MAPS-010144相控阵雷达GaAs pHEMT 4位数字移相器

2018-09-11 13:58:37

MAPS-010144是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，集成CMOS驱动器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为22.5°，提供从0°到360°的相移，步长为22.5°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

低直流电耗4位数字移相器MAPS-010143

2018-09-11 13:50:44

MAPS-010143是一款GaAs pHEMT 4位数字移相器，采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装，集成CMOS驱动器。步长为22.5°，提供从0°到360°的相移，步长为22.5°。该设计经过优化，可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。

DS856-高速3GHz直接数字频率合成器

2018-09-10 14:44:09

DS856是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，ROM相位分辨率为13位，DAC幅度分辨率为11位。第一奈奎斯特带中的正弦波可以产生到接近1.6 GHz（在3.2-GHz时钟速率）。

DS852——高速2.2 GHz直接数字频率合成器

2018-09-10 14:37:52

DS852是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，幅度分辨率为11位。第一奈奎斯特带中的正弦波可以产生到接近1.1 GHz（在2.2-GHz时钟速率）。初始阶段可以重置为零度开始。该芯片有一对互补输出50Ω后端。

DS707——高速啁啾直接数字频率合成器

2018-09-10 14:30:12

DS877是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，ROM相位分辨率为13位，DAC幅度分辨率为11位。DAC的模拟输出可以在正常保持模式(对于第一奈奎斯特频带)和归零模式(对于第一、第二和第三奈奎斯特频带)操作之间选择。

DS88高速啁啾直接数字频率合成器

2018-09-10 14:26:13

DS878是一种高速直接数字合成器（DDS），频率调谐分辨率为32位，ROM相位分辨率为13位，DAC幅度分辨率为11位。DAC的模拟输出可以在正常保持模式(对于第一奈奎斯特频带)和归零模式(对于第一、第二和第三奈奎斯特频带)操作之间选择。

超宽带高功率高效率的GaN放大器

2018-09-06 15:30:42

我们报告了一种超宽带高功率高效率的GaN放大器。运行从100MHz到3000兆赫。最好的结果包括100W的输出功率，22dB增益，40%的功率增加效率从100MHz到3000兆赫。这个性能是通过裁剪两个设备来实现的。阻抗与独特的宽带电路匹配拓扑结构。二者详细设计技术将给出器件和匹配电路。

40-4000MHz宽带高功率GaN MMIC功率放大器

2018-09-06 15:21:17

我们报告了一个高性能的GaN MMIC功率放大器工作在40MHz到400MHz之间。这个实现80W脉冲（100US脉冲宽度和10%占空比）MMIC循环）输出功率（P5dB），40MHz，50W效率为54%大约30%的效率在大部分的中间波段，以及在400MHz时，效率逐渐降低到30W，效率为22%。

使用具有独立栅极偏压控制的并联晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

2018-09-06 15:19:40

GaN HEMT具有高输出功率密度和宽带宽下的高效率。但是GaN HEMT的线性度通常比GaAs器件的线性度差。本文提出了一种简单的方法来改善GaN HEMT的线性度。所提出的方法是将器件分成与独立控制的栅极偏置电压并联的多个子单元，然后对子单元输出进行功率组合。

CMD273P3高隔离度低损耗宽带DPDT转换开关DC-12 GHz

2018-09-05 17:08:51

CMD273P3是一款低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。CMD273P3覆盖直流至12 GHz，在6 GHz时具有1.7 dB的低插入损耗和42 dB的高隔离度。CMD273P3采用0 / + 5 V互补控制电压逻辑线工作。

CMD272P3低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关DC-10 GHz

2018-09-05 17:06:11

CMD272P3是一款低损耗宽带正控制MMIC DPDT转换开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装封装。CMD272P3覆盖直流至10 GHz，插入损耗低至1 dB，6 GHz时的高隔离度为43 dB。CMD272P3采用0 / + 5 V互补控制电压逻辑线工作。

