MACOM的MAAL-010200宽带增益级是采用无铅SOT-89表面贴装塑料封装的GaAs MMIC放大器。MAAL-010200采用单片1级自偏置设计,方便50?输入/输出阻抗可最大限度地减少所需的外部元件数量。其宽带设计提供500至3000 MHz的可用性能。
MACOM的MAAL-009120宽带增益级是采用无铅SC70-6LD(SOT-363)表面贴装塑料封装的L波段GaAs MMIC放大器。MAAL-009120采用单片1级自偏置设计,方便50?输入/输出阻抗可最大限度地减少所需的外部元件数量。
MACOM的MAAL-008624是一款高动态范围,P波段低噪声GaAs MMIC放大器,采用低成本,表面贴装封装。它采用外部输入匹配,以获得最佳噪声系数性能和工作频率灵活性。MAAL-008624还具有灵活的偏置功能,可控制电流消耗与动态范围权衡。
MACOM的MAAL-008091是一款高动态范围P波段GaAs MMIC低噪声放大器,采用无铅SOIC-8表面贴装塑料封装。它采用外部输入匹配,以获得最佳噪声系数性能和工作频率灵活性。MAAL-008091非常适用于需要低噪声系数,高增益,高动态范围和低功耗的场合。
L波段S波段低噪声放大器MAAL-007304,是采用无铅SOT-26表面贴装塑料封装的GaAs MMIC放大器。MAAL-007304采用单片2级自偏置设计,可根据系统要求在+3至+5伏之间偏置。MAAL-007304具有低噪声,低电流和高增益。
XP1080-QU是一款四级37.0-40.0 GHz封装的Ka波段GaAs MMIC功率放大器,具有25.0 dB的小信号增益和+38.0 dBm输出三阶截取。放大器包含一个集成的温度补偿片上功率检测器。该MMIC采用M / A-COM技术解决方案的GaAs pHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
XP1043-QH封装Ku波段线性功率放大器,工作频率范围为12.0-16.0 GHz。该器件在整个频段内提供21.5 dB增益和41 dBm输出三阶截取点(OIP3),采用工业标准,全模压4x4mm QFN封装。封装放大器由三级功率放大器和集成的温度补偿片上功率检测器组成。
XP1042-QT封装Ku波段驱动放大器,工作频率范围为12.0-16.0 GHz。该器件在整个频段提供21 dB增益和38 dBm输出三阶截取点(OIP3),采用工业标准,全模压3x3mm QFN封装。该器件包括片上ESD保护结构和DC旁路电容,以简化封装部件的实施和批量组装。
HMC-AUH256是一款Ka波段GaAs MMIC HEMT四级驱动放大器,工作频率范围17.5至41 GHz。 由于尺寸较小(1.93 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 HMC-AUH256在1 dB压缩点提供21 dB的增益和+20 dBm的输出功率,使用+5V的偏置电源(295 mA)。
XP1039-QJ是一款封装的线性C波段功率放大器,工作频率为5.6-7.1 GHz。该器件提供17 dB增益和48 dBm输出三阶截取点(OIP3)。封装放大器采用工业标准,全模压6 mm QFN封装,由两级功率放大器和集成的温度补偿片上功率检测器组成。
XP1035-QH是一款封装的C波段线性功率放大器,工作在5.9-9.5 GHz频段。该器件在整个频段内提供26 dB增益和39 dBm输出三阶截取点(OIP3),采用工业标准,全模压4x4mm QFN封装。封装放大器由三级功率放大器和集成的温度补偿片上功率检测器组成。
MACOM的Ka波段放大器XP1031-QK四级37.0-40.0 GHz SMD GaAs MMIC功率放大器具有25.0 dB的小信号增益和+35.5 dBm输出三阶截取。该MMIC采用M / A-COM Tech的GaAs PHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
MACOM的XP1018-BD四级37.0-42.0 GHz GaAs MMIC功率放大器具有26.0 dB的小信号增益和P1dB输出压缩点+25.0 dBm。该MMIC采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
K波段放大器芯片MAAP-118260是一款封装的线性功率放大器,工作频率范围为17.7 - 26.5 GHz。该器件提供28.5 dB增益和37.0 dBm输出三阶截取点(OIP3),输出P1dB超过28.5 dBm。该功率放大器采用无铅,完全模制的5 mm,24引脚QFN封装,由四级功率放大器和集成的片上功率和包络检测器组成。
