MACOM的三级35.0-45.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器具有23.0 dB的小信号增益,整个频段的噪声系数为2.7 dB。该MMIC采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
MAAM-011139是一款驱动放大器,采用无铅4 mm 24引脚PQFN塑料封装,工作频率为27.5 - 33.4 GHz。放大器提供21 dB的小信号增益。输入和输出内部匹配50欧姆,带有片内隔直电容。32 dBm输出三阶截取点(OIP3)和20 dBm输出P1dB为发射阵容提供了出色的线性度。
MACOM的ETC1-1-13是1:1 RF传输线变压器,采用低成本,表面贴装封装。非常适合大容量蜂窝和无线应用。零件采用卷带包装
MAAP-015030两级8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的饱和脉冲输出功率,21dB的大信号增益和40%的功率附加效率。功率放大器可以使用直接栅极电压或使用片上栅极偏置电路进行偏置,从而为高功率X波段应用提供出色的裸片解决方案。
XB1014-QT是一款三级37.0-40.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器,具有21.0 dB的小信号增益和20dB dBm的P1dB输出压缩点。该器件还提供可变增益调节和可调偏置。
MD-123-PIN变压器将LO和RF路径转换为连接到低势垒肖特基二极管环四极管的平衡线。这些变压器有助于提供端口之间的良好隔离。
MD-158-PIN变压器将LO和RF路径转换为连接到低势垒肖特基二极管环四极管的平衡线。这些变压器有助于提供端口之间的良好隔离。转换损失很低。
MACOM的XL1000-BD是一款3级20 - 40 GHz GaAs MMIC低噪声放大器,具有20 dB的小信号增益,整个频段的噪声系数为2 dB。该MMIC采用GaAs pHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
LT1965IMS8E#PBF是一款低噪声、低压差线性稳压器。该器件可提供 1.1A 的输出电流和一个 310mV 的典型压差。LT1965IMS8E#PBF工作静态电流为 500μA (可调版本),并在停机模式中降至 1μA 以下。
LT3014ES5#TRMPBF是一款高电压、微功率低压差线性稳压器。该器件能够提供 20mA 输出电流和一个 350mV 的压差。
LTM9013IY-AA#PBF是一款 300MHz 宽带接收器。该器件采用集成系统级封装 (SiP) 技术,是 μModule® (微型模块) 接收器,内置一个双通道高速 14 位 A/D 转换器、低通滤波器、差分增益级和一个正交解调器。
LT1764AEQ#PBF是一款低压差稳压器,专为实现快速瞬态响应而优化的。该器件能提供 3A 的输出电流和一个 340mV 的压差电压。工作静态电流为 1mA,并在停机模式中减小至 <1μA。
LTM4620AEY#PBF是一款完整的双通道 13A 或单通道 26A 输出开关模式 DC/DC 电源,与 LTM4620 相比,其 VOUT 带宽更宽而且效率更高。封装中内置了开关控制器、功率 FET、电感器和所有的支持组件。
LT1963AES8系列是低压差稳压器,专为实现快速瞬态响应而优化。这些器件可提供 1.5A 的输出电流和一个 340mV 的压差电压。工作静态电流为 1mA,并在停机模式中降至 1μA 以下。
LT1528CQ#PBF是一款 3A 低压差稳压器,专为处理因现今这一代微处理器所引起的大负载电流瞬变而优化。在目前市售的 PNP 稳压器当中,这款器件的瞬态响应速度是最快的,而且对于电容器 ESR 中的偏差具有非常高的耐受度。
LTC2990IMS用于监视系统温度、电压和电流。该器件可通过 I2C 串行接口进行配置,以测量内部温度、远端温度、远端电压、远端电流和内部 VCC 的多种组合。
HMC394LP4(E)是一款低噪声GaAs HBT可编程5位计数器,采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在输入频率高达2.2 GHz时,该器件可在N为2至32范围进行连续分频。
HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下均非常出色。
HMC644ALC5是一款5位数字移相器,额定频率范围为15至18.5 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为11.25度。 HMC644ALC5在所有相态具有3.5度的极低RMS相位误差及±0.5 dB的极低插入损耗变化。
HMC658是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。
HMC326MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC驱动器放大器,工作频率范围为3至4.5 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装,带有裸露基座以改善RF和热性能。
HMC432(E)是一款低噪声2分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC(使用方波输入)至8 GHz的输入频率下工作,使用+3V DC单电源。
HMC753是一款GaAs MMIC低噪声宽带放大器,采用无引脚4x4 mm塑料表贴封装。 该放大器的工作频率范围为1至11 GHz,提供高达16.5 dB的小信号增益、1.5 dB噪声系数及+30 dBm输出IP3,同时采用+5V电源的功耗仅55 mA。
HMC792ALP4E是0.25 dB LSB GaAs MMIC 6位数字衰减器,采用SMT封装,DC - 6 GHz,应用于蜂窝/3G基础设施、WiBro / WiMAX / 4G、微波无线电和VSAT、测试设备和传感器等
HMC655是一系列宽带固定值50 Ω匹配衰减器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相对衰减电平。 这些无源旋转器和衰减器非常适合需要极端平坦衰减和出色的VSWR与频率关系的微带、混合及多芯片模块应用。
HMC1167是一款集成谐振器、负电阻器件和变容二极管的单芯片微波集成电路(MMIC)压控振荡器(VCO),具有半频输出。由于振荡器采用单芯片结构,因而在温度范围内具有出色的输出功率和相位噪声性能。
HMC702是一款SiGe BiCMOS小数N分频频率合成器。 该频率合成器内置一个8GHz 16位RF N分频器、一个24位Σ-Δ调制器、一个极低噪声数字鉴频鉴相器(PFD)和一个精密控制电荷泵。
HMC447LC3是一款低噪声4分频再生分频器,采用InGaP GaAs HBT技术。 这款宽带分频器的工作输入频率为10到26 GHz,可接受极宽范围的输入功率水平。
HMC468ALP3E是一款宽带3位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无引脚表面贴装封装。 在DC到6.0 GHz频率下工作,插入损耗低于1 dB典型值,最高达到4 GHz。 衰减器位值为1 (LSB)、2和4 dB,总衰减为7 dB。
HMC587LC4B是一款宽带GaAs InGaP电压控制振荡器,集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管。 由于振荡器的单芯片结构,其输出功率和相位噪声性能在不同的温度下始终非常出色。