8-15 GHz宽带X波段Ku波段无源倍频器CMD227C3

2018-09-03 14:59:22

CMD227C3是一款宽带MMIC GaAs x2无源倍频器，采用陶瓷QFN封装。当由+15 dBm信号驱动时，乘法器在23 GHz的输出频率下提供11 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别为38 dBc和49 dBc。

14-20GHz宽带Ku波段K波段无源倍频器芯片CMD256

2018-09-03 14:51:58

CMD256芯片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器。当由+15 dBm信号驱动时，乘法器在34 GHz的输出频率下提供15 dB的转换损耗。Fo隔离度为38 dBc。CMD256采用50欧姆匹配设计，无需RF端口匹配。

CMD226N3宽带C波段X波段无源倍频器倍增器7-11 GHz

2018-09-03 14:48:30

CMD226N3是一款宽带MMIC GaAs x2无源倍频器，采用陶瓷QFN封装。当由+15 dBm信号驱动时，乘法器在18 GHz的输出频率下提供10.5 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别为44 dBc和46 dBc。

4-8 GHz不需要偏见C波段输入无源倍频器MMIC裸片CMD225C3

2018-08-30 11:11:43

CMD225C3裸片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器，采用无引脚表面贴装（SMT）封装。当由+15 dBm信号驱动时，乘法器在12 GHz的输出频率下提供13 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别> 47 dBc和> 54 dBc。

30-40 GHz高输出功率Ka波段有源倍频器芯片CMD213

2018-08-30 11:06:27

CMD213芯片是宽带MMIC GaAs x2有源倍频器MMIC。当由+ 17dBm信号驱动时，乘法器提供30至40 GHz的+17 dBm输出功率。在35 GHz时，Fo隔离度大于46 dBc。

24-36 GHz宽带K波段Ka波段有源倍频器芯片CMD214

2018-08-30 11:01:00

CMD214芯片是宽带MMIC GaAs x2有源倍频器。当由+ 13dBm信号驱动时，乘法器提供从24到36 GHz的+17 dBm输出功率。在26 GHz时，Fo和3Fo隔离度分别> 32 dBc和> 25 dBc。

CMD227芯片X波段Ku波段x2无源倍频器

2018-08-30 10:38:48

CMD227芯片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器。当由+15 dBm信号驱动时，乘法器在23 GHz的输出频率下提供11 dB的转换损耗。

CMD226正增益斜率CX波段7-11GHz输入无源倍频器芯片

2018-08-30 10:32:02

CMD226芯片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器。当由+15 dBm信号驱动时，乘法器在18 GHz的输出频率下提供10.5 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别为44 dBc和46 dBc。

CMD225宽带MMIC GaAs MMIC x2无源倍频器芯片

2018-08-30 10:17:31

CMD225芯片是宽带MMIC GaAs MMIC x2无源倍频器/倍频器。当由+15 dBm信号驱动时，该MMIC乘法器在12 GHz的输出频率下提供12 dB的转换损耗。

6-10 GHz宽IF带宽C波段X波段IQ混频器

2018-08-30 10:09:38

CMD257C4是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3 I / Q混频器，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD257C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。

CMD258C4贴片高IP3低转换损失镜像抑制混I/Q混频器

2018-08-30 09:58:41

CMD258C4是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3 I / Q混频器，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD258C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。

16-26GHz宽IF带宽Ku波段K波段高IP3通用双平衡混频器CMD255C3

2018-08-29 10:30:41

CMD255C3是一款通用双平衡混频器，采用无引脚表面贴装封装，可用于16至26 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD255C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD254C3高IP3双平衡混频器X波段Ku波段K波段

2018-08-29 10:21:34

CMD254C3是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3双平衡混频器，可用于11至20 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD254C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD253C3无引脚贴片高IP3双平衡混频器6-14 GHz

2018-08-29 10:11:31

CMD253C3是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3双平衡混频器，可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD253C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

4-8.5 GHz低转换损失X波段C波段通用双平衡混频器CMD251C3

2018-08-29 10:06:19

CMD251C3是一款通用双平衡混频器，采用无引脚表面贴装封装，可用于4至8.5 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的巴伦结构，CMD251C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