CMD215芯片形式通用宽带射频微波高隔离反射型MMIC SPDT开关DC-40 GHz

2018-09-05 17:03:57

CMD215是芯片形式的通用宽带RF /微波高隔离反射型MMIC SPDT开关。CMD215的直流电压为40 GHz，具有2.3 dB的低插入损耗和36 dB至20 GHz的高隔离度。

DC-18GHz宽带L波段S波段C波段X波段Ku波段SP5T非反射开关CMD235C4

2018-09-05 17:01:31

CMD235C4是一款宽带RF /微波MMIC SP5T开关，采用无引脚4x4 mm表面贴装（SMT）封装。CMD235C4覆盖直流至18 GHz，在10 GHz时具有2.5 dB的低插入损耗和40 dB的高隔离度。该开关还包括一个板载二进制解码器电路，它将所需的逻辑控制线数量从五个减少到三个。

CMD234C4宽带RF微波非反光设计SP3T开关DC-18 GHz

2018-09-05 16:57:27

CMD234C4是一款宽带RF /微波MMIC SP3T开关，采用无引脚4x4 mm表面贴装（SMT）封装。CMD234C4覆盖直流至18 GHz，在10 GHz时具有2 dB的低插入损耗和40 dB的高隔离度。

DC-28 GHz宽带射频微波高隔离SPDT非反射开关CMD196

2018-09-05 16:53:46

CMD196是芯片形式的通用宽带RF /微波高隔离非反射MMIC SPDT开关。CMD196的直流电压为28 GHz，插入损耗低至1.75 dB，14 GHz时的高隔离度为46 dB。

CMD230宽带射频微波DC-26GHz低损耗宽带性能SPDT开关芯片

2018-09-05 16:49:08

CMD230是芯片形式的通用宽带RF /微波高隔离反射型MMIC SPDT开关。CMD230的直流电压为26 GHz，插入损耗低至1.4 dB，13 GHz时的高隔离度为40 dB。

DC-20 GHz高隔离度L波段S波段C波段X波段Ku波段K波段SPST非反射开关

2018-09-05 16:46:29

CMD204C3是一款通用宽带RF /微波高隔离度非反射型MMIC SPST开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装（SMT）封装。CMD204C3的直流至20 GHz，插入损耗低至1.3 dB，10 GHz时的高隔离度为48 dB。

CMD204通用宽带RF微波DC-20GHz正增益斜率SPST非反射开关芯片

2018-09-04 16:07:18

MD204芯片是通用宽带RF /微波高隔离无反射MMIC SPST开关。CMD204的直流电压为20 GHz，具有1.0 dB的低插入损耗和10 GHz时50 dB的高隔离度。该开关使用0 / -5 V的互补控制电压逻辑线工作，无需偏置电源。

DC-20 GHz高隔离度SP4T非反射开关CMD203C4

2018-09-04 15:58:38

CMD203C4是一款宽带RF /微波MMIC SP4T开关，采用无引脚4x4 mm表面贴装（SMT）封装。CMD203C4覆盖直流至20 GHz，插入损耗低至2.4 dB，10 GHz时的高隔离度为39 dB。该开关还包括一个板载二进制解码器电路，它将所需的逻辑控制线数量从4个减少到2个。

CMD203射频微波DC-20GHz高隔离度SP4T非反射开关芯片

2018-09-04 15:51:24

CMD203是一款裸片式射频/微波MMIC SP4T开关，采用裸片形式。CMD203的直流电至20 GHz，插入损耗低至2.4 dB，10 GHz时的隔离度高达39 dB。该开关还包括一个板载二进制解码器电路，它将所需的逻辑控制线数量从4个减少到2个。

CMD196C3宽带射频微波DC-18 GHz低损耗宽带性能SPDT非反射开关MMIC

2018-09-04 15:46:02

CMD196C3是一款通用宽带RF /微波高隔离度非反射型MMIC SPDT开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装（SMT）封装。CMD196C3的直流电压为18 GHz，具有1.5 dB的低插入损耗和8 GHz时46 dB的高隔离度。

