Qorvo的TGA2218-SM是一款封装的Ku波段高功率MMIC放大器,采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺制造。TGA2218-SM的工作频率为13.4 - 16.5 GHz,提供超过12 W的饱和输出功率,23 dB的大信号增益和超过29%的功率附加效率。
Qorvo的TGA2218是一款Ku波段高功率MMIC放大器,采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC工艺制造。TGA2218的工作频率为13.4 - 16.5 GHz,提供超过12 W的饱和输出功率,23 dB的大信号增益和超过28%的功率附加效率。
2.5 Gbps AGC前置放大器,具有自动增益控制(AGC)的M02015互阻放大器(TIA)采用亚微米CMOS制造,具有高性能。通过典型的9k欧姆差分阻抗和输入参考噪声280na,可实现-26 dbm的灵敏度。
2.5 Gbps AGC高灵敏度前置放大器,具有自动增益控制(AGC)的M02014互阻抗放大器(TIA)采用亚微米CMOS制造,具有高性能。通过13k欧姆差分的典型跨阻抗和253na的输入参考噪声,可实现-26dbm的灵敏度。
MACOM的XP1019-BD三级17.0-24.0 GHz GaAs MMIC缓冲放大器具有18.0 dB的小信号增益,在大部分频段内具有+27.0 dBm P1dB输出压缩点。该器件还包括一个片上温度补偿输出功率检测器。该MMIC采用MACOM的GaAs PHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
MACOM的XP1017-BD两级30.0-36.0 GHz GaAs MMIC功率放大器针对线性操作进行了优化,三阶交调截点为+33.0 dBm。该器件还包括Lange耦合器,以实现良好的输入/输出回波损耗和片上温度补偿输出功率检测器。
MAAP-015035是一款三级8.5 - 11.5 GHz GaAs pHEMT MMIC功率放大器,能够实现41 dBm的饱和脉冲输出功率和36dB的小信号增益。可以使用直接栅极电压或使用片上栅极偏置电路直接偏置功率放大器的栅极端子。
MAAP-015024三级14.5 - 17.5 GHz GaAs MMIC功率放大器的饱和脉冲输出功率为39 dBm,信号增益小,为20 dB。功率放大器必须直接偏置在芯片的两侧。该MMIC采用MACOM的GaAs pHEMT器件技术,基于光学栅极光刻技术,确保高重复性和均匀性。
我们很高兴地宣布,我们的标准化GaAs和GaN设计目录已达到150多种器件。最新产品包括:超宽带0.5W分布式驱动放大器,工作频率为DC - 30 GHz,线性度高; 具有40 GHz选项的新型数字衰减器系列,覆盖DC-18 GHz的宽带开关,5位移相器,高IP3混频器,低相位噪声放大器(LPNA )以及业界领先的0.5 dB低噪声放大器(LNA) )。
为任何RF设计师实现尺寸,重量,性能和成本(SWaP-C)目标都是一项挑战。因此,对于设计师进入太空的额外距离,Custom MMIC提供了两个可以减轻负载的简报。
我们的在线易于使用的级联分析计算器 允许您在系统中的每个组件的输入或输出规格之间进行选择。该计算器旨在分析多达十个阶段,提供了一种简单而强大的方法来分析多组件系统的级联增益,噪声系数,压缩点和线性度。
MACOM的E波段功率放大器MAAP-011106 E-Band功率放大器非常适合小型蜂窝无线回程基础设施,可实现1 Gbps或更高的数据速率,以满足不断增长的数据需求,特别是在人口稠密的城域环境中。
MAAP-010516是一款封装的线性功率放大器,工作频率为12.7 - 13.3 GHz。该器件提供23 dB增益和42 dBm输出三阶截取点(OIP3),输出为34 dBm P1dB。封装放大器采用工业标准,完全模制的5 mm QFN封装,由三级功率放大器和集成的温度补偿片上功率检测器组成。
MAAM-011167是E波段中功率放大器裸片,工作频率为71 - 86 GHz。放大器提供18 dB的小信号增益。输入和输出与50 O相匹配,键合线连接到外部电路板。
