​NBB-310级联宽带GaAs MMIC放大器

2024-12-11 17:15:58

Qorvo的NBB-310级联宽带InGaP/GaAs MMIC放大器是种成本更低、性能卓越的解决方案，能够满足通用型射频和微波放大器使用需求。

​AM012509XD-P3无源双平衡混频器

2024-12-11 17:14:48

AMCOM的AM012509XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM012509XD-P3的LO驱动电平范围在+10dBm至+16dBm。

​CHA2193-99F K,Ka波段低噪声放大器

2024-12-10 17:10:14

CHA2193-99F是款三级低噪声放大器。芯片的背面是射频和直流接地。有利于优化安装过程。CHA2193-99F致力于从国防军事到商业服务通讯系统的普遍使用需求设计。

1200V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-10 17:09:20

CREE的1200 V碳化硅（SiC）MOSFET系列对应高功率应用进行优化，如应急电源（UPS）、电机控制系统和驱动器、开关电源电路、储能设备、新能源电动车快充、高压DC/DC转换器等。

​2413带通滤波器KR Electronics

2024-12-09 17:08:22

KR 2413是一个400Hz带通滤波器。通常适用于PCB封装，其他通带频率均可用。

​SemiGen电感器线圈

2024-12-09 17:07:33

SemiGen的电感线圈通常是在石英基板上采用薄膜工艺制造的。高精密光刻技术和非化学蚀刻技术提供整洁的边缘，以保障电磁线圈之间的均匀度。

​AN-x3A低G灵敏度的超低相位噪声VCO

2024-12-09 17:06:20

NEL Frequency Controls的AN-x3A低G灵敏度的超低相位噪声特别适合在具有震动或加速度的条件下需要具备超低相位噪声的压控晶体振荡器（VCXO）的应用。

​NBB-300级联宽带GaAs MMIC放大器

2024-12-09 17:04:33

Qorvo的NBB-300级联宽带InGaP/GaAs MMIC放大器是种成本更低、性能卓越的解决方案，能够满足通用型射频和微波放大器使用需求。

​AM011714XD-P3无源双平衡混频器

2024-12-09 17:02:47

AMCOM的AM011714XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM011714XD-P3 LO驱动电平范围包括+14dBm至+20dBm。

​CHA5350-99F Ku,K波段中功率放大器

2024-12-06 17:04:07

CHA5350-99F是一种四级单片MPA，通常是在1dB增益值压缩下具备26.5dBm的输出功率，与34dBm的高IP3输出相关。

650V、750V和1200V E系列分立碳化硅功率MOSFET CREE

2024-12-06 17:01:52

CREE通过发布碳化硅（SiC）MOSFET的E系列产品线，增加了CREE在碳化硅行业中的领先地位；汽车符合标准；具备PPAP性能和耐潮湿MOSFET。

​ATM Microwave同轴输入高增益喇叭天线

2024-12-05 16:45:12

ATM Microwave生产制造高质量的高增益喇叭天线，具备线性电极化、质量轻和抗腐蚀性。

​Mi-Wave射频宽带压控振荡器VCO

2024-12-05 16:44:15

Mi-Wave的840系列电压控制电源具备18至110Ghz的频率。射频宽带压控振荡器主要用作调配发射器或本地振荡器。常见的应用包括雷达探测、频偏源和电力网络。

CERNEX宽带台式放大器（低噪声和低功耗）

2024-12-05 16:42:59

CERNEX的宽带台式放大器通常用于各种通用型技术应用，如实验测试机械设备、仪器和其他应用。使用稳固的带状线系统结构，相结合所选择的GAsFET、PHEMT和MIMIC，实现安全可靠的运行。

AG302-63G射频放大器Qorvo

2024-12-05 16:42:06

Qorvo的AG302-63G是款通用型缓冲功率放大器，选用降低成本表面贴装技术封装，提供高动态范围。在900 MHz时，AG302-63G通常提供15.5 dB增益值、+26 dBm OIP3和+13.5 dBm P1dB。

AM011001XD-P3无源双平衡混频器

2024-12-05 16:41:08

AMCOM的AM001005XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM011001XD-P3的LO驱动电平范围包括+7dBm至+13dBm。

​CHA2090-99F Ku,K波段低噪声放大器

2024-12-04 17:07:06

CHA2090-99F是款三级自偏置宽带单片低噪声放大器。CHA2090-99F使用标准的0.25µm栅极尺寸pHEMT工艺技术，根据基材上的孔、空气桥和电子束栅极光刻技术。

​650V分立碳化硅MOSFET CREE

2024-12-04 17:05:57

CREE研发了第三代650V分立碳化硅，增加了碳化硅（SiC）技术的领先地位；实现更小；更简易；以及在更大范围电力系统中实现精准的电力转换。

​PS2-68/NF带状线2路电源分配器

2024-12-03 17:15:10

PS2-68/NF带状线2路电源分配器具备优异的规格参数，提供网络光纤频率范围、高隔离、低插入损耗、低VSWR、低频率和高功率解决方案。

​3814-15微型连续可变衰减器

2024-12-03 17:12:59

3814-15微型连续可变衰减器具备带紧固螺栓的非平移1/4“孔径轴。在短短20圈中实现全面衰减。

​DHM040BB零偏置肖特基二极管

2024-12-03 17:10:13

DHM040BB选用零偏置肖特基二极管用作检波器，具有结构紧凑、灵敏度高、反应速度快、谐振频率好、使用频段宽等优异性能

​TAT7472A1F射频放大器

2024-12-03 17:08:34

Qorvo的TAT7472A1F专门为有线数字电视应用需求设计的75Ω射频放大器，TAT7472A1F频率范围高达1218 MHz。

AM010505XD-P3-无源双平衡混频器

2024-12-03 17:06:02

AMCOM的AM010505XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM010505XD-P3的LO驱动电平范围包括+7dBm至+13dBm。

CHA4253-FAB Ku,K波段中功率放大器

2024-12-02 17:16:01

CHA4253-FAB是个四级单片GaAs中功率放大器电路，在1dB压缩点下提供23.5dBm的输出功率。CHA4253-FAB致力于广泛应用、商业领域、军事和商业服务通信系统需求设计。

​CMPA0060002D射频放大器CREE

2024-12-02 17:14:36

CMPA0060002D是一种带有氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能，包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。

​A2CP11049射频放大器Teledyne防务电子

2024-11-29 17:05:39

A2CP11049射频放大器是一款基于Teledyne防务电子制造高性能放大器，具备高至18.5 dB的增益值，低噪声系数为4dB，频率范围从6 GHz到11 GHz，采用标准Tray封装。

​开放式顶部QFP插座Ironwood

2024-11-29 17:04:24

当软件需要散热需求时，Ironwood的BGA插座应用冲压弹簧管脚（SBT）接触技术。SBT BGA插座直接安装在与SG或GT BGA插座一致的占用面积上。

​PCI Express 6.0的Xgig 6P4协议训练器

2024-11-29 17:03:08

PCI Express 6.0的Xgig 6P4协议训练器以 64 GT/s的速度形成 PCIe 6.0 数据流和响应，适用于数据测试与分析。

​TAT7467E1F射频放大器

2024-11-29 17:01:22

Qorvo的TAT7467E1F是款75Ω、充分集成化单模差分射频放大器，主要用于数字电视频段的中等功率技术应用。

AM003509XD-P3无源双平衡混频器

2024-11-29 17:00:06

AMCOM的AM003509XD-P3是款高IP3无源双平衡混频器，AM003509XD-P3的LO驱动电平范围在+10dBm至+16dBm。