L波段S波段射频晶体管放大器AM024MX-QG-R ,这一部分的总栅极宽度为2.4mm。AM024MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装,所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。
S波段P波段晶体管AM012MX-QG-R,这一部分的总栅极宽度为1.2mm。AM012MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装,所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。
L波段S波段射频晶体管AM006MX-QG-R,这一部分的总栅极宽度为0.6mm。AM9006MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率高达6GHz。QG系列是一个塑料封装,所有引脚弯曲的表面安装风格的PC板。封装的底部同时作为直流接地、射频接地和热路。
Ku波段射频晶体管放大器AM005WN-00-R,其总栅极宽度为0.5mm。这是一个裸模,可以运行到18千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为33.4 dBm。它可用于低噪声、高动态范围的接收机和高功率发射机的驱动器。这部分是符合RoHS标准的。
X波段Ku波段射频晶体管AM012WN-00-R,
S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪声放大器芯片CMD290,2-26 GHz(S,C,X,Ku,K波段)GaN低噪声放大器MMIC,。该宽带器件非常适合要求低噪声系数性能和高输入功率生存能力的应用。CMD290提供12.5 dB的增益,相应的噪声系数为2.3 dB,13 GHz时的输出1 dB压缩点为+19 dBm。
低噪声放大器CMD163军事K波段低噪声放大器芯片,是一款高动态范围GaAs MMIC低噪声放大器,非常适用于军事,空间和通信系统,其中小尺寸和高线性度是关键设计要求。该器件针对21 GHz进行了优化,可提供超过24 dB的增益,相应的输出1 dB压缩点为+19 dBm,噪声系数为1.3 dB。
C波段VSAT射频晶体管AM025WN-00-R,其总栅极宽度为2.5mm(两个1.25mm的FET并联)。这是一个裸模,可以运行到15千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为40.5 dBm。
X波段Ku波段射频晶体管AM100WN-00-R,其总栅极宽度为10mm(八个1.25mm的FET并联)。这是一个裸模,可以运行到15千兆赫。它可以提供典型的饱和功率为46.1 dBm。
X波段Ku波段射频晶体管AM050WN-00-R,
X波段射频晶体管C波段射频晶体管AM005WN-BI-R,其总栅极宽度为0.5mm。它在陶瓷封装中运行可达12 GHz。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装,具有弯曲(Bi-G)或直(BI)引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。
X波段射频晶体管AM012WN-BI-R,是一个离散的GaN/SiC HEMT,其总栅极宽度为1.25mm。它是在陶瓷BI封装,运行高达10千兆赫。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装,具有弯曲(Bi-G)或直(BI)引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。
C波段射频晶体管S波段射频晶体管AM025WN-BI-R,是一个离散的GaN/SiC HEMT,其总栅极宽度为2.5mm。它在陶瓷封装中运行可达8 GHz。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装,具有弯曲(Bi-G)或直(BI)引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。
P波段L波段高功率微波应用AM100WN-CU-R,这个部分的总栅极宽度为10毫米。AM100WN-CU-R是专门为高功率微波应用设计的,工作频率可达6GHz。CU系列是专门设计的陶瓷封装,具有直引线和插装式法兰。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这
S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封装GaN功率HEMT DC-6GHz,这个部分的总栅极宽度是5mm。AM050WN-CU-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率可达6GHz。CU系列是专门设计的陶瓷封装,具有直引线和落地式法兰。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。
军用雷达系统Ka波段功率放大器模块AM30040031SF-3H,
雷达X波段功率放大器模块Ku波段功率放大器模块AM08513241SF-3H,它是为通用的应用而设计的。它工作在8.5GHz到13.2GHz之间,通常为频带(9到11GHz)提供14瓦(41.5dBm)的连续波输出功率,为频带(11.5到13GHz)提供8瓦(39dBm)的连续波输出功率,具有25dB的小信号增益。
X波段功率放大器模块AM07511242SF-3H,它是为通用的应用而设计的。它的工作从7.5GHz到112GHz,通常提供14瓦(41.5 dBm)的连续波输出功率和22.5dB小信号增益。放大器模块有6个螺栓槽用于安装到散热器,并使用单+12V至+15V电源操作。
S波段2级功率放大器模块AM343635SF-2H,
S波段功率放大器双向无线电AM324036SF-3H ,它的工作从3.2 GHz到4.2GHz,通常提供超过3.2瓦(35dBm)连续波输出功率和29分贝小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。它可以偏置从12V到20V的单电压供电。
宽带无线接入S波段功率放大器模块AM304031SF-3H,它的工作从2.6GHz到4.6GHz,通常提供超过1.25瓦(31 dBm)连续波输出功率和29分贝小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。
AM273545SF-6H功率放大器模块S波段功率放大器,用于无线互联网接入、无线本地环路和双向无线电。它的工作从2.7GHz到3.5GHz,通常提供超过30瓦(45 dBm)连续波输出功率和50dB小信号增益。该模块内置负电压发生器。它可以偏置从+11V到+12V单电压供电。
S波段宽带高功率放大器模块AM243638SF-4H,它的工作从2.4GHz到3.6GHz,通常提供超过7瓦(38 dBm)连续波输出功率和37分贝小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。
ISM波段T/R模块AM232537SF-2H,它工作从2.3GHz到2.5GHz,在发射侧通常提供5瓦(37dBm)连续波输出功率和22dB小信号增益,在接收侧提供16dB增益,噪声系数为1.5dB。该模块具有内置的负电压电源和保护开关。它可以偏置从+12V到+16V单电压供电。
双向无线电S波段功率放大器模块AM204437SF-3H,它的工作从2GHz到4.4GHz,通常提供超过4瓦(36dBm)连续波输出功率和30dB小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。它可以从12V单电源电压偏置。
无线本地环S波段宽带功率放大器AM183031SF-3H,它的工作从1.8GHz至3.4GHz,通常提供超过1.25瓦(31 dBm)连续波输出功率和31分贝小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。它可以偏置从12V到20V的单电压供电。放大器模块具有用于安装到散热片的6个螺钉槽。
PCS基站L波段功率放大器AM141940SF-2H,它工作在1.4GHz到1.9GHz之间,通常提供超过5.5瓦(37.5dBm)的连续输出功率和25dB的小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。它可以偏置从16V到20V的单电压供电。
20W通信应用S波段宽带功率放大器AM153042SF-4H,它工作在1300MHz到3400MHz之间,通常提供超过20瓦(43dBm)的连续输出功率和36dB的小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。它可以偏置从15V到20V单电源。放大器模块具有用于安装到散热片的8个螺钉孔。
仪器仪表S波段宽带高功率放大器AM153040SF-4H,它工作从1500MHz到3000MHz,通常提供超过10瓦(40dBm)的连续输出功率和40dB的小信号增益。该模块具有内置直流电压调节器和负电压发生器。它可以偏置从15V到20V单电源。放大器模块具有用于安装到散热片的8个螺钉孔。
L波段2级功率放大器AM131535SF-2H,它在1.35到1.52 GHz频带上具有3dB的增益和35dBm的输出功率。