MAAM-011139是一款Ka波段驱动放大器,采用无铅4 mm 24引脚PQFN塑料封装,工作频率为27.5 - 33.4 GHz。放大器提供21 dB的小信号增益。输入和输出内部匹配50欧姆,带有片上隔直电容。
MAAM-011117为75欧姆客户端设备(CPE)提供高增益,低噪声和低失真放大。MAAM-011117具有省电功能,可将待机操作的总电流消耗降至4 mA以下。
MAAM37000-A1G(MAAM37000-A1)是一款宽带,C波段低噪声MMIC放大器,采用小型无铅8引脚陶瓷封装。它包括两个集成增益级,并采用串联电感反馈,以在整个频段内获得出色的噪声系数和良好的50 O输入和输出阻抗匹配。
MAAM71200芯片是一款宽带X波段低噪声MMIC放大器。它包括两个集成增益级,并采用串联电感反馈,以在整个频段内获得出色的噪声系数和良好的50 O输入和输出阻抗匹配。MAAM71200采用+4 V单电源供电。
宽带X波段低噪声GaAs MMIC放大器MAAM71200-H1,采用无引线陶瓷封装。MAAM71200-H1是MAAM71200低噪声MMIC放大器芯片的封装版本。完全单片设计在50?无需外部组件。MAAM71200-H1非常适用于使用导线或带状连接进行互连的微带组件。
毫米波点对点无线电Ka波段低噪声放大器XL1000-BD,具有20 dB的小信号增益,整个频段的噪声系数为2 dB。该MMIC采用GaAs pHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
MACOM的三级平衡20.0-36.0 GHz GaAs MMIC K波段Ka波段低噪声放大器具有23.0 dB的小信号增益,整个频段的噪声系数为2.6 dB。该MMIC采用MACOM的GaAs pHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
C波段XL1007-QT封装3.5至8.0 GHz低噪声放大器,采用表面贴装3x3 QFN封装。该器件采用自偏置单电源设计,具有12 dB增益和2 dB噪声系数。该MMIC使用MACOM的光学pHEMT工艺。
K波段Ka波段低噪声放大器XL1010-QT,具有17.0 dB的小信号增益,噪声系数为3.0 dB。该器件采用符合RoHS标准的3x3mm QFN封装,仅需一个正偏置电源。该器件采用MACOM的GaAs pHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
XL1010-BD低噪声放大器Ka波段,三级20.0-38.0 GHz GaAs MMIC低噪声放大器具有17.0 dB的小信号增益,噪声系数为3.0 dB。该器件采用MACOM的GaAs pHEMT器件模型技术,基于电子束光刻技术,确保高重复性和均匀性。
MACOM的MSS40,000系列肖特基二极管采用N-Type外延衬底制造,采用专有工艺,可产生业内最高的FCO。每个二极管的LO功率为0 dBm至+6 dBm,可获得最佳混频器性能。
MAAM37000芯片C波段低噪声MMIC放大器,它包括两个集成增益级,采用串联电感反馈,在整个频段内获得出色的噪声系数和良好的50 O输入和输出阻抗匹配。
MAAM-011229是一款S波段低噪声放大器L波段宽带高动态范围,单级MMIC LNA,采用无铅2 mm 8引线PDFN塑料封装。该放大器内部匹配,无需任何外部匹配元件即可提供平坦增益和3.25 GHz的出色回波损耗。
MACOM的MAALSS0048是一款高动态范围,GaAs MMIC,低噪声放大器,采用无铅SOT-26微型表面贴装塑料封装。它采用外部输入匹配,以获得最佳噪声系数性能和工作频率灵活性。MAALSS0048还具有灵活的偏置功能,可控制电流消耗与动态范围权衡。
MACOM的MAALSS0042是一款L波段高性能GaAs MMIC低噪声放大器,采用无铅SOIC 8引脚表面贴装塑料封装。MAALSS0042采用单片3级自偏压设计和简单的外部匹配网络,以获得最小的噪声系数。
MAAL-011141-DIE是一款易于使用的宽带低噪声分布式放大器芯片。它工作在DC至28 GHz,在8 GHz时提供17 dB的线性增益,16 dBm的P1dB和1.4 dB的噪声系数。