​CGHV60170D-GP4高电子迁移率晶体管

2024-11-18 17:03:20

CGHV60170D是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比较，GaN具备优异的性能；包含较高的击穿场强；

​CHA8710-QDB X波段高功率放大器

2024-11-18 17:01:13

CHA8710-QDB是款频率在8.5至10.5GHz之间的两级高功率放大器，一般具备25W的饱和输出功率和41%的功率附加效率。

​GTRA184602FC-V1 L波段高功率放大器

2024-11-18 16:59:36

GTRA184602FC是款460瓦（P3dB）GaN-on-SiC HEMT D模式放大器，致力于多标准蜂窝状功率放大器技术应用需求设计。其具备输入匹配、高效率和无轴环热增强封装的特性。

​QPA9822 S,C波段驱动放大器

2024-11-15 17:10:49

QPA9822是款宽带宽、高增益和高线性度的驱动放大器。在3.5GHz下具备39dB增益值，高达28dBm的P1dB。QPA9822通常用于解决宽带宽5G NR瞬时信号频率，使其特别适合mMIMO技术应用。

​AM002509XD-P3无源双平衡混频器

2024-11-15 17:08:26

AMCOM的AM002509XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，其LO驱动电平范围在+10dBm至+16dBm。

RFLUPA00G22GA L波段宽带功率放大器RF-LAMBDA

2024-11-14 17:36:30

RF Lambda的RFLUPA00G22GA 是L波段宽带功率放大器，通常用在各种各样无线通信系统和国防军事应用领域，RFLUPA00G22GA频率范围在0.01000至22.000GHz。

CMD240C4 L,S,C,X, Ku, K波段分布式放大器

2024-11-14 17:33:47

Qorvo的CMD240C4是款宽带GaAs MMIC分布式放大器，使用无导线4x4mm表面贴装技术封装。

RLC Electronics微型超平面肖特基探测器

2024-11-14 17:31:40

​RLC Electronics的微型超平面探测器选用零偏压肖特基设计方案。微波功率电容耦合到极低的器件，降低了封装不足和过度分配。

CHA5115-QDG X波段中功率放大器

2024-11-14 17:28:49

​CHA5115-QDG是UMS的一款致力于X波段设计与应用的单片两级GaAs中功率放大器。CHA5115-QDG通常情况下具备28dBm的输出功率，在3dB增益压缩下具备30%的功率附加效率。

WS1A2639-V1-R3K S波段功率放大器CREE

2024-11-14 17:26:18

WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非对称多赫蒂功率放大器模块（PAM），将GaN on SiC技术应用和现代化的匹配和偏置电压网络集成在具备高端散热系统的多层层压基材上。

​QPA9122M S,C波段驱动放大器

2024-11-13 17:21:11

QPA9122M是Qorvo的一款宽带、高增益和高线性度的驱动放大器。QPA9122M在2.6GHz中提供36.5dB增益值，峰值功率为27dBm P3dB。

​AM002507XD-P3 L,S波段无源双平衡混频器

2024-11-13 17:17:32

AMCOM的AM002507XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM002507XD-P3的LO驱动电平范围在+10dBm至+16dBm。

​Q10HA-9500R SMT定向耦合器

2024-11-12 17:11:59

Q10HA-9500R SMT定向耦合器是表面贴装器件（SMD），根据推荐的线路板布置进行全面优化调整。

​IS-2.500-M02射频隔离器2.3-2.7 GHz

2024-11-12 17:10:45

MECA所提供的IS-2.500-M02隔离器，选用SMA母连接器，均值额定功率为20瓦，频率范围为2.3-2.7 GHz，随时适用。提供适合IP 67标准的隔离器。

​2356带通滤波器KR Electronics

2024-11-12 17:09:44

KR Electronics 2356带通滤波器通常使用220 Hz到400 Hz的频率范围。2356带通滤波器具备3dB的衰减特性，通常使用SMA封装。

CHA8618-99F C,X,Ku,K波段高功率放大器

2024-11-12 17:08:32

CHA8618-99F是UMS的频段6 18GHz的单片GaN高功率放大器，具备适用于迅速转换的控制接口。CHA8618-99F具备42.5 dBm的输出功率。

GTRB226002FC-V1 S波段高功率RF GaN

2024-11-12 17:06:41

GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），应用在多标准蜂窝状功率放大器技术应用。

​QPA2225D Ka波段驱动放大器

2024-11-11 16:55:33

Qorvo的QPA2225D是款宽带MMIC驱动放大器，选用Qorvo制造的0.15 um GaN on SiC工艺技术（QGaN15）生产制造。QPA2225D包含28-38GHz，具备>0.4W的饱和输出功率和>23dB的小信号增益值。

​AM002212XD-P3 L波段无源双平衡混频器

2024-11-11 16:54:24

AMCOM的AM002212XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM002212XD-P3的LO驱动电平范围包括+14dBm至+20dBm。

01311-00A至01311-20A射频微波衰减器SemiGen

2024-11-08 17:11:24

SemiGen的01311-00A至01311-20A 射频微波石英衰减器焊层具备精准的电阻膜和高超的金属化，从而改善了性能参数。

​BX3118放大器API SAW Oscillators

2024-11-08 17:10:06

API SAW Oscillators的X3118功率放大器相位噪声、1 dB压缩和Intermods几乎都在10 MHz下检测的。S参数在300 kHz下检测。

​AB-x32A系列低G灵敏度的超低相位噪声VCO

2024-11-08 17:08:59

NEL Frequency Controls的AB-x32A系列低G灵敏度的极低相位噪声VCO特别适合在具有震动或加速度的环境下需要具备极低噪声系数的压控晶体振荡器（VCXO）的应用领域。

​CHA3063-99F C,X,Ku,K波段中功率放大器UMS

2024-11-08 17:07:31

CHA3063-99F是UMS的一款两级通用型单片中功率放大器。芯片底部是微波射频和直流接地。有利于优化安装过程。

​PXAE261908NF-V1 S波段高功率射频LDMOS FET

2024-11-08 17:05:23

PXAE261908NF-V1是CREE的一款240瓦（P3dB）LDMOS FET，适用于2515至2675 MHz频段的多标准蜂窝状功率放大器技术应用。

​QPA0022 C,X,Ku波段驱动器放大器

2024-11-07 17:08:57

Qorvo的QPA0022是款性能卓越驱动放大器，选用Qorvo制造的0.15 um pHEMT工艺技术（QPHT15）生产制造。

​AM001513XD-P3 L波段无源双平衡混频器

2024-11-07 17:07:45

​AMCOM的AM001513XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM001513XD-P3的LO驱动电平范围在+14dBm至+20dBm。

UTE Microwave铁氧体环行器

2024-11-06 17:19:55

CT-2004-O/ CT-2003-N是UTE Microwave的倍频带铁氧体环行器，倍频程为1-2GHz。机壳宽度为2-1/4 x 2-1/4 x 1（英寸），拓展的八度音阶减少了尺寸规格。

ATM Microwave带同轴输入的标准增益喇叭天线

2024-11-06 17:18:51

ATM Microwave提供高品质的标准化增益喇叭天线，具备线型极化、质量轻和抗腐蚀性。

93(x)系列有源倍频器Mi-Wave

2024-11-06 17:17:44

Mi Wave的93（x）系列有源倍频器充分利用性能卓越MMIC芯片实现倍频和扩大。

​CHA3664-QAG C,X,Ka,K波段中功率放大器UMS

2024-11-06 17:15:56

CHA3664-QAG是UMS的一款两级通用型单片中功率放大器。致力于从国防军事到商业服务通讯系统的普遍使用需求设计。