制造过程的持续而详细的记录。
Noisecom UFX700A宽带AWGN噪声发生器具有强大的单板计算机,具有灵活的体系结构,可以为高级测试系统创建复杂的自定义噪声信号。Noisecom UFX700A宽带AWGN噪声发生器多功能平台,可满足最苛刻的设计要求。精密零件提供高输出功率和出色的平面度,灵活的计算机结构允许控制多个衰减器、开关和滤波器组。
ANDON开发了业界最大的系列图像传感器插座,使用了专门为图像传感器设备设计的独特的SENSTAC接触器。 ANDON已经开发了业界最大的系列图像传感器插座。Andon为Atmel、Dalsa、E2V、Fairchild、Hamamatsu、Kodak、马可尼、美光、摩托罗拉、National、NEC、外设成像、Phillips、Site、Sony、TI和Toshiba开发插座。
肖特基二极管是由金属-半导体结构成的半导体二极管,具有正向电压低、开关速度快的特点。与类似应用中的点接触二极管相比,HEROTEK零偏置肖特基二极管具有更宽的动态范围、更高的热稳定性和更精确的平方律特性。HEROTEK零偏置肖特基二极管检波器不仅可用于精密测试设备、发射机、电源、信号监测和导弹制导系统,还可用作微波功率探测器。
North Hills的1553数据总线板解决方案是军事、航空航天和工业应用不可或缺的一部分。
Anritsu解决方案是电信、微波、移动卫星通信或国防工业的理想选择。高性能规格和易于使用的接口相结合,可以保证一流的性能和快速准确的测量结果。
Aeroflex模块探针具有高灵敏度和优越的电气和环境可靠性。它们是密封的,并包含内部射频匹配,直流电路,和射频旁路电容器。此外,Aeroflex可以保护视频端口不受静态或暂态电压的影响。此功能可防止处理(通常是静态的)或系统视频瞬间造成的损坏。Aeroflex模型可以根据宽带射频性能或优化窄带选择。Aeroflex可用于电力监控、宽带ECM接收机、雷达设备、信标或多通道接收机等微带或带状线路应用。Aeroflex与纯偏置肖特基单元相比,缓冲输入检测器具有更高的输入功率读数和更好的驻波比。
1.0mm连接器是按照SOUTHWEST 严格的性能和质量标准制造的,坚固耐用,有360°高的接地环,额定温度为-55°C至+165°C。SOUTHWEST 1.0mm连接器提供110 GHz范围内的静止工作,提供匹配良好的阻抗,良好的重复性,以及业界最低的VSWR(1.2≤1)、插入损耗(0.6dB)和射频泄漏(≤-100 dB)。
MACOM射频微波PIN限幅器二极管为接收机保护电路提供了从1mhz到20ghz的出色宽带性能。MACOM射频微波的引脚限制二极管有裸晶圆形式,塑料和陶瓷封装。MACOM陶瓷封装二极管系列是波导、同轴和表面贴装应用的理想选择,而MACOM的直列二极管系列则是芯片和电线高频微波应用的理想选择。
Nova Microwave提供一系列N型同轴循环器,具有各种封装尺寸和频带。Nova微波N同轴环行器设计用于通信、军事应用、蜂窝和无线市场。
Southwest Microwave的1.85mm(V)直流至67 GHz连接器包括现场可更换的2孔和4孔法兰安装和标准或公制螺纹连接器、直焊接电缆连接器、夹端发射连接器和新的无焊垂直发射连接器。
MACOM提供广泛的TMOS和DMOS射频功率场效应晶体管产品,这些产品是从DC到1.0GHz的分立器件。MACOM的大功率MOSFET晶体管非常适合民用航空电子、通信、网络、雷达、工业、科学和医疗应用。
很多品牌的射频微波连接器产品,从外观和尺寸上看不出区别,但真正技术含量体现在:驻波比、插入损耗、高温特性和信号的稳定性等。随着频率的升高,这些特性导致的破坏性就更多。Southwest微波连接器产品,在40GHz以上的频率,充分体现出驻波比超低的优势。
Qorvo提供了各种具有低噪声性能的工业领先晶体管和放大器。Qorvo低噪声放大器提供各种产品解决方案,包括分立晶体管、集成内部匹配和片内线性化的封装mMIC解决方案,以及用作推挽或平衡放大器配置的双放大器。Qorvo的低噪声放大器由我们的pHEMT工艺制造,栅长为0.15μm、0.25μm或0.5μm。
与前向放大器相比,RF-Lambda双向放大器的增益比前向放大器小,因为上行波(反向)通常是低频信号,低频波对电缆的衰减较小,因此与前向所需增益相比,下行电视信道的射频信号被F座标记为"RF IN"引入放大器。
Custom MMIC驱动器放大器的设计是为了在发射机链中的最终功率放大器之前为增益级提供良好的线性或效率性能。Custom MMIC驱动器放大器使用诸如InGaPHBT、功率PHEMT、E/D PHEMT和GaN等工艺技术来支持高达46 GHz的频率。