CHA6652-QXG是种三级单片Gaas高功率电源电路,可形成2瓦的输出功率。CHA6652-QXG与可能性的增益控制高度线性,并搭载了功率探测器。包括ESD保护。
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是专门为高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益和宽带宽性能;促使CGH55030F1/CGH55030P1特别适合5.5–5.8-GHzWiMAX和BWA功率放大器应用。
Aeroflex设计和制作适用范围广的定制开发混频器和倍频设备,使射频微波可以从一种频率转换为另一种频率,或相乘以形成新的频率。
KRYTAR新式定向耦合器款型1100110010它提供行业中采用最普遍的频率覆盖范围。1100110010定向耦合器100GHz宽带宽维持平整10dB耦合5G市场的无线设计和其他测试和检测应用。
SOUTHWEST显现的信息表示两个0.9毫米SuperMini9mil针射频连接器采用1.85毫米插孔(F)到0.9毫米插头(M)适配器背对背检测,由于0.9毫米SuperMini接口校正要求不兼容。要获取带适配器的单独射频连接器的VSWR,需用取VSWR数据点的平方根,随后将插入损耗数据点除以2。
MACOM专注于增加低相位噪声(>150dBc/Hz@1kHz放大器产品组合用作形成检测、测量和防御中的重要信号。MACOM低相位噪声放大器填补NLTLGaAs梳状发生器系列产品。
Qorvo的CMD275是款宽带GaAs MMIC低相噪声放大器芯片特别适合国防军事、航空航天和通讯系统。在10GHz时,CMD275提供16dB的增益值、20.5dBm饱和输出功率和5.5dB噪声系数。
Qorvo的CMD274是款宽带GaAs MMIC低相位噪声放大器芯片,特别适合国防军事、航空航天和通讯系统。在10ghz时,CMD274提供17dB的增益值,+22dBm的饱和输出功率,3.2dB的噪音因子。
AMCOM的AM06013033MD-3H是款宽带砷化镓功率放大器模块,设计用作通用型应用领域。AM06013033MD-3H工作频率从6GHz到13GHz,通常提供2瓦(33dBm)的连续波输出功率和28dB的小信号增益值。
Custom MMIC的CMD247是种宽带(Ka,Q,U波段)GaAs MMIC低相位噪声射频/微波放大器(LPNA),特别适合国防军事,航空航天和通讯系统。在35GHz时,CMD247提供了13dB的增益值,+15dBm的饱和输出功率和5dB的噪音因子。
AMCOM的AM07512042MD-3H是款用作通用型应用的宽带GaN功率放大器模块。AM07512042MD-3H微波功率放大器芯片输出功率从7.5GHz到12GHz,通常提供15瓦(42dBm)的连续波输出功率和28dB的小信号增益值。
SemiGen射频/微波固定衰减器焊盘具备精准的电阻膜和优异的金属性能和完整性。SemiGen的领先薄膜技术使SemiGen组件具备完整的SMT组装侧封装和全面的接地反面,因为无需接地联接,因此容易联接。
CHA6362-QXG是种3级单面砷化镓大功率电源电路,可形成2.5瓦的输出功率。CHA6362-QXG集成了功率探测器并容许增益控制。包含ESD维护。
APITech提供了多种不同的的Powerfilm™芯片终端。这些表面贴装技术电阻器规定在终端和隔离器中损耗射频功率。芯片会在BeO,氮化铝,或碳化硅陶瓷上生产的薄或厚电阻器,依赖于所需要的规格型号。
Wolfspeed的CMPA5259025F专门为实现高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT);高增益;和宽带宽性能;从而使得CMPA5259025F特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259025F选用陶瓷/金属法兰封装。
Qorvo的CMD246是款宽带(C,X,Ku,K波段)GaAs MMIC低相位噪声射频/微波功率放大器(LPNA),特别适合国防军事,航空航天和通讯系统。在16GHz时,功率放大器提供17dB的增益值,+18dBm的饱和输出功率,3.5dB的噪音因子。
NEL Frequency Controls的ULPN VCXO 0629h压控晶体振荡器(VCXO)提供高频率LVDS互补性输出。能够禁止输出来测试自动化或组成多个时钟。ULPN VCXO 0629h压控晶体振荡器没有使用其他倍频,提供极低相位噪声、抖动和宽张力。
UTE Microwave雷达环流器适用于雷达应用的标准和定制设计环行器和隔离器UHF到X单结和双结配备提供波段。
ATM Microwave 7/16波导同轴直角适配器是比较常见的规格尺寸、材料及法兰盘订购部件。但是,7/16波导同轴直角适配器能够根据使用模型代码设备轻松满足客户需求。
JDSU的Smart Class Fiber OLTS-85/85P光损耗测试套件高效率简单易用的解决方案可将评估和审核时间减少一部分,同时推动管理实践的实施。
Teledyne防务电子提供具备模似和阀值制作的所有类别的探测器,输出功率范围包括10MHz至26GHz,具备优异的功率温度稳定性。
AMCOM的AM00010037MD-1H专为通用型设计应用的宽带GaN功率放大器模块。AM00010037MD-1H微波功率放大器芯片输出功率为0.05GHz至10.0GHz,一般提供5瓦(37dBm)的连续波输出功率和12dB的小信号增益值。
MegaPhase UltraPhase同轴电缆组件可实现高至110GHz的耐热稳定性,而不至于舍弃插入损耗和相位稳定性与曲折相比较。MegaPhase UltraPhase同轴电缆能够在宽阔的环境温度内兼具线性,在环境温度下并没有臭名昭著的PTFE“转折点”。
PULSAR提供4kHz至3GHz的功率分配器,选用标准化SMA母连接器的连接器封装形式。2 路功率分配器设计适用于解决1瓦输入功率。PULSAR集总元件2路功率分配器设计适用于50欧姆操作系统,包含VHF、UHF、Cell和PCS技术应用的频率。
UMS的CHA8610-99F 8.5和11是二级高功率放大器GHz一般具备15W的饱和输出功率和40%的功率增加效率。
UMS的CHA7114-99F是对X波段设计应用的单片二级GaAs高功率放大器。CHA7114-99F选用UMS0.25µm功率pHEMT工艺技术,包含根据基材与空气桥的通孔。
Wolfspeed的CMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC),处于碳化硅衬底上;采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较,SiC上的GaN性能更强;GaAs或GaNonSi;包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。
Wolfspeed的CGHV1J025D是高电压;氮化镓在碳化硅衬底上(GaN)晶体管具有较高的电子迁移率(HEMT);CGHV1J025D采用0.25-μm栅极尺寸的制作工艺。
ADI旁路、分集、矩阵与转换开关是具备非反射旁路开关的低噪声放大器(LNA),能在10MHz至8000MHz在宽频范围之内运行。ADI旁路、分集、矩阵与转换开关并提供2.8dB低噪声指数和34dBm高输出三介交调点(OIP三、能够实现高动态范围。
Qorvo的QPA0012D是款宽带网络MMIC根据控制门的低噪音分布式放大器AGC。裸片模式的LNA在2至22GHz在带宽上工作。QPA0012D特别适合需用超小型、功耗低的电子战和通信系统。