NPA1006是一款宽带GaN功率放大器,针对20 - 1000 MHz工作进行了优化。该放大器设计用于饱和和线性工作,输出电平为12.5 W(41 dBm),采用无铅6 x 5 mm 8引脚PDFN塑料封装。
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是一种宽带晶体管芯片,针对DC-3.5 GHz工作进行了优化。该器件支持CW,脉冲和线性工作,输出功率为45 W(46.5 dBm)。MATR-GSHC03-160150非常适用于国防通信,陆地移动无线电,航空电子设备,无线基础设施,ISM应用和VHF / UHF / L / S波段雷达。
MAGx-101214-500L00是一种金属化的匹配氮化硅(GaN)硅(Si)RF功率晶体管,针对脉冲L波段雷达应用进行了优化。MAGX-101214-500L0x采用耐热增强法兰陶瓷封装,具有出色的散热性能。与较旧的半导体技术相比,高击穿电压允许可靠和稳定的操作。
MAGe-102425-300S00是一款RF Energy功率晶体管,针对2400-2500 MHz频率工作进行了优化。该器件支持CW和脉冲操作,在工业标准气腔封装中输出功率为300 W(54.8 dBm)。MAGe-102425-300S00非常适合CW应用,是一种高效,精确的热源和电源。
MSPD1012-H50采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
MSPD1012-E50采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
MSPD1012-122系列表面贴装相位检测器采用MACOM经过验证的混合制造工艺制造,包括PIN,肖特基二极管和集成在陶瓷基板内的无源器件。薄型,紧凑的表面贴装元件(3.3 mm L x 2.8mm W x 1.5mm H)为带引线封装的类似芯片和导线分立器件提供卓越的RF和微波信号性能。
MSPD101x-121系列的产品是完全包含的采样相位检测器,每个包括一个光束引线硅步进恢复二极管,光束引线直流隔直电容器和一对安装在陶瓷上的光束引线系列三通低阻硅硅肖特基二极管基质。半导体和芯片电容器在陶瓷基板的顶侧用环氧树脂封装保护。
MSPD1011-122表面贴装相位检测器采用MACOM经过验证的混合制造工艺制造,包括PIN,肖特基二极管和集成在陶瓷基板内的无源器件。薄型,紧凑的表面贴装元件(3.3 mm L x 2.8mm W x 1.5mm H)为带引线封装的类似芯片和导线分立器件提供卓越的RF和微波信号性能。
采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
NPT25100B氮化镓28V/125W射频功率晶体管, 针对CW,脉冲,WiMAX,W-CDMA,LTE和2100 - 2700MHz的其他应用进行了优化,特点适用于高达32V的工作电压。
采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
MSPD1002-E50采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
MSPD1000-H50采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
MSPD1000-E50采样相位检测器(SPD)模块是一个混合电路,提供快速步进恢复二极管,耦合电容和低势垒肖特基对。肖特基对用作通过步进恢复二极管的快速步进导通的采样电路,或者在频域中,肖特基充当混频器以混合最接近微波频率的SRD步的谐波。
MAPS-011008是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器,集成CMOS驱动器,采用无铅4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°,提供从0°到360°的相移,步长为5.6°。该设计经过优化,可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。
MAPS-011007是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器,集成CMOS驱动器,采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°,提供从0°到360°的相移,步长为5.6°。该设计经过优化,可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。MAPS-011007非常适用于需要高相位精度且相移范围内损耗变化最小的场合。
MX8811H相当于一个高速11通道的8∶1多路复用器。双数据速率锁存器使11位差分数据输出的数据速率为时钟速率的两倍。输出驱动器的上拉电源VCCO可用于设置适合于最流行的高速接口标准,如CML或LVDS的输出电平。多路复用器可以以时钟速率>4 GHz工作。
MX4411H相当于一个高速11通道的4:1多路复用器。双数据速率锁存器使11位差分数据输出的数据速率为时钟速率的两倍。输出驱动器的上拉电源VCCO可用于设置适合于最流行的高速接口标准,如CML或LVDS的输出电平。多路复用器可以以时钟速率>4 GHz工作。
MX2412H相当于2:1多路复用器的高速12通道。双数据速率锁存器使12位差分数据输出的数据速率为时钟速率的两倍。输出驱动器的上拉电源VCCO可用于设置适合于最流行的高速接口标准,如CML或LVDS的输出电平。多路复用器可以是 时钟速率>4 GHz。
MX8811S是一个高速11通道的8∶1多路复用器。88个单端数据输入被多路复用到11位差分数据输出。输出驱动器的上拉电源VCCO可用于设置适合于最流行的高速接口标准,如CML或LVDS的输出电平。多路复用器可以以时钟速率>4 GHz工作。
MX4411D是一个高速11通道的4:1多路复用器。44个差分对数据输入被多路复用到11位差分数据输出。输出驱动器的上拉电源VCCO可用于设置适合于最流行的高速接口标准,如CML或LVDS的输出电平。多路复用器可以以时钟速率>4 GHz工作。
MX2412D是2:1多路复用器的高速12通道。24个差分对数据输入被多路复用到12位差分数据输出。输出驱动器的上拉电源VCCO可用于设置适合于最流行的高速接口标准,如CML或LVDS的输出电平。多路复用器可以以时钟速率>4 GHz工作。数字数据输入是具有片上100欧姆终端电阻的LVDS。
美国SignalCore提供SC800系列宽带连续波集成信号合成器,产品集成了多重锁相环、DDS、分频器,小型尺寸贴片式封装2”x1”,输出频率范围25MHz~6GHz,自带微处理器和驱动程序,极大地降低了设备通信设计复杂程度。
DS872是一种高速直接数字合成器(DDS),频率调谐分辨率为32位,ROM相位分辨率为13位,DAC幅度分辨率为11位。DAC的模拟输出可以在正常保持模式(对于第一奈奎斯特频带)和返回到零模式(对于第一、第二和第三奈奎斯特频带)操作之间进行选择。
DS875A是一种高速直接数字合成器(DDS),具有相位调制和幅度调制输入端口,设计用于直接极性调制或QAM应用。它具有24位的频率调谐分辨率,8位的相位调制输入和8位的幅度调制输入。内部ROM具有12位的相位分辨率,内部DAC具有11位的幅度分辨率。
DS875是一种带有调相输入端口的高速直接数字合成器(DDS)。它具有30位的频率调谐分辨率和11位的相位调制输入。内部ROM具有12位的相位分辨率,内部DAC具有11位的幅度分辨率。DAC的模拟输出可以在正常保持模式(第一)之间选择。
ds855是高速直接数字频率合成器(DDS)与一个32位频率调谐分辨率,11位相位调制输入和11位的幅度分辨率。第一奈奎斯特带中的正弦波可以产生到接近1.2 GHz(在2.5GHz时钟速率)。初始相位可以重置为零度的正弦波开始。
MAPS-010166是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器,集成CMOS驱动器,采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°,提供从0°到360°的相移,步长为5.6°。该设计经过优化,可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。
MAPS-010165是一款GaAs pHEMT 6位数字移相器,集成CMOS驱动器,采用4 mm PQFN塑料表面贴装封装。步长为5.6°,提供从0°到360°的相移,步长为5.6°。该设计经过优化,可最大限度地减少相移范围内衰减的变化。