RF-LAMBDA具备高性能主、被元器件的尺度产品和定制服务,产品行业包含无线通讯、卫星通讯、医疗服务和国防安全等。RF-LAMBDA被元器件有环形器,隔离器,衰减器,,负载终端,耦合器,功分器,过滤器,双工器和适配器,RF-LAMBDA主元器件有射频开关,低噪声放大器,功率放大器,数字衰减器,移相器,检波器,限幅器和转换器。
GaAs MMIC放大器指的是应用砷化镓半导体材料制造实现的,它在600℃以内,能在空气中保持稳定存在,而且不被非氧化性的酸浸蚀。因此GaAs MMIC放大器始终向着高频率、大功率和低噪声的方面快速发展。因为GaAs原材料的导热系数仅有Si的四分之一,其半导体元器件的可靠性就变得十分明显。GaAs MMIC放大器具备微小化,重量轻,成本低和高可靠性等优势。
RF-LAMBDA是全世界技术领先的射频微波与毫米波通信元器件制造厂商,RF-LAMBDA作为RF射频宽带处理方案的领航者,RF-Lambda供应广泛性的高端RF模块,控制模块和操作系统-从RF固态功率放大器和低噪音放大器到RF电源开关,移相器和衰减器。依靠RF-LAMBDA的RF控制系统设计中的微处理器和FPGA作用,RF-LAMBDA的产品被普遍用作高功率观测站,相控阵操作系统和射频宽带干扰操作系统。应用领域包括:无线基础设施建设,RF检测设备,国家防御和航空航天。
通常情况下,Custom MMIC最先进性的RF/微波射频系统设计和子组件在规格上受限,而且规定比目前技术应用更强的线性度。Custom MMIC致力于供应GaN和GaAs RF功率放大器(PA),满足需要RF/微波射频系统的这类极高功率和高线性需求量,与此同时供应具备宽带宽的中小型裸片和表面贴装(SMT)MMIC封装。
AMCOM在调频发射机的前级电源电路中,调配振荡电路所造成的射频信号额定功率较小,还要通过一系列的扩大一缓解级、中间扩大级(驱动级放大器)、末级功率放大电路级,获取充足的射频输出功率以后,才可以馈送到无线天线上辐射出去。
SOUTHWEST的SuperSMA是一款超高性能的现场服务SMA连接器。SuperSMA充分利用了基本的PTFE介电端口(真正的SMA),并具备低VSWR模式(在27GHz标准内自由工作)和低于-100dB的RF泄漏。SOUTHWEST厚的外导体壁具备优异的耐用性,可保证 反复搭配的可靠性,进而提升了组件的性能指标。SuperSMA端口符合MIL-STD-348。
ANDON为美国知名CCD插座连接器生产商,工厂工艺流程符合ISO9001标准,其产品应用在PCB板上,更方便CCD传感器的拔插和升级更换,同时完美地保护昂贵的CCD产品不被损坏。
CustomMMIC在需用跨宽带宽的高动态范围的宽范围应用领域中,CustomMMIC的宽带分布式放大器在产品质量和安全可靠性方面表现出色,甚至是超出了预期。这类分布式MMIC放大器中有几个提供正增益斜率和单个正电压,因此无需大型,复杂且昂贵的偏置和配对电源电路。其它功能包括:DC-50GHz(从UHF到X和K,再到V频段)覆盖面积,50欧姆配对设计和高动态范围。
SOUTHWEST西南微波公司成立于1981年,为毫米波和高功率射频应用领域提供最高的使用性能的互连产品。SOUTHWEST产品以高性能、高精密为技术应用优势,广泛运用于测试、航天军工等项目。如各种类型毫米连接器、线缆等。
AMCOM射频微波主要供应的产品是分离组件FET、MMIC功率放大器、带有射频和直流连接器的高功率放大器模块等。全部产品由AMCOM自主研发设计,也能够根据客户的需要定制。AMCOM的产品频率从10MHz-12GHz,功率从100mW-20W,增益20-30dB,效率30-40%。目前,AMCOM射频微波已研发国内合流的砷化镓、氮化镓等系列化的产品。
AMCOM标准SSPA模块充分利用同相合成的工作原理,使高功率放大器的最大输出功率大幅提高,现阶段,C波段可达3KW,Ku波段也达到了1KW。AMCOM标准SSPA模块只要有一个功能模块出现故障,也仅使输出最大功率下降几个分贝,不至于造成信号的中止。
AMCOM成立于1996年,是美国的一家射频元器件设计生产公司,AM-COM公司提供电力场效应晶体管,MMIC功率放大器,以及大功率放大器模块与射频无源器件。 AMCOM紧凑型SSPA模块的频率在0.01-40GHZ之间,SSPA全称solid-state power amplifier (固态功率放大器),运用范围较广泛,分别使用在雷达、固定微波回程、仪器和测量、军事和航空航天等领域,该系列紧凑型SSPA模块具有紧凑、重量轻、尺寸和尺寸小等特点。
Custom MMIC开发了高性能的GaAs和GaNRF/微波射频超低噪声放大器(LNA),以实现对低偏置电流值,低偏置电压,极低噪声系数,高增益和宽带工作中的严苛设计要求。Custom MMIC低噪声放大器的工作频率为2至45GHz(L至Q频率段),并选用超小型裸片和小型QFN封装。GaAs和GaN MMIC LNA的微波射频频率噪声系数低至0.6dB,主要用于高灵敏度的SATCOM和雷达应用领域,并致力于具有高适应能力的RF/微波射频军事和航空无线通信设计而设计。LNA的其它基本功能包括单正偏置电源和20dBm的输入功率处理。
AMCOM射频微波为全世界客户提供高功率晶体管、MMIC功率放大器等芯片与模块产品。AMCOM产品,以宽带放大器芯片为特色,极佳的线性曲线,持续性稳定,广泛使用于卫星通信、雷达、航空、仪表、基站等领域。
X3C19P1-04S是一个低剖面,高性能4dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它是为DC、WCDMA、LTE和PC应用而设计的。X3C19P1-04S是专为高功率放大器中的非二进制拆分和合并而设计的,例如与3dB一起使用以获得3路,以及需要低插入损耗的其他信号分配应用。它可用于高达70瓦的大功率应用。
X3C19F1-20S是一个低剖面,高性能20dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它专为AMPS、GSM、WCDMA和LTE频段应用而设计。X3C19F1-20S是专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧幅相平衡的应用而设计的。它可以用于25瓦以下的大功率应用。
