​CMPA0060002D射频放大器CREE

发布时间：2024-12-02 17:14:36     浏览：366

CMPA0060002D是一种带有氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能，包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CMPA0060002D使用分布式（导波）放大器设计思路，能够在更小的占用面积内实现极宽的带宽。

CMPA0060002D.png

特征

•17 dB小信号增益值

•2 W典型PSAT

•额定电压高达28V

•高击穿场强

•高温度使用

•尺寸0.169 x 0.066 x 0.004英寸

应用

•超宽带放大器

•光纤线驱动器

•测试设备

•EMC放大器驱动器

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