HMC554ALC3B是一款通用型双平衡混频器,采用无引脚RoHS兼容型LCC封装,可用作10 GHz至20 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。
实施固态射频或微波开关似乎并不是一项艰巨的任务:确定并评估适当的集成电路(IC)开关,如果不存在,请选择PIN二极管以包含在离散的定制设计中。由于操作频率高,毫米波RF开关似乎更具挑战性。
今天的半导体行业正在经历猖獗的变化,主要是由于终端市场需求的变化和主要的整合。几十年前,由主要在同一市场上扮演的个体RF公司组成的行业已经被一个新的市场所取代 - 一个装饰着新市场以及硅谷公司与传统芯片制造商的重大并购。
随着技术的不断发展,每天都会出现新的创新解决方案,所有人都在关注下一步的发展方向。对于MACOM和Verizon,下一个重要步骤是启用和部署5G通信网络。Verizon作为一家电信运营商,渴望为其客户提供更快,更可靠的连接,而MACOM在利用其技术组合开发可使这些新的5G网络成为可能的组件方面处于独特的地位。
200G模块提供了几个关键优势,其中主要是利用完全模拟架构的灵活性,我们在早期博客文章中评估的优点主要集中在高性能计算(HPC)应用的光学模块上。虽然比基于主流数字信号处理器(DSP)的解决方案更难实现,但完全模拟光学互连可以提供比基于DSP的解决方案低1,000倍的延迟 - 这是以尽可能最快的速度实现系统和网络性能的关键属性。
MLP7130-0805-2/MLP7130硅限幅器PIN二极管是具有2μm(标称)I层厚度的封装器件。它采用成熟的二极管制造工艺制造,具有高可靠性和均匀性。该器件具有极低的热阻(<150ºC/ W),可以可靠地处理高达33 dBm CW的大RF功率电平和高达47 dBm的RF峰值入射功率(1μs脉冲宽度,0.1%占空比)在TA =25ºC时。严
MLP7120-2012/MLP7120限制器PIN二极管是低串联电阻MLP7120-2012限制器PIN二极管是一种低串联电阻,低电容限制器PIN二极管,采用表面贴装,低寄生塑料封装。它采用Cobham Metelics专有二极管工艺制造,具有出色的性能和高可靠性。
MLP7100/MLP7101/MLP7102/MLP7110系列限幅二极管是经过特殊处理的PIN二极管,具有薄的本征区域,设计用于100 MHz至20 GHz以上的无源或有源限幅器。不同的“I”区域厚度和电容提供可变的阈值和泄漏功率水平以及功率处理能力。
MA4L021-1056/MA4L021-120系列PIN限幅二极管设计用于无源限幅器控制电路,以保护敏感的接收器组件,如低噪声放大器(LNA),探测器和覆盖10 MHz至18 GHz频率范围的混频器。
MA4L011-186/MA4L011-30/MA4L011-31/MA4L011-32系列PIN限幅二极管设计用于无源限幅器控制电路,以保护敏感的接收器组件,如低噪声放大器(LNA),探测器和覆盖10 MHz至18 GHz频率范围的混频器。
MA4L011-134/MA4L011-137限幅二极管设计用于无源限幅器控制电路,以保护敏感的接收器组件,如低噪声放大器(LNA),探测器和覆盖10 MHz至18 GHz频率范围的混频器。
MA4L011-1088系列PIN限幅二极管设计用于无源限幅器控制电路,以保护敏感的接收器组件,如低噪声放大器(LNA),探测器和覆盖10 MHz至18 GHz频率范围的混频器。
MACOM的MA4L011-1056生产一系列具有中小I区长度的硅PIN限制二极管,专为高信号应用而设计。这些器件设计用于在零偏置时提供低插入损耗,以及具有快速信号响应/恢复时间的低漏电功率。
2492-04A-6终端连接器1.0毫米插孔标准块,以下是在具有顶部地面发射功能的.008 “Rogers RO4003 微带线板上的两个1892-04A-5 端部发射连接器的67 GHz测试结果。
2492-04A-9终端发射连接器1.0毫米W波段110GHz窄块 ,为微波层位于顶部的单层或多层印刷电路板提供低至6.5 GHz的宽VSWR响应。它们非常适用于高频芯片组评估/演示板,测试夹具和电路板表征。
背对背测试显示两个连接器的数据。当通过40.0 GHz测试时,连接器内的任何内部不匹配将相位相同。取VSWR峰值的平方根将为单个连接器提供值。
1092-02A-6终端发射2.92mm(K)40 GHz插孔(母)标准块,安装步骤:将端部启动连接器安装在电路板上所需的位置。确保启动销位于迹线的中心。确保过渡块紧靠板等。
PHA2731-190M是一款C类微波功率放大器模块,专为需要高效率和饱和功率的S波段雷达脉冲功率应用而设计。该模块包含两个同相组合式共基极混合功率晶体管,输入和输出匹配50Ω,可实现无与伦比的PA设计。
MABC-001000-DPS00L是一款低功耗偏置控制器,可为被测器件(DUT)提供合适的栅极电压和脉冲漏极电压偏置。适用的DUT包括耗尽型GaN(氮化镓)或GaAs(砷化镓)功率放大器或HEMT器件。该模块还提供偏置排序,因此除非存在负栅极偏置电压,否则不能将脉冲漏极电压施加到DUT。
MABC-001000-DP000L模块为被测器件(DUT)提供适当的栅极电压和脉冲漏极电压偏置。该模块还提供偏置排序,确保脉冲漏极电压不能施加到被测器件,除非存在负栅极偏置电压。偏置控制器模块解决方案为所有MACOM高功率晶体管提供保护和动态控制,包括MACOM广泛的GaN产品组合。
MRF275L设计用于使用频率为500 MHz的单端电路的宽带商用和军用应用。该器件的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF177专为高达400 MHz频率范围的宽带商用和军用应用而设计。主要用作推挽式配置中的驱动器或输出放大器。可用于手动增益控制,ALC和调制电路。
MRF176GU专为宽频商用和军用应用而设计,采用频率为500 MHz的推挽电路。这些设备的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF175LU设计用于使用频率为400 MHz的单端电路的宽带商用和军用应用。每个器件的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF175GV专为宽频商用和军用应用而设计,采用频率为500 MHz的推挽电路。这些设备的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF175GU专为宽频商用和军用应用而设计,采用频率为500 MHz的推挽电路。这些设备的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF151G军用高功率射频功率晶体管,专为频率为175 MHz的宽带商用和军用应用而设计。该器件的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF137专为宽带大信号输出和高达400 MHz范围的驱动级而设计。具有小信号和大信号表征、出色的热稳定性,理想的A级操作套件、 便于手动增益控制,ALC和调制技术等特征。
DU1215S射频功率晶体管,具有N通道增强模式设备、专为12伏应用而设计、噪声系数低于双极器件、高饱和输出功率、降低宽带运行的电容、DMOS结构等特征。
PH2729-110M雷达110W射频功率晶体管,具有2.7-2.9 GHz,100μs脉冲,10%负载、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。