custom mmic应用说明显示了偏置双电源和单电源电流的逐步程序

2018-10-08 16:49:50

custom mmic通过我们的“ 应用笔记103：放大器偏置技术 ” ，为正偏置放大器器件提供单电源和双电源MMIC放大器偏置技术提供了有用的指导。

DC至22GHz宽带GaAs MMIC分布式放大器在低功耗下表现出优异的动态范围

2018-10-08 16:33:28

我们为市场领先的宽范围分布式放大器产品组合添加了一个新的分布式放大器。CMD240P4分布式放大器的超宽带DC-22 GHz性能伴随着2.2 dB的低噪声系数和IP3 + 28 dBm。该器件的性能水平使其适用于极其广泛的应用，包括电子战，SIGINT，军用雷达和仪器仪表。

宽带LPNA提供极低的相位噪声

2018-10-08 16:29:57

我们为快速扩展的标准产品添加了一个新类别。我们的新型GaAs MMIC低相位噪声放大器 （LPNA）系列提供以前无法获得的相位噪声性能。相位噪声是定义大多数雷达和通信系统性能水平的关键要求。这五个产品系列在10 kHz偏移下实现了低至-165dBc / Hz的相位噪声性能。它们用于本地振荡器（LO）和用于军事和仪器应用的高灵敏度接收器电路。

分布式放大器提供独特的正增益斜率工作频率为40 GHz

2018-10-08 16:27:26

我们为其性能领先的标准产品系列增加了两个独特的分布式放大器。我们继续专注于为航空航天，商业和军事应用提供增值MMIC解决方案。

Custom MMIC荣获雷神Raytheon公司四星级供应商卓越奖

2018-10-08 16:24:10

在雷神综合防御系统（IDS）2017供应商卓越会议期间，Custom MMIC获得了四星级供应商卓越奖。

先进的MMIC有助于减小相控阵雷达系统的尺寸和功率

2018-10-08 16:20:39

相控阵雷达系统是国家电子防御战略中的重要手段。从扫描远程发射导弹的大型舰载系统到安装在战斗机和无人机（UAV）上的更紧凑的阵列，电子相控阵雷达有多种尺寸和形式，提供可靠的信号检测和识别。与早期的雷达系统相比，这些现代系统具有许多优点，这些雷达系统依靠天线的物理运动来引导雷达波束以寻找目标。

新型宽带无反射GaAs MMIC开关覆盖DC-18 GHz频率CMD235C4

2018-10-08 16:12:36

CUSTOM MMIC继续迅速增加其广泛的MMIC开关系列; 两个新的GaAs MMIC开关，即非反射型CMD235C4和CMD236C4。 CMD235C4是一款DC-18 GHz宽带MMIC SP5T交换机，提供宽带性能，插入损耗为2.5dB，10 GHz时端口到端口的隔离度高达40dB。

custom mmic获得BAE Systems电子系统的金牌供应商评级奖

2018-10-08 15:57:38

紧凑型定向耦合器在4.0至12.4 GHz频率范围内具有6 dB耦合

2018-09-29 16:04:53

KRYTAR推出新型紧凑型定向耦合器，在4.0至12.4 GHz频率范围内具有6 dB耦合，包括标称耦合（相对于输出）为6 dB，±0.5 dB，频率灵敏度为±0.30 dB。定向耦合器的插入损耗（包括耦合功率）小于1.8 dB，指向性大于15 dB，最大VSWR（任何端口）为1.35，输入功率额定值为20 W平均值和3 kW峰值。

全新紧凑型180度3 dB混合耦合器适用于10至40 GHz的超宽带工作

2018-09-29 15:55:40

KRYTAR推出全新紧凑型180度，3 dB混合耦合器，适用于10至40 GHz的超宽带频率，型号4100400，具有10至40 GHz的多功能性，具有出色的相位和幅度匹配。典型规格包括幅度不平衡：±1.0 dB; 相位不平衡为±12度; 隔离度> 12 dB; 最大VSWR：1.8; 和插入损耗<1.7 dB。

适用于2.0至8.6 GHz频率范围内的热真空应用的新型紧凑型定向耦合器

2018-09-29 15:49:37

KRYTAR推出用于2.0至8.6 GHz频率范围内的热真空应用的新型紧凑型定向耦合器，在2.0至8.6 GHz的频率范围内提供卓越的性能，为该公司不断增长的太空级定向耦合器系列增添了新的内容 。

新型紧凑型定向耦合器，在0.5至20.0 GHz的超宽带频率范围内具有6 dB耦合

2018-09-29 15:45:04

KRYTAR推出一款新型紧凑型定向耦合器，在0.5至20.0 GHz的超宽带频率范围内具有6 dB耦合，耦合器为许多应用提供简单的解决方案，包括电子战（EW），商用无线，卫星通信，雷达，信号监测和测量，天线波束成形和EMC测试环境。

新的双向定向耦合器，在0.5 GHz至20.0 GHz频率范围内具有20 dB耦合

2018-09-29 15:39:48

KRYTAR公司宣布其双向耦合器系列的不断扩展，增加了一个新的型号，提供20 dB的超级耦合 - 宽带频率范围为0.5至20.0 GHz，采用紧凑轻巧的单一封装。其性能等级包括标称耦合（相对于输出）为20 dB，±1.2 dB，频率灵敏度为±0.85 dB。

