NPT2024国防L/S波段雷达宽带晶体管DC - 2.7 GHz

发布时间：2018-09-20 15:31:50     浏览：1718

GaN宽带晶体管50 V，200 W，DC - 2.7 GHz

NPT2024 GaN HEMT是一种宽带晶体管，针对直流 - 2.7GHz工作进行了优化，采用推挽式配置。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为行业标准塑料封装，功率为200 W（53 dBm）。NPT2024非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。采用SIGANTIC®工艺制造 - 一种专有的GaN-on-Silicon技术。

品牌 型号 货期 库存
MACOM NPT2024 1周 200
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特征
 Si HEMT D模式晶体管上的GaN
 100％射频测试
 68％的排水效率@ 900 MHz
 22 dB增益@ 900 MHz
 50 V操作
 可调谐DC - 2.7 GHz
 适用于线性和饱和应用
 符合RoHS *标准，兼容260°C回流焊
 标准塑料包装，带螺栓法兰


应用
 航空航天与国防
 航空电子学
 国防通讯
 主义
 VHF / UHF / L / S波段雷达
 无线基础设施


产品规格
电源电压：50 V.
PSAT：200瓦
增益：20 dB
测试频率：0.9 GHz
最大频率：2,700 MHz
最小频率：0 MHz

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN on Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的GaN on Silicon产品，采用分立晶体管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工艺，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表现出优异的RF性能，

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