AM005WN-BI-G-R/AM005WN-BI-R分立射频晶体管代理现货

发布时间：2019-02-20 14:32:24 浏览：1682

说明

AMCOM的AM005WN-BI-R是一个分立的GaN/SiC HEMT，总门宽为0.5毫米。它是一个陶瓷封装，最高工作12千兆赫。Bi系列采用特殊设计的陶瓷封装，带有弯曲（Bi-G）或直（Bi）引线，采用嵌入式安装方式。包底部的法兰同时用作直流接地、射频接地和热通道。本部分符合RoHS。

品牌	型号	货期	库存
AMCOM	AM005WN-BI-G-R AM005WN-BI-R	1周	100

如若您需要购买AM005WN-BI-G-R/AM005WN-BI-R，请点击右侧客服联系我们！！！

特征
高达12GHz的高频操作
增益=15db，p5db=33.5dbm，pae=51%，漏极=56%@3GHz
表面安装

有效排热的底层

应用
高动态接收器
移动无线基站
宽带和窄带放大器
雷达
试验仪器
军事

干扰机

示意图

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: AM07512041WN-SN-R/AM07512041WN-00-R功率放大器芯片代理现货