毫米波连接器组件和工具是工作在毫米波段的连接器的总称,包括内导体、外导体、介质支架、左连接器和右连接器。介质支架两侧对称设置环形槽。介质支架由上介质支架和下介质支架组成,环槽相应地由上环槽和下环槽组成。
End Launch 毫米波连接器是SOUTHWEST的高性能端发射连接器,旨在为高频信号位于顶层的单层和多层印刷电路板提供低VSWR,110 GHz的无模式宽带响应。提供SMA(27 GHz),2.92 mm(K)(40 GHz),2.40 mm(50 GHz),1.85 mm(V),(67 GHz)和1.0 mm(W)(110 GHz)。
AM005WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。这是赤裸裸的死亡它可以工作到18千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为33.4 dBm。它可以用在低噪声、高动态范围接收器和大功率发射机。此部分符合RoHS。
AM012WN-00-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。这是赤裸裸的死亡它的工作频率可达15ghz。它可以提供典型的饱和功率为37.7 dBm。这部分是RoHS顺从。
AM025WN-00-R是AMCOM的一种分立GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米(两个1.25毫米FET平行地)。这是一个裸模,可以操作到15千兆赫。它可以提供40.5的典型饱和功率数据库管理系统。此部分符合RoHS。
AM005WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为0.5mm。在一个陶瓷里工作频率高达12ghz的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装,带有弯曲(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包裹的底部同时充当直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM012WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT闸门总宽度为1.25毫米。在一个陶瓷桶里可运行高达10千兆赫的软件包。BI系列使用特殊设计的陶瓷包装,带有弯曲(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM025WN-BI-R是AMCOM的一种分立的GaN/SiC HEMT总栅极宽度为2.5毫米。在一个陶瓷里可在8千兆赫以下工作的组件。BI系列使用特殊设计的陶瓷弯曲包装(BI-G)或直线(BI)导线采用落地式安装方式。法兰在包装的底部同时作为直流接地、射频接地和热通道。这部分是符合RoHS。
AM100WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC裙边此部分的总门宽为10毫米。AM100WN-CU-R专为大功率设计微波应用,工作频率高达6GHz。系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
AM13714530WM-SM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分在13.75到14.5ghz频段工作。它有超过30分贝的增益和30分贝输出功率。放大器被封装在带有射频和直流连接。设备的安装法兰有助于实现良好的散热效果通向接地散热器的路径。
AM324036WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有29分贝的增益和3.2至4.0GHz频段36dBm输出功率。该MMIC是一个陶瓷封装,具有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。
AM050WN-CU-R是AMCOM的GaN/SiC卷边。此部分的总门宽为5mm。AM050WN-CU-R专为大功率设计微波应用,工作频率高达6千兆赫系列是一个特别设计的陶瓷包装直引线和法兰采用嵌入式安装方式。包装底部的法兰用于同时作为直流接地、射频接地和热接地路径。此部分符合RoHS。
AM284233MM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有34分贝的增益和在2.8到4.2GHz频带上输出33dBm的功率。这个MMIC是一个陶瓷封装,有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。
AM304031WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分贝的增益和31在2.6到4.8GHz频带上的dBm饱和输出功率。这个MMIC是一个陶瓷封装,射频和直流都有在较低层次的封装,以促进低成本的SMT组装到PC板。
AM264240WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这是两个阶段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。AM264240WM-EM-R在输入和输出端都与50欧姆完全匹配,覆盖2.6欧姆至4.2GHz。
AM254038WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这是两个阶段GaAs-HIFET-PHEMT-MMIC功率放大器。它与50欧姆的输入和输出完全匹配,覆盖2.4到4.4赫兹。该MMIC具有18dB的增益和38dBm的12V输出功率射频和直流引线位于封装的较低层,以便于将低成本的SMT组装到PC板上。
