MATR-GSHC03-160150国防通信无线电宽带晶体管芯片

发布时间：2018-09-19 17:05:51     浏览：1356

GaN宽带晶体管模具

MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一种宽带晶体管芯片，针对DC-3.5 GHz工作进行了优化。该器件支持CW，脉冲和线性工作，输出功率为45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150非常适用于国防通信，陆地移动无线电，航空电子设备，无线基础设施，ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。采用SIGANTIC®工艺制造 - 一种专有的GaN-on-Silicon技术。

品牌 型号 货期 库存
MACOM MATR-GSHC03-160150 1周 120
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特征
 Si HEMT D模式晶体管裸片上的GaN
 2.5 GHz时54％的漏极效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 宽带操作DC - 3.5 GHz
 适用于线性和饱和应用
 活动区周边：16毫米
 100％DC测试
 符合RoHS *标准
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分类：EAR99


应用
 航空电子学
 国防通讯
 ISM应用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷达
 无线基础设施

产品规格
测试频率：2.5 GHz
增益：12 dB
电源电压：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是全球唯一一家用于射频应用的GaN on Si技术供应商。我们在Si RF功率晶体管产品上提供广泛的连续波（CW）GaN，作为分立器件和模块，设计工作在DC至6 GHz。我们的高功率CW和线性晶体管是民用航空电子设备，通信，网络，长脉冲雷达以及工业，科学和医疗应用的理想选择。我们的产品组合利用了MACOM超过60年的传统，即使用GaN on Si技术提供标准和定制解决方案，以满足客户最苛刻的需求。我们的GaN on Silicon产品，采用分立晶体管和集成放大器，采用0.5微米HEMT工艺，在功率，增益，增益平坦度，效率方面表现出优异的RF性能，

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