CMPA601C025 C波段功率放大器CREE

发布时间:2022-09-15 16:45:15     浏览:730

WolfspeedCMPA601C025以氮化镓为载体(GaN)晶体管具有较高电子迁移率(HEMT)单片微波集成电路(MMIC),处于碳化硅衬底上;采用0.25-μm栅极长度的技术工艺。与硅相比较,SiC上的GaN性能更强;GaAsGaNonSi;包含更高的击穿场强、更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si相比较,GaNHEMT还提供了更高的功率密度和更宽的频带宽度;GaAs;和GaNonSi晶体管。CMPA601C025无功功率配对放大器的设计思路能够实现非常宽的频带宽度。

特征

34dB小信号增益值

40W典型PSAT

电压高达28V

高击穿场强

应用

干扰放大器

检测设备放大器

宽带放大器

雷达放大器

CREE(科锐)成立于1987年,CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品,CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴,符合射频的需求,CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界,到微波射频与毫米波芯片产品,CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed,以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商,拥有CREE微波器件优势供货渠道,并长期库存现货,以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击:http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CMPA601C025D

GaN on SiC

6 GHz

12 GHz

25 W

32 dB

32%

28 V

MMIC Bare Die

Die

CMPA601C025F-AMP

GaN on SiC

6 GHz

12 GHz

25 W

33 dB

32%

28 V

Evaluation Board

Flange

CMPA601C025F

GaN on SiC

6 GHz

12 GHz

25 W

33 dB

32%

28 V

Packaged MMIC

Flange


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