RM212-080-102-5500通孔PCB连接器一系列公头PCB安装连接器,两排触点间距为0.075“。这些连接器具有垂直安装方向,并安装在PCB的电镀通孔上。这些连接器具有安装耳,用于将连接器固定到电路板上。
RM222-080-202-5500直镀通孔PCB连接器,一系列母头PCB安装连接器,两排触点间距为0.075“。这些连接器具有垂直安装方向,并安装在PCB的电镀通孔上。这些连接器具有安装耳,用于将连接器固定到电路板上。可提供10到100个触点的尺寸。
Airborn的MM-2C2-009-261-29WA后面板安装电缆连接器,一系列后面板安装电缆连接器,具有界面密封和0.050“的接触间距。它们的尺寸范围为9到100触点。
airborn的MM-212-009-161-41WQ金属电缆连接器,一系列公头金属连接器,有两排,三排和四排触点,间距为0.050“。这些连接器有焊杯,压接线和尾纤端接类型。它们的尺寸范围为9到51触点。
HMC462是一款GaAs MMIC PHEMT低噪声分布式放大器裸片,工作频率范围为2至20 GHz。 该放大器提供15 dB增益、2.0至2.5 dB噪声系数和+15 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V单电源时功耗仅为63 mA。
HMC435AMS8GE是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。
HMC847LC5是一款4:1多路复用器,设计用于45 Gbps数据串行应用。 多路复用器在输入时钟的转换点锁存四个差分输入。 该器件使用半速率时钟的上升沿和下降沿来串行传输数据。
ADF4159WCCPZ是一款具有调制、以及快速和慢速波形产生能力的13 GHz小数N分频频率合成器, 该器件使用25位固定模数,提供次赫兹频率分辨率。
AD9680BCPZ-1000是一款双通道、14位、1 GSPS模数转换器(ADC)。 该器件内置片内缓冲器和采样保持电路,专门针对低功耗、小尺寸和易用性而设计。 该器件设计用于高达2 GHz的宽带模拟信号采样。
HMC-AUH256是一款GaAs MMIC HEMT四级驱动放大器,工作频率范围17.5至41 GHz。 由于尺寸较小(1.93 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 HMC-AUH256在1 dB压缩点提供21 dB的增益和+20 dBm的输出功率,使用+5V的偏置电源(295 mA)。
HMC313E是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器,采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级,或用于针对窄带应用优化的外部匹配。
AMCOM公司的AM07512041WN-SN-R/AM07512041WN-00-R芯片是一款宽带氮化镓MMIC功率放大器。它在8.25至11.75GHz频段具有28dB的增益和42dBm的输出功率。AM7512041WN-SN-R采用陶瓷封装,带有法兰和直射频和直流引线,用于插入式组装。它的增益为27db,输出功率为41dbm,在8.25至11.75GHz频段。
AMCOM的AM005WN-BI-R是一个分立的GaN/SiC HEMT,总门宽为0.5毫米。它是一个陶瓷封装,最高工作12千兆赫。Bi系列采用特殊设计的陶瓷封装,带有弯曲(Bi-G)或直(Bi)引线,采用嵌入式安装方式。
AMCOM的AM07511542WM是一种宽带砷化镓MMIC功率放大器。它具有25dB的小信号增益,在8V偏压和5%脉冲操作下,在8至11GHz波段输出功率为42dBm。由于直流功耗高,我们强烈建议将共晶连接的裸芯片设备直接安装在铜散热片上。在脉冲条件下,当共晶键合没有空隙时,可以在8V直流偏压下工作。
AMCOM的AM030WH2-BI-R是GAAS高保真音响的BI系列的一部分。HIFET是部分匹配的专利设备配置,适用于高压、大功率和宽带应用。该部分的总设备外围为6毫米(2个3毫米FET串联)。AM030WH2-BI-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率高达12GHz。它也是大功率设备的理想驱动程序。