适用于1.0至40.0 GHz频率范围内空间应用的新型定向耦合器

2018-09-29 15:37:14

KRYTAR公司宣布推出一款新型定向耦合器，专为在1.0至40.0 GHz的超宽带频率范围内工作的空间应用而设计。KRYTAR的耦合器专为需要外部调平，精确监控，信号混合或扫描传输和反射测量的系统应用而设计。

North Hills Signal Processing宣布推出高速电缆隔离变压器

2018-09-29 15:19:37

North Hills 领先的测量和连接解决方案提供商North Hills Signal Processing Corporation 宣布推出新型高速电缆隔离变压器TF1500A15。North Hills TF1500A15变压器根据ANSI X3T11 FC-PH-3，SMPTE 292M，SAE AS5643 / 1和IEEE STD 1394b-2008的规范发送和接收信号。

North Hills Signal Processing宣布推出高速电缆组件

2018-09-29 15:18:02

North Hills 领先的测量和连接解决方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即将推出针对高速数据互连市场的新型高速接口电缆产品。

North Hills Signal Processing宣布推出用于SMPTE 292M HDTV应用的单平衡和双平衡变压器

2018-09-29 15:16:02

North Hills ​领先的测量和连接解决方案提供商North Hills Signal Processing Corporation宣布即将推出新型SMPTE 292M视频平衡 - 不平衡转换器。这些变压器使用Sabritec和BNC连接器将75欧姆同轴电缆连接到100欧姆平衡电路。

18W射频功率晶体管NPT35015D

2018-09-20 16:19:51

在MACOM，我们提供各种脉冲和线性RF功率晶体管产品 - 分立器件，模块和托盘，设计工作频率范围为DC至6 GHz。我们的高功率晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。

氮化镓28V/50W MMIC功率放大器NPT1004D

2018-09-20 16:09:50

在MACOM，我们提供各种脉冲和线性RF功率晶体管产品 - 分立器件，模块和托盘，设计工作频率范围为DC至6 GHz。我们的高功率晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用MACOM 60多年的传统，提供使用双极，MOSFET和现在GaN技术的标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。

氮化镓28V/25W射频功率晶体管NPTB00025AB

2018-09-20 15:52:07

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。

125W射频功率晶体管NPT25100P

2018-09-20 15:41:11

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。

NPT2024国防L/S波段雷达宽带晶体管DC - 2.7 GHz

2018-09-20 15:31:50

NPT2024 GaN HEMT是一种宽带晶体管，针对直流 - 2.7GHz工作进行了优化，采用推挽式配置。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为行业标准塑料封装，功率为200 W（53 dBm）。NPT2024非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。

NPT2020是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管

2018-09-20 15:27:47

NPT2020 GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于CW，脉冲和线性工作，输出功率超过50W（47 dBm），采用工业标准金属陶瓷封装，带有螺栓法兰。

NPT2018无线基础设施DC-3.5 GHz宽带晶体管

2018-09-19 17:28:28

NPT2018 GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于连续波，脉冲和线性工作，输出功率为12.5W（41 dBm），采用工业标准表面贴装塑料封装。

NPT1015B线性和饱雷达DC-3.5 GHz宽带晶体管

2018-09-19 17:25:24

NPT1015B GaN HEMT是一款针对DC-3.5 GHz工作优化的宽带晶体管。该器件设计用于CW，脉冲和线性工作，输出功率为45W（46.5 dBm），采用工业标准金属陶瓷封装，带有螺栓法兰。

NPA1007宽带GaN功率放大器20-2500 MHz

2018-09-19 17:23:10

NPA1007是一款宽带GaN功率放大器，针对20-2500 MHz工作进行了优化。该放大器设计用于饱和和线性工作，输出电平为10 W（40 dBm），采用无铅6 x 5 mm 8引脚PDFN塑料封装。

NPA1006国防无线通讯宽带功率放大器12.5 W

2018-09-19 17:10:43

NPA1006是一款宽带GaN功率放大器，针对20 - 1000 MHz工作进行了优化。该放大器设计用于饱和和线性工作，输出电平为12.5 W（41 dBm），采用无铅6 x 5 mm 8引脚PDFN塑料封装。

MATR-GSHC03-160150国防通信无线电宽带晶体管芯片

2018-09-19 17:05:51

MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一种宽带晶体管芯片，针对DC-3.5 GHz工作进行了优化。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。

MAGX-101214-500L00金属化射频功率晶体管 L波段脉冲雷达

2018-09-19 17:00:11

MAGx-101214-500L00是一种金属化的匹配氮化硅（GaN）硅（Si）RF功率晶体管，针对脉冲L波段雷达应用进行了优化。MAGX-101214-500L0x采用耐热增强法兰陶瓷封装，具有出色的散热性能。与较旧的半导体技术相比，高击穿电压允许可靠和稳定的操作。

MAGE-102425-300射频应用GaN功率晶体管50V 300 W

2018-09-19 16:47:33

MAGe-102425-300S00是一款RF Energy功率晶体管，针对2400-2500 MHz频率工作进行了优化。该器件支持CW和脉冲操作，在工业标准气腔封装中输出功率为300 W（54.8 dBm）。MAGe-102425-300S00非常适合CW应用，是一种高效，精确的热源和电源。