4-8 GHz高隔离度C波段I/Q混频器CMD252C4

2018-08-29 09:49:03

CMD252C4是一款紧凑型I / Q混频器，采用无引脚表面贴装封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD252C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。

20-32GHz宽IF带宽K频段Ka频段双平衡混频器芯片CMD180

2018-08-29 09:29:57

CMD180是一款通用双平衡混频器，采用无引脚表面贴装封装，可用于20至32 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD180对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

30-46 GHz高隔离度Ka波段Q波段高中频带宽混频器芯片CMD261

2018-08-29 09:18:56

CMD261是一款通用双平衡混频器芯片，具有超宽IF带宽，可用于30至46 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD261对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

26-45 GHz无源双平衡拓扑K波段Ka波段Q波段基本混频器芯片CMD181

2018-08-29 09:12:34

CMD181是一款通用双平衡混频器芯片，可用于26至45 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD181对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。

6-14 GHz通用C波段X波段Ku波段双平衡混频器芯片CMD177

2018-08-28 11:39:54

CMD177是一款通用双平衡混频器芯片，可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD177对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD180C3无引脚贴片20-32GHz通用高隔离度双平衡混频器

2018-08-28 11:33:02

CMD180C3是一款采用无引脚表面贴装（SMT）封装的通用双平衡混频器，可用于20至32 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的巴伦结构，CMD180C3混频器MMIX对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD179C3低转换损失K波段16-26GHz无源双平衡混频器

2018-08-28 11:24:51

CMD179C3是一款采用无引脚表面贴装（SMT）封装的通用双平衡混频器MMIC，可用于16至26 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD179C3 MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD179双平衡Ku波段K波段混频器MMIC芯片

2018-08-28 11:19:19

CMD179是一款通用双平衡混频器MMIC芯片，可用于16至26 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD179混频器MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD178C3通用宽IF带宽无源双平衡混频器11-21 GHz

2018-08-28 11:01:01

CMD178C3是一款采用无引脚表面贴装（SMT）封装的通用双平衡混频器MMIC，可用于11至20 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD178C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD183C4是7.5-13GHz高隔离度射频微波IQ混频器镜像抑制26dB

2018-08-28 10:51:28

CMD183C4是一款紧凑型RF /微波I / Q混频器MMIC，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD183C4 I / Q混频器采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。

6-14 GHz通用型C波段X波段Ku波段双平衡基波混频器CMD177C3

2018-08-28 10:46:06

CMD177C3是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚表面贴装封装，可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构，CMD177C3混频器MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度，并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。

CMD182C4是一款6-10 GHz紧凑型GaAs射频微波IQ混频器MMIC

2018-08-28 10:40:34

CMD182C4是一款紧凑型GaAs射频/微波I / Q混频器MMIC，采用无引脚表面贴装（SMT）封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD182C4 I / Q混频器MMIC采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。

2-30 GHz（S，C，X，Ku，K，Ka频段）5位数字衰减器CMD279

2018-08-27 15:15:41

CMD279是一款正控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片，工作频率范围为2至30 GHz。衰减器的每个位由0 V或+ 5V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB），1,2,4和8 dB，总衰减为15.5 dB。

CMD281超宽带2位数字衰减器芯片

2018-08-27 14:58:41

CMD281是负控制，宽带GaAs MMIC 2位数字衰减器芯片，工作频率范围为DC至40 GHz。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为2 dB和4 dB，总衰减为6 dB。CMD281在18 GHz时具有1.2 dB的低插入损耗，衰减精度通常为0.1 dB步进误差。

CMD280负控制DC-30GHz宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片

2018-08-27 14:51:44

CMD280是负控制，宽带GaAs MMIC 5位数字衰减器芯片，工作频率范围为DC至30 GHz。衰减器的每个位由0 V或-5 V的单个电压控制。衰减器位值为0.5（LSB），1,2,4和8 dB，总衰减为15.5 dB。CMD280在10 GHz时具有3 dB的低插入损耗，衰减精度通常为0.1 dB步进误差。