AM244236WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有31分贝的增益和在2.4到4.2GHz频带上输出36dBm的功率。这个MMIC是一个陶瓷封装,有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。
AM204437WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。该放大器具有30分贝的增益和在2.2到4.2GHz频带上输出37dBm的功率。该MMIC采用陶瓷封装,射频和直流引线均位于较低层次的封装便于低成本的SMT组装到PC板上。
AM184635WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有30dB增益和35dBmP1dB,在2.2到4.2GHz频段。这个MMIC是一个陶瓷封装,射频和直流引线都在较低的水平便于低成本的SMT组装到PC板上。
AM254540WM-EM-R是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC功率放大器系列的一部分。这么高效率MMIC是一个2级GaAs-pHEMT功率放大器,偏置电压为10~13V。输入和级间匹配网络覆盖2.5到4.5GHz。这个MMIC需要输出外部匹配到您感兴趣的波段之间2.5GHz至4.5GHz提供最大带宽灵活性。
AM183031WM-EM-R是AMCOM的砷化镓MMIC功率放大器系列的一部分。它有30.5分贝的增益和在1.6到3.3GHz频带上的31.5dBm输出功率。该MMIC是一个陶瓷封装,具有射频和直流引线在较低层次的封装,以方便低成本的SMT组装到PC板。当直接安装到印刷电路板,请参见应用说明AN700。由于高直流功耗,我们建议将这些设备直接安装在金属散热器上。AM183031WM-EM是一个直引线的插入式封装。AM183031WM-FM-R是安装在镀金铜法兰托架上的AM183031WM-BM-R。有法兰上有两个螺孔,便于拧到金属散热器上。这个MMIC是符合RoHS的。
HMC413是ADI的一种频率范围为1.6~2.2ghz的高效率异质结双极晶体管MMIC功率放大器,AM183030WM-EM-R是amcom的GaAs-MMIC功率放大器。该放大器在1.6~3.3ghz频段内,增益为30.5db,输出功率为30.5dbm。为便于低成本SMT组装到PC板上,本发明属于一种低层封装中射频和直流引线的陶瓷封装。
HMC609LC4是ADI的单片低噪声放大器,AM153540WM-EM-R是AMCOM的砷化镓单片功率放大器。放大器与50欧姆输入和输出完美匹配,覆盖1.5至3.5赫兹。该单片集成电路在14V下具有21db的增益和38.5dbm的输出功率,与封装底部的水平面共面,为低成本的贴片组装到PC板提供了基础。
无源,是指:无电磁波发射源,系统只能被动地接收目标的电磁波。有源:是指:有电磁波发射源,系统自己能主动、独立发射电磁波,不需要中央发射机发射电磁波。即使部分收发组件坏了,其他组件也能有效发射电磁波。
HMC413是ADI的高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管MMIC功率放大器,AM143438WM-EM-R功率放大器是AMCOM的砷化镓HiFET MMIC,该MMIC是2级GaAs-pHEMT功率放大器,偏置电压为10-14V,级间匹配网络覆盖1.4到3.4GHz,以供应最大的带宽灵活性。例如,一个可用的评估板有逾越20分贝增益,38dBm饱和输出功率逾越1.5至1.8GHz频带在12V。其他2.0到3.0ghz的评估板在12V时取得19dB增益和38dBm输出功率。直流引线与作为接地的封装底层共面,以便当低成本的表面贴装组装到PC板。
AM142540MM-EM-R放大器与HMC618A放大器的频率和适用领域相差无几,可以说是可代替性的两款放大器,但是在价格上却大不相同,AMCOM公司产品极具价格优势,质量高效可靠,深圳市立维创展科技是AMCOM与ADI公司的代理经销商,提供AMCOM与ADI的微波元器件和芯片,欢迎咨询
Linear公司于2013年推出LTM4676串行数字接口多输出调压器。该稳压器为双输出13A或单输出26A的降压型DC/DC微型模块,便于系统设计人员和远程操作人员对系统的电源和功耗进行控制和监控,加快产品上市进程和减少宕机时间。
LTM4616IV#PBF型PBF开关稳压器是一套完整的双DC/DC调节系统。调节器的输入电压范围在2.7V~5.5V之间,输出个数为2,属于双8A输出或单16A输出,输出电压在0.6V~5V之间,输出电压跟踪和裕度为直流输出总误差的±1.75%。它是一个非隔离的pol模块
HMC789是ADI公司的高线性度增益模块MMIC,该放大器的工作频率范围是810MHz至2.7GHz,是选用业界标准SOT89封装。 仅运用极小数量的外部元件和+5V单电源作业,其高输出IP3为+42 dBm。适用于蜂窝/4G、固定无线和WLAN、有线电视、电缆调制解调器和数字广播卫星、微波无线电和检验设备和IF和RF应用
HMC374是ADI的通用宽频带低噪声放大器(LNA),频率用于0.3至3.0 GHz。 选用+2.75V至5.5V单正电源时,LNA提供15 dB增益,1.5 dB噪声系数。该器件具有低噪声系数、高P1dB (22 dBm)和高OIP3 (37 dBm),十分合适蜂窝应用。紧凑型LNA规划选用针对可重复增益和噪声系数功用的片内匹配。 为了使板面积最小,规划选用低本钱SOT26封装,占用面积仅为0.118” x 0.118”。HMC374适用于蜂窝/PCS/3G、WCS, MMDS 和ISM 、固定无线和WLAN和专用陆地挪动无线电等应用范畴,无需外部匹配