X3C19P1-05S是一个低剖面,高性能5dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它是为DC、WCDMA、LTE和PC应用而设计的。X3C19P1-05S是专为高功率放大器中的非二进制拆分和合并而设计的,例如,与3dB一起使用以获得3路,以及其他需要低插入损耗的信号分配应用。它可用于高达70瓦的大功率应用。
X3C19E2-20S是一个低剖面,高性能20dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它是为DCS、PCS、WCDMA和LTE波段应用而设计的。X3C19E2-20S是专为功率和频率检测以及VSWR监测而设计的,在那里需要紧密控制耦合和低插入损耗。它可用于高达225瓦的大功率应用。
X3C09P2-30S是一个低剖面,高性能30dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它专为AMPS、GSM、WCDMA和LTE频段应用而设计。X3C09P2-30S专为功率和频率检测以及VSWR监测而设计,在这种情况下,需要紧密控制耦合和低插入损耗。它可用于高达225瓦的大功率应用。
X3C09P1-05S是一个低剖面,高性能5dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它是为安培应用而设计的。X3C09P1-05S专为高功率放大器中的非二进制拆分和合并而设计,例如与3dB一起使用以获得3路,以及需要低插入损耗的其他信号分配应用。它可用于高达70瓦的大功率应用。
立维创展代理EMCTechnology&FloridaRFs,EMCTechnology&FloridaRFLabs是国际公认的薄膜和厚膜射频和微波电阻器件、信号分发产品和电缆组件开发和制造领域的领先企业。我们的客户涵盖通信、军事、广播设备、航天、航空、医疗设备以及测试和测量市场。我们的产品包括固定和温控温度可变衰减器、负载、RF电阻、混合3dB混合电路和定向耦合器、RF/微波电缆组件和智能检波器温度传感负载。
X3C09P1-04S是一个低剖面,高性能4dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它是为DC、WCDMA、LTE和PC应用而设计的。X3C09P1-04S是专为高功率放大器中的非二进制分裂和合并而设计的,例如,与3dB一起使用以获得3路,以及其他需要低插入损耗的信号分配应用。
X3C09F1-20S是一个低剖面,高性能20dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它专为AMPS、GSM、WCDMA和LTE频段应用而设计。X3C09F1-20S是专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧幅相平衡的应用而设计的。
X3C09E2-20S是一个低剖面,高性能20dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它专为AMPS、GSM、WCDMA和LTE频段应用而设计。X3C09E2-20S是专为功率和频率检测以及VSWR监测而设计的,在这里需要紧密控制耦合和低插入损耗。
X3C07P1-04S是一个低剖面,高性能4dB定向耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。它是为DC、WCDMA、LTE和PC应用而设计的。X3C07P1-04S是专为高功率放大器中的非二进制分裂和合并而设计的,例如,与3dB一起使用以获得3路,以及其他需要低插入损耗的信号分配应用。
X3C07F1-02S是一个低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一个新的易于使用,制造友好的表面安装包。X3C07F1-02S是专为平衡功率和低噪声放大器、信号分配和其他需要低插入损耗和紧密振幅和相位平衡的应用而设计的。它可以用于25瓦以下的大功率应用。零件经过严格的鉴定测试,并使用热膨胀系数(CTE)与常见基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亚胺)兼容的材料制造。采用符合6/6 RoHS标准的浸锡处理工艺生产。
JP520S Pico-Xinger是一款轻薄的微型20dB定向耦合器,采用易于使用的表面贴装封装,专为UMTS和WCDMA应用而设计。JP520用于功率和频率检测以及功率注入。JP520是无线工业对小型印刷电路板和高性能不断增长的需求的理想解决方案。零件经过严格的鉴定测试,单元100%测试。它们是用x和y热膨胀系数与普通基板兼容的材料制造的。
JP510S Pico-Xinger是一款轻薄的微型10dB定向耦合器,采用易于使用的表面贴装封装,专为UMTS和WCDMA应用而设计。JP510S用于功率和频率检测以及功率注入。JP510S是无线行业对小型印刷电路板和高性能不断增长的需求的理想解决方案。零件经过严格的鉴定测试,单元100%测试。它们是用x和y热膨胀系数与普通基板兼容的材料制造的。
JP506S是一种低剖面6dB定向耦合器,采用易于使用的表面安装包,覆盖WCDMA和其他3G应用。JP506S非常适合于用于功率注入的内联分离/组合放大器,可用于大多数高功率设计。零件经过严格的鉴定测试,单元100%测试。它们是用具有x和y热膨胀系数的材料制造的,这些材料与诸如FR4、G-10和聚酰亚胺等常见基板兼容。
DC4859J5005AHF是一款低成本、低剖面的超小型高性能5分贝定向耦合器,采用符合RoHS标准、无卤素表面贴装封装。它专为4700-5900MHz的应用程序设计,包括:WiFi和P2P/P2MP应用程序。DC4859J5005AHF是功率检测、信号注入和其他需要低插入损耗信号监测的应用的理想选择。