MAAP-110150是一款封装的线性Ku波段功率放大器,工作频率范围为10.0 - 15.35 GHz。该器件通常提供30 dB增益和40 dBm OIP3,输出电压超过31 dBm P1dB。该功率放大器采用无铅,完全模制的5 mm QFN封装,由3级功率放大器和集成的片上峰值功率检测器和包络检波器组成。
MAAP-018260是一款K波段封装的线性功率放大器,工作频率范围为17.7 - 26.5 GHz。该器件提供27 dB增益和40 dBm OIP3,输出电压超过30 dBm P1dB。该功率放大器采用无铅,完全模制的5 mm QFN封装,由四级功率放大器和集成的片上功率和包络检波器组成。
X波段放大器雷达15W功率放大器MAAP-015036,是一款两级GaAs MMIC功率放大器,工作频率为8.5 - 10.5 GHz,饱和脉冲输出功率为42 dBm,大信号增益为18 dB。
雷达通信系统X波段功率放大器MAAP-015030,两级8.5 - 11.75 GHz GaAs MMIC功率放大器具有41dBm的饱和脉冲输出功率,21dB的大信号增益和40%的功率附加效率。
Ka波段雷达宽带功率放大器MAAP-015016-DIE,是一款工作频率为32至38 GHz的宽带功率放大器,饱和输出功率为37 dBm,PAE为23%,信号增益小,为18 dB。
MAAP-011298是一款2.3瓦,4级Ka波段功率放大器,采用无铅5 mm 32引脚AQFN塑料封装。该功率放大器工作在27至31.5 GHz,提供24.5 dB线性增益,2.3 W饱和输出功率和26%效率,同时偏置电压为6 V. MAAP-011298可用作功率放大器级或驱动级更高功率的应用。
CMD292是宽带GaAs MMIC分布式驱动器放大器芯片,工作频率范围为DC至30 GHz。该放大器提供13 dB的增益,相应的输出1 dB压缩点为+27 dBm,输出IP3为33 dBm(15 GHz)。CMD292采用50欧姆匹配设计,无需RF端口匹配。
L波段放大器简介:根据IEEE 521-2002标准,L波段是指频率在1-2 GHz的无线电波波段(波长300.00 - 150.00 mm),L波段功率放大器芯片/模块在应用方面有电子战(EW)、个人电脑基站、GPS应用、MMDS、无线局域网中继器、14V应用、多频段VSAT、蜂窝基础设施基站等用途。
采用并联独立偏置门的带OIP3>50dBm的S波段GaN LNA,aN器件具有与GaAs器件相当的噪声系数,同时能够承受非常高的输入驱动器。本文介绍了2~4GHz(S波段)Pout~37dBm的GaN低噪声放大器(LNA)、1.8~3.5dB噪声系数(NF)和48~54dBm输出参考三阶截距点(OIP3)的设计。
GaN LNA中脉冲恢复时间的研究,基于我们之前关于脉冲恢复测试的博客,我们提供了具有5至9 GHz带宽的市售GaN MMIC放大器的脉冲恢复时间测量。放大器组装成金属外壳,2.4 mm连接器用于连接测试设备。
GaN LNA中脉冲恢复时间,氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)因其高击穿电压和处理高RF功率的能力而以其在微波和毫米波功率放大器中的使用而众所周知。最近,GaN技术也被用于在微波区域中创建低噪声放大器(LNA),因为GaN的噪声特性与其他半导体材料类似,最值得注意的是砷化镓(GaAs)。
AMCOM的AM000 0100PM-BT是宽带偏置TEE。在0.05GHz~10.0GHz频段内,该电路插入损耗小于1.0dB,VSWR优于1.4:1。AM000100PM-BT是在一个小型铝外壳与射频输入和输出SMA连接器。偏置三通可以处理约1瓦的RF功率和可以有多达2.5A的直流电流。
AMCOM的AM00011040TM-CM-R是一个宽带SPDT的T/R电源开关在CM封装。在0.05~11.0GHz频段内,其插入损耗小于2.5dB,优于2:1VSWR。这种T/R开关在发射模式(TX ON)下可以处理多达15W的RF功率,在接收模式(RX ON)下可以处理多达1W的RF功率。
AMCOM的AM000100CP - 20是一种双向双向耦合。It has 2.5DB插入loss and 21 DB耦合到0.002 to 10ghz Band .与SMA连接器有关的AM000100CP - 20在铝合金中的包装
AMCOM的AM0001000-20是一种双向双向耦合器。它有3到5DB插入LOSS和21 DB耦合到0.002到10Ghz Band。本发明的A000100DP - 20是在一个与SMA连接的铝管中包装的。
AMCOM的AM0040PM-VVP是一个连接的,完全匹配的电压控制相位移相器模块。它具有从2到5 GHz的宽的频率范围。该控制简单地通过改变0至25伏特的直流输入电压(Vctrl)来实现。