AMCOM的AM002535MM-BM-R是GAAS MMIC功率放大器系列的一部分。它有24分贝的增益,34分贝的输出功率在大部分0.03至2.5千兆赫波段。该MMIC位于陶瓷封装中,射频和直流引线位于封装底部,以便于将低成本SMT组装到PC板上。
AMCOM的AM003536WM-BM/EM/FM-R是一款超宽带砷化镓MMIC功率放大器。它在0.01至3.5GHz频段具有22 dB的增益和36dBm的输出功率。该MMIC位于陶瓷封装中,射频和直流引线位于封装的较低水平,以便于将低成本SMT组装到PC板上。
AMCOM的AM13714530WM-SM-R是GAAS MMIC功率放大器系列的一部分,工作在13.75至14.5GHz频段。它有超过30分贝的增益和30分贝的输出功率。放大器封装在带射频和直流连接的嵌入式陶瓷封装中。
HMC1131是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)驱动放大器,工作频率范围为24 GHz至35 GHz。 HMC1131在24 GHz至27 GHz范围下提供22 dB增益、35 dBm输出IP3和24 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为225 mA(采用5 V电源)。
HMC741是一款InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为0.05至3 GHz。 该放大器采用业界标准SOT89封装,可用作级联50 Ω RF或IF增益级,也可用作PA或LO驱动器,输出功率高达+18.5 dBm。
HMC789ST89E是一款高线性度GaAs InGaP HBT增益模块MMIC,工作频率范围为0.7至2.8 GHz,采用业界标准SOT89封装。 该放大器仅使用极小数量的外部元件和+5V单电源工作,其输出IP3可以优化为+45 dBm。
HMC589AST89E是一款InGaP HBT增益模块MMIC SMT放大器,工作频率范围为DC至4 GHz,采用业界标准SOT89E封装。该放大器可用作可级联50 Ω RF或IF增益级以及LO或PA驱动器,输出功率高达+19 dBm P1dB,适合蜂窝/3G、FWA、CATV、微波无线电和测试设备应用。
5962-9756401QXA为高速、低功耗、16位模数转换器(ADC),采用5 V单电源供电。AD976A的吞吐速率为200 ksps,而AD976的吞吐速率为100 ksps。各器件均内置一个逐次逼近型开关电容ADC、一个2.5 V内部基准电压源和一个高速并行接口。
OP293ESZ均为单电源运算放大器,具有高精度、低电源电流特性与低电压工作能力。为使单电源系统实现高性能,其输入和输出范围需包括地电压,而且输出摆幅在负供电轨至正电源的600 mV范围内。
AD9164BBCAZ是一款高性能16位数模转换器(DAC)和直接数字频率合成器(DDS),支持高达6 GSPS的更新速率。DAC内核基于一个四通道开关结构,配合2倍插值滤波器,使DAC的有效更新速率在某些模式下高达12 GSPS。
CMD290是一款宽带GaN MMIC分布式K波段低噪声放大器芯片,工作频率范围为2至26 GHz。该宽带器件非常适合要求低噪声系数性能和高输入功率生存能力的应用。
CMD185是一款宽带C波段低噪声放大器芯片,非常适用于需要小尺寸和低功耗的EW和通信系统。宽带设备提供大于15 dB的增益,相应的输出1 dB压缩点为+15 dBm,噪声系数为1.9 dB。
CMD218C4是一款宽带MMIC GaN低噪声放大器,采用无引脚4x4 mm QFN封装。CMD218C4非常适用于需要小尺寸和高输入功率生存能力的微波无线电和C和X波段应用。
CMD283是一款宽带C波段低噪声放大器芯片,非常适合需要小尺寸和低功耗的EW和通信系统。该器件针对宽带性能进行了优化,可提供27 dB的增益,在4 GHz时噪声系数为0.6 dB。
CMD298是一款高效的GaAs MMIC小尺寸K波段低噪声放大器芯片,非常适合需要小尺寸和低功耗的EW和通信系统。该器件针对21 GHz进行了优化,可提供大于27 dB的增益,相应的噪声系数为1.4 dB,输出1 dB压缩点为+8 dBm。