MABC-001000-DPS00L是一款低功耗偏置控制器,可为被测器件(DUT)提供合适的栅极电压和脉冲漏极电压偏置。适用的DUT包括耗尽型GaN(氮化镓)或GaAs(砷化镓)功率放大器或HEMT器件。该模块还提供偏置排序,因此除非存在负栅极偏置电压,否则不能将脉冲漏极电压施加到DUT。
MABC-001000-DP000L模块为被测器件(DUT)提供适当的栅极电压和脉冲漏极电压偏置。该模块还提供偏置排序,确保脉冲漏极电压不能施加到被测器件,除非存在负栅极偏置电压。偏置控制器模块解决方案为所有MACOM高功率晶体管提供保护和动态控制,包括MACOM广泛的GaN产品组合。
MRF275L设计用于使用频率为500 MHz的单端电路的宽带商用和军用应用。该器件的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF177专为高达400 MHz频率范围的宽带商用和军用应用而设计。主要用作推挽式配置中的驱动器或输出放大器。可用于手动增益控制,ALC和调制电路。
MRF176GU专为宽频商用和军用应用而设计,采用频率为500 MHz的推挽电路。这些设备的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF175LU设计用于使用频率为400 MHz的单端电路的宽带商用和军用应用。每个器件的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF175GV专为宽频商用和军用应用而设计,采用频率为500 MHz的推挽电路。这些设备的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF175GU专为宽频商用和军用应用而设计,采用频率为500 MHz的推挽电路。这些设备的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF151G军用高功率射频功率晶体管,专为频率为175 MHz的宽带商用和军用应用而设计。该器件的高功率,高增益和宽带性能使得FM广播或电视频道频段的固态发射器成为可能。
MRF137专为宽带大信号输出和高达400 MHz范围的驱动级而设计。具有小信号和大信号表征、出色的热稳定性,理想的A级操作套件、 便于手动增益控制,ALC和调制技术等特征。
DU1215S射频功率晶体管,具有N通道增强模式设备、专为12伏应用而设计、噪声系数低于双极器件、高饱和输出功率、降低宽带运行的电容、DMOS结构等特征。
PH2729-110M雷达110W射频功率晶体管,具有2.7-2.9 GHz,100μs脉冲,10%负载、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH2226-50M航空雷达脉冲功率晶体管50W,具有2.2-2.6GHz,100μs脉冲,10%负载,符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、通用基本配置等特点。
PH2226-110M雷达110W脉冲功率晶体管,具有2.2-2.6GHz,100μs脉冲,10%负载、符合RoHS标准、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作等特征。
我们很自豪地宣布一份新的技术摘要,其中描述了在LNA初始评估阶段常被忽视的其他选择标准。低噪声放大器(LNA)MMIC是几乎所有雷达,无线通信和仪器系统中的关键组件。在为特定系统设计选择LNA MMIC时,工程师必须考虑各种选项和权衡。
我们很高兴地宣布,我们最新的标准化GaAs和GaN MMIC设计目录已达到150多种器件,2018年将推出30种新产品。 2018年发布的产品包括:8个低噪声放大器MMIC,2个驱动器放大器MMIC,2个功率放大器MMIC,2个混频器MMIC,1个移相器MMIC,2个乘法器MMIC,4个开关MMIC和8个数字衰减器MMIC。完整的产品列表可以在下面查看。
PH1617-2无线双极2W功率晶体管专为线性放大器应用而设计,具有扩散发射极镇流电阻器、通用发射器配置、内部输入阻抗匹配等特征。
PH1214-6M/PH1214-80M微波功率晶体管,具有1.2-1.4 GHz,100μs脉冲,10%负载以及150μs脉冲、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置等特点。
PH1214-55EL微波55W脉冲功率晶体管,具有符合RoHS标准、 密封金属/陶瓷封装、通用基本配置、1.2-1.4 GHz,1ms脉冲,10%负载 等特点。
PH1214-40M雷达40W脉冲功率晶体管,具有.2-1.4 GHz,150μs脉冲,10%负载、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、高效数字间几何、通用基本配置等特征。
PH1214-3L雷达脉冲功率晶体管3W,具有通用基本配置、宽带C类操作、 扩散发射极镇流电阻器、内部输入和输出阻抗匹配、符合RoHS标准、NPN硅微波功率晶体管等特征。
PH1214-300M雷达脉冲功率晶体管300W,具有金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、符合RoHS标准、通用基本配置、内部输入和输出阻抗匹配等特征。
PH1214-25L/PH1214-25M航空航天射频功率晶体管,具有符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、通用基本配置等特点。
PH1214-12M/PH1214-220M微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、高效数字间几何、宽带C类操作、通用基本配置、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1214-110M通用NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、 密封金属/陶瓷封装、金属化系统、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特征。
PH1214-0.85L密封金属陶瓷封装NPN硅微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配、符合RoHS标准、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、通用基本配置等。
PH1113-100国防NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、密封金属/陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、金属化系统等特征。
PH1090-75L航空航天NPN硅微波功率晶体管,具有符合RoHS标准、陶瓷封装、内部输入和输出阻抗匹配、金金属化系统、扩散发射极镇流电阻器等特点。
PH1090-700B通用基本配置NPN硅射频功率晶体管,具有 符合RoHS标准、金金属化系统、 宽带C类操作、内部输入和输出阻抗匹配等特征
PH1090-550S宽带C类操作功率晶体管,具有NPN硅微波功率晶体管、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器等特点。