MRF393双极主要设计用于30至500 MHz频率范围内的宽带大信号输出和驱动放大器级。具有高可靠性金金属化系统、推挽式配置降低了偶数编号的谐波等特征。
MRF323双极主要设计用于200-500 MHz频率范围内的宽带大信号驱动器和预驱动放大器级。具有高可靠性金金属化系统、计算机控制的引线键合提供一致的输入阻抗等特征
MRF317双极主要设计用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级,具有高可靠性应用的金金属化系统、 内置匹配网络,用于宽带运营、宽带测试装置的保证性能等。
MRF316双极主要设计用于30-200 MHz频率范围内的宽带大信号输出放大器级。具有用于宽带操作的内置匹配网络、 高可靠性应用的金金属化系统等特征。
MRF313双极专为军事,移动和飞机无线电中的宽带放大器,驱动器或振荡器应用而设计。具有用于改善MTBF的发射镇流器和低电流命运、提高稳定性的共同发射极等特点。
MRF16006双极设计用于范围为1600 - 1640 MHz的28 V微波大信号,公共基极,C类,CW放大器应用。具有金属金属化,发射器Ballasted长寿命和抗金属迁移、 氮化硅钝化等特点。
MRF1090MB设计用于短脉冲TACAN,IFF和DME发射器中的B类和C类共基极放大器应用。具有金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性、 行业标准包装等特点。
MRF10502专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有内部输入和输出匹配、金属金属化,发射器,Ballested长寿命和金属迁移等特点。
MRF10350双极专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有氮化硅钝化、金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性等特点。
MRF10150专为1025-1150 MHz脉冲公共基极放大器应用而设计,如TCAS,TACAN和Mode-S发射器。具有金属金属化,发射器具有长寿命和抗金属迁移性、 氮化硅钝化、密封包装等特点
MRF10120双极专为960-1215 MHz长脉冲共基放大器应用而设计,如JTIDS和S模式发射机。具有氮化硅钝化、 密封封口行业标准包装、 宽带操作的内部输入和输出匹配等特点。
MRF1004MB双极微波脉冲功率硅NPN晶体管4.0W(峰值),960-1215MHz,设计用于短脉冲和长脉冲TACAN,IFF,DME和雷达发射器中的B类和C类共基极放大器应用。
MAPRST1030-1KS双极NPN硅功率晶体管,具有扩散发射极镇流电阻器、高效的数字间几何、密封金属/陶瓷封装、符合RoHS标准、内部输入和输出阻抗匹配等特点。
MAPRST0912-50是RF功率晶体管。这些高功率晶体管是航空电子,通信,雷达以及工业,科学和医疗应用的理想选择。
MAPRST0912-350微波功率晶体管,具有内部输入和输出阻抗匹配,金金属化系统,扩散发射极镇流电阻器,宽带C类操作,密封金属/陶瓷封装等特点
MAPR-002729-170M00双极NPN硅微波功率晶体管,符合RoHS标准,内部输入和输出阻抗匹配、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、密封金属/陶瓷封装。
MAPR-001214-380M00雷达脉冲功率晶体管,具有NPN硅微波功率晶体管、金属化系统、扩散发射极镇流电阻器、宽带C类操作、内部输入和输出阻抗匹配等特点
131D-02K-LT5DB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02J-LCT11-07是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02I-LT5UB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LT5MB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LT5CB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LT5AB是一款直接调制的2.5Gbps 1310 nm分布式反馈(DFB)激光二极管器件,采用密封TO-56封装,带有平窗,球透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-LCT11是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02I-KT5PB是直接调制的2.5 Gbps窄远场(NFF)DFB激光二极管芯片。它采用获得专利的蚀刻刻面技术,可实现高性能和产品均匀性,采用密封TO-56封装,带平面窗,球面透镜或非球面透镜,以及集成的InGaAs监控光电二极管。
131D-02I-KCT11是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm窄远场(NFF)DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02E-LCT11-10是一款直接调制的2.5Gbps 1310nm DFB激光二极管芯片,采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉,可作为测试芯片或晶圆使用。
131D-02E-VT5TB-50X产品是直接调制的10Gbps DFB激光二极管芯片,具有±10nm的中心波长容限。该产品采用获得专利的蚀刻刻面技术,可实现高性能和产品均匀性。产品可作为测试模具提供。
131D-02E-VT5MB-502系列产品采用密封TO-56封装直接调制2.5Gbps 1310 nm DFB窄边场(NFF)激光二极管。产品提供2mm球透镜(6.7mm FL),集成InGaAs监控光电二极管和B型引脚排列(共阳极)。
131D-02E-VCT11-50x系列产品是直接调制的2.5Gbps 1310nm窄Farfield(NFF)DFB激光二极管芯片。这些产品采用获得专利的蚀刻刻面技术,成本低廉。产品可作为测试模具提供。