CMD176P4是一款GaAs MMIC 4位移相器,采用无引脚4x4 mm塑料表面贴装(SMT)封装。CMD176P4工作频率范围为13至17 GHz,提供0至360度的单调相位覆盖,LSB为22.5度。RF /微波器件采用0或+3 V的单比特正逻辑控制,插入损耗为8 dB,相位误差为±5度。
CMD174P4是一款GaAs MMIC 5位移相器,采用无引脚4x4 mm塑料表面贴装(SMT)封装。CMD174P4工作频率为3至6 GHz,提供0至360度的单调相位覆盖,LSB为11.25度。移相器采用0或-3 V的单比特负逻辑控制,插入损耗为7.6 dB,相位误差为±2度。
CMD175P4是一款GaAs MMIC 5位移相器,采用无引脚4x4 mm塑料表面贴装(SMT)封装。CMD175P4工作频率为2至4 GHz,提供0至360度的单调相位覆盖,LSB为11.25度。该RF /微波器件采用0或-3 V的单比特负逻辑控制,插入损耗为7 dB,相位误差为±5度。
随着毫米波的商用产品不断出现,如微波回传和车载雷达等,与之匹配连接的柔性毫米波电缆组件的需求明显。通常电缆的强度和插损难以兼顾,而市场受限于各相关部件性能挑战和组装的难度,比如介质不良或导线折叠也会产生规律性的问题,而影响产品的电气性能。
CMD227C3是一款宽带MMIC GaAs x2无源倍频器,采用陶瓷QFN封装。当由+15 dBm信号驱动时,乘法器在23 GHz的输出频率下提供11 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别为38 dBc和49 dBc。
CMD256芯片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器。当由+15 dBm信号驱动时,乘法器在34 GHz的输出频率下提供15 dB的转换损耗。Fo隔离度为38 dBc。CMD256采用50欧姆匹配设计,无需RF端口匹配。
CMD226N3是一款宽带MMIC GaAs x2无源倍频器,采用陶瓷QFN封装。当由+15 dBm信号驱动时,乘法器在18 GHz的输出频率下提供10.5 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别为44 dBc和46 dBc。
CMD225C3裸片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器,采用无引脚表面贴装(SMT)封装。当由+15 dBm信号驱动时,乘法器在12 GHz的输出频率下提供13 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别> 47 dBc和> 54 dBc。
CMD213芯片是宽带MMIC GaAs x2有源倍频器MMIC。当由+ 17dBm信号驱动时,乘法器提供30至40 GHz的+17 dBm输出功率。在35 GHz时,Fo隔离度大于46 dBc。
CMD214芯片是宽带MMIC GaAs x2有源倍频器。当由+ 13dBm信号驱动时,乘法器提供从24到36 GHz的+17 dBm输出功率。在26 GHz时,Fo和3Fo隔离度分别> 32 dBc和> 25 dBc。
CMD227芯片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器。当由+15 dBm信号驱动时,乘法器在23 GHz的输出频率下提供11 dB的转换损耗。
CMD226芯片是宽带MMIC GaAs x2无源倍频器。当由+15 dBm信号驱动时,乘法器在18 GHz的输出频率下提供10.5 dB的转换损耗。Fo和3Fo隔离度分别为44 dBc和46 dBc。
CMD225芯片是宽带MMIC GaAs MMIC x2无源倍频器/倍频器。当由+15 dBm信号驱动时,该MMIC乘法器在12 GHz的输出频率下提供12 dB的转换损耗。
CMD257C4是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3 I / Q混频器,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD257C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。
CMD258C4是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3 I / Q混频器,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD258C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。
CMD255C3是一款通用双平衡混频器,采用无引脚表面贴装封装,可用于16至26 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD255C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD254C3是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3双平衡混频器,可用于11至20 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD254C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD253C3是一款采用无引脚表面贴装封装的高IP3双平衡混频器,可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD253C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD251C3是一款通用双平衡混频器,采用无引脚表面贴装封装,可用于4至8.5 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的巴伦结构,CMD251C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD252C4是一款紧凑型I / Q混频器,采用无引脚表面贴装封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD252C4采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。
CMD180是一款通用双平衡混频器,采用无引脚表面贴装封装,可用于20至32 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD180对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD261是一款通用双平衡混频器芯片,具有超宽IF带宽,可用于30至46 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD261对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD181是一款通用双平衡混频器芯片,可用于26至45 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD181对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+15 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD177是一款通用双平衡混频器芯片,可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD177对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD180C3是一款采用无引脚表面贴装(SMT)封装的通用双平衡混频器,可用于20至32 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的巴伦结构,CMD180C3混频器MMIX对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD179C3是一款采用无引脚表面贴装(SMT)封装的通用双平衡混频器MMIC,可用于16至26 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD179C3 MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD179是一款通用双平衡混频器MMIC芯片,可用于16至26 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD179混频器MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD178C3是一款采用无引脚表面贴装(SMT)封装的通用双平衡混频器MMIC,可用于11至20 GHz之间的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD178C3对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。
CMD183C4是一款紧凑型RF /微波I / Q混频器MMIC,采用无引脚表面贴装(SMT)封装,可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。CMD183C4 I / Q混频器采用两个双平衡混频器单元和一个90度混合器。需要外部IF混合来完成镜像抑制。
CMD177C3是一款通用型双平衡混频器,采用无引脚表面贴装封装,可用于6至14 GHz的上变频和下变频应用。由于优化的平衡 - 不平衡转换器结构,CMD177C3混频器MMIC对RF和IF端口具有非常高的隔离度,并且可以在低至+9 dBm的LO驱动电平下工作。