11303-3是一个低剖面的3dB混合耦合器在一个易于使用的表面安装包覆盖了NMT 450波段。11303-3是平衡放大器和信号分配的理想选择,可用于大多数大功率设计。零件经过严格的鉴定测试,单元100%测试。
11304-3S是一种低剖面3dB混合耦合器,采用易于使用的表面安装组件,覆盖500至1000兆赫。11304-3S是平衡放大器和信号分配的理想选择,可用于大多数大功率设计。
C2327J5003A00是一款低成本、低剖面的超小型高性能3db耦合器,采用易于使用的表面贴装封装。它专为WiMax、WiBro、WiFi、ISM和EUMTS应用程序设计。C2327J5003A00是平衡功率放大器、低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧密幅度相位平衡的应用的理想选择。
C2327J5003A00是一款低成本、低配置的超小型高性能3分贝耦合器在一个易于使用的表面安装包。它是设计的用于WiMax、WiBro、WiFi、ISM和EUMTS应用程序。C2327J5003A00是适用于平衡功率和低噪声放大器,以及信号分配和其他低插入损耗、紧幅相平衡的应用必修的。C2327J5003A00可在磁带和卷盘上选择并放置在高处批量生产。所有的兴格元件都是由陶瓷填充聚四氟乙烯制成的具有优异的电气和机械稳定性的复合材料Y热膨胀系数(CTE)为17 ppm/℃。
MAAM-011109是易于使用的宽带放大器的工作频率为10MHz - 40GHz 的器件具有13dB的增益和+18dBm输出功率,匹配为50Ω,具有典型的回波损耗优于15dB,此放大器需要双DC电源:5v(190mA)和低电流-5v(<1 mA).
CMPA601C025F射频晶体管是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)基于单片微波集成电路(MMIC)在碳化硅(SiC)基板,使用0.25μm栅长的制备工艺。半导体提供25瓦的功率从6到12 GHz的瞬时带宽。GaN HEMT MMIC封装在热增强,10lead 25毫米×9.9毫米的金属/陶瓷法兰包。它提供了一个小型封装的高增益和的效率在50欧姆。
因当前新型冠状病毒形势仍旧十分严峻,为全力配合新冠病毒的疫情防控工作,有效减少人员聚集,阻断疫情传播,遵循深圳市政府推迟复工的要求, 开工日期暂未确定。为了更好的服务客户,我司于2月10日起已全面启用在线远程服务模式
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C0810J5003AHF是一款低成本、低配置的超小型高性能3分贝耦合器在一个易于使用的表面安装包。它是设计的适用于800–1000MHz应用,包括:GSM、WCDMA、CDMA和900MHZISM应用。C0810J5003AHF是平衡功率和低噪声的理想选择放大器,加上信号分配和其他低插入损耗的应用同时要求严格的幅度和相位平衡。
C0409J5003AHF是一款低成本、低配置的超小型高性能3分贝耦合器在一个易于使用的表面安装包。这个C0409J5003AHF是平衡功率和低噪声放大器的理想选择,外加信号低插入损耗、窄振幅和需要相位平衡。
1P503AS Pico Xinger是一款低配置、高性能的3dB混合动力车耦合器在一个易于使用的制造友好的表面安装包。它是为DCS和PCS应用而设计的。1P503AS设计用于平衡放大器、可变移相器和衰减器、低噪声放大器、信号是满足不断增长的需求的理想解决方案无线工业为小型印刷电路板和高性能。
11302-3是XINGER品牌90°混合耦合器,小贴片封装,满足高功率需求,同时具备超低的插损和优异的热稳定性,广泛用于高端功率放大器项目。频率覆盖225MHz~6GHz, 功率可高达500W。
微带线隔离器是Nova 公司的隔离器产品,Nova Microwave为商业应用,军事应用,蜂窝和无线市场设计和制造了全面的隔离器系列。这些设备对于最小化入射信号和反射信号之间的干扰非常重要。这些设备为发射器提供恒定的阻抗,从而通过将反射信号吸收到内部终端中来最大化功率传输。
微带线环形器是Nova 公司的循环器,Nova Microwave是佛罗里达州的一家公司,,专门从事各种铁氧体循环器和隔离器的设计,工程和制造。 Nova Microwave是技术差异化电子和射频铁氧体循环器和隔离器的领导者,可连接,保护和控制全球微波电子市场的关键系统,包括商用和军用无线通信。
2.92mm转1.85mm毫米波适配器40GHz是SOUTHWEST产品,推荐用于军用、航天、仪表测试等应用
1.0mm毫米波连接器按照Southwest Microwave的严格性能和质量标准制造,坚固耐用,具有360°凸起的接地环,额定工作温度为-55°C至+ 165°C。1.0mm连接器可在110 GHz范围内提供无模式工作,提供匹配良好的阻抗,出色的可重复性,以及业界最低的VSWR(1.2:1),插入损耗(0.6 dB)和RF泄漏(≤-100 dB)。
2.92mm毫米波连接器是SOUTHWEST产品,有超强的可靠性、相位和插入损耗可重复能力。它能在DC-46GHz频带范围内使用,具有良好的电性能,且能与现在已广泛使用的SMA连接器兼容,很快地被广大制造商认可,且成为目前国际上应用最为广泛的毫米波接头之一
毫米波连接器组件和工具是工作在毫米波段的连接器的总称,包括内导体、外导体、介质支架、左连接器和右连接器。介质支架两侧对称设置环形槽。介质支架由上介质支架和下介质支架组成,环槽相应地由上环槽和下环槽组成。
End Launch 毫米波连接器是SOUTHWEST的高性能端发射连接器,旨在为高频信号位于顶层的单层和多层印刷电路板提供低VSWR,110 GHz的无模式宽带响应。提供SMA(27 GHz),2.92 mm(K)(40 GHz),2.40 mm(50 GHz),1.85 mm(V),(67 GHz)和1.0 mm(W)(110 GHz)。
AM005WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。这是赤裸裸的死亡它可以工作到18千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为33.4 dBm。它可以用在低噪声、高动态范围接收器和大功率发射机。此部分符合RoHS。
AM012WN-00-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。这是赤裸裸的死亡它的工作频率可达15ghz。它可以提供典型的饱和功率为37.7 dBm。这部分是RoHS顺从。
AM025WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米(两个1.25毫米FET平行地)。这是一个裸模,可以操作到15千兆赫。它可以提供40.5的典型饱和功率数据库管理系统。此部分符合RoHS。
AM005WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。在一个陶瓷里工作频率高达12ghz的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装,带有弯曲(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包裹的底部同时充当直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM012WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。在一个陶瓷桶里可运行高达10千兆赫的软件包。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装,带有弯曲(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM025WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米。在一个陶瓷里可在8千兆赫以下工作的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷弯曲包装(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM100WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC裙边此部分的总门宽为10毫米。AM100WN-CU-R专为大功率设计微波应用,工作频率高达6GHz。系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
AM13714530WM-SM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分在13.75到14.5ghz频段工作。它有超过30分贝的增益和30分贝输出功率。放大器被封装在带有射频和直流连接。设备的安装法兰有助于实现良好的散热效果通向接地散热器的路径。
AM324036WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有29分贝的增益和3.2至4.0GHz频段36dBm输出功率。该MMIC是一个陶瓷封装,具有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。
AM050WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC卷边。此部分的总门宽为5mm。AM050WN-CU-R专为大功率设计微波应用,工作频率高达6千兆赫系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
AM284233MM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有34分贝的增益和在2.8到4.2GHz频带上输出33dBm的功率。这个MMIC是一个陶瓷封装,有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。