CMD195C3宽带射频微波DC-18 GHz高隔离度L至Ku波段SPDT非反射MMIC开关

2018-09-04 15:18:04

CMD195C3是一款宽带RF /微波MMIC SPDT开关，采用无引脚3x3 mm表面贴装（SMT）封装。CMD195C3涵盖直流至18 GHz（L至Ku频段），具有2 dB的低插入损耗和37 dB的高隔离度以及正增益斜率。正增益斜率功能允许将多个开关级联在一起，而无需增益均衡电路。

L波段至K波段DC-20GHz裸片式快速切换SPDT非反射开关MMIC芯片CMD195

2018-09-04 15:10:53

CMD195是一款裸片式非反射式GaAs射频/微波MMIC SPDT开关，采用裸片形式。CMD195涵盖直流至20 GHz，具有2 dB的低插入损耗和37 dB的高隔离度以及正增益斜率。正增益斜率功能允许将多个开关级联在一起，而无需增益均衡电路。

L至Ku波段DC - 18GHz高隔离度SP6T非反射开关CMD236C4

2018-09-04 15:08:03

CMD236C4是一款宽带MMIC SP6T开关，采用无引脚4x4 mm表面贴装封装。CMD236C4覆盖直流至18 GHz，插入损耗低至2.5 dB，10 GHz时的高隔离度为42 dB。该开关还包括一个板载二进制解码器电路，它将所需的逻辑控制线数量从五个减少到三个。

AMCOM宽带放大器芯片的可靠性获得美国Raytheon公司的赞誉

2018-09-04 11:34:05

美国AMCOM 公司的市场人员在例行拜访Raytheon公司发现，他们在2003年选用的AMCOM的宽带放大器芯片产品，用于雷达预警系统的项目，持续工作近15年时间，目前在全球众多防务客户中，均未反馈有故障发生。对此，Raytheon公司雷达项目工程师团队给予AMCOM公司极高的品质评价。

3-6 GHz低相位误差S波段C波段5位数字移相器CMD174

2018-09-03 16:43:56

CMD174管芯是GaAs MMIC 5位移相器。CMD174工作频率为3至6 GHz，提供0至360度的单调相位覆盖，LSB为11.25度。该器件采用0或-3 V单比特负逻辑控制，插入损耗为7.6 dB，相位误差为±2度。

13-17 GHz低相位误差Ku波段4位数字移相器CMD176P4

2018-09-03 16:27:41

CMD176P4是一款GaAs MMIC 4位移相器，采用无引脚4x4 mm塑料表面贴装（SMT）封装。CMD176P4工作频率范围为13至17 GHz，提供0至360度的单调相位覆盖，LSB为22.5度。RF /微波器件采用0或+3 V的单比特正逻辑控制，插入损耗为8 dB，相位误差为±5度。

3-6GHz低相位误差S波段C波段5位数字移相器CMD174P4

2018-09-03 16:14:39

CMD174P4是一款GaAs MMIC 5位移相器，采用无引脚4x4 mm塑料表面贴装（SMT）封装。CMD174P4工作频率为3至6 GHz，提供0至360度的单调相位覆盖，LSB为11.25度。移相器采用0或-3 V的单比特负逻辑控制，插入损耗为7.6 dB，相位误差为±2度。

2-4 GHz低插入损耗S波段5位数字移相器360°相移CMD175P4

2018-09-03 16:07:21

CMD175P4是一款GaAs MMIC 5位移相器，采用无引脚4x4 mm塑料表面贴装（SMT）封装。CMD175P4工作频率为2至4 GHz，提供0至360度的单调相位覆盖，LSB为11.25度。该RF /微波器件采用0或-3 V的单比特负逻辑控制，插入损耗为7 dB，相位误差为±5度。

W频段以及110GHz毫米波测试级线缆组件解决方案

2018-09-03 15:07:52

随着毫米波的商用产品不断出现，如微波回传和车载雷达等，与之匹配连接的柔性毫米波电缆组件的需求明显。通常电缆的强度和插损难以兼顾，而市场受限于各相关部件性能挑战和组装的难度，比如介质不良或导线折叠也会产生规律性的问题，而影响产品的电气性能。