60W双极RF线NPN硅功率晶体管2N6439

2018-11-19 14:43:45

60W双极RF线NPN硅功率晶体管2N6439，225至400MHz，28V 主要设计用于225至400 MHz频率范围的宽带大信号输出放大器级。

GaAs肖特基二极管MGS901——MACOM现货

2018-11-15 13:53:12

GaAs肖特基二极管MGS901—MACOM现货，COM的MGS系列GaAs肖特基二极管专为在60 GHz工作的毫米波元件提供最佳性能。

SW-313-PIN低功耗砷化镓场效应晶体管

2018-11-15 13:50:10

SW-313-PIN低功耗砷化镓场效应晶体管，该器件封装在16引线陶瓷表面安装封装中，在保持低功耗的同时，提供了从直流到3GHz的良好性能和重复性。

AM090WX-CU-R陶瓷封装GaAs功率PHEMT DC-8GHz

2018-11-15 10:51:34

AM090WX-CU-R陶瓷封装GaAs功率PHEMT DC-8GHz，这一部分的总闸门宽度为9mm。AM090WX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率可达8GHz。CU系列是专门设计的陶瓷封装，具有直引线和插装式法兰。

陶瓷封装砷化镓功率PHEMT雷达S波段AM060WX-BI-R

2018-11-15 10:29:59

陶瓷封装砷化镓功率PHEMT雷达S波段AM060WX-BI-R，这一部分的总栅极宽度为6mm。AM060WX-BI-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达10 GHz。

C波段射频晶体管雷达AM030WX-BI-R

2018-11-15 10:26:54

C波段射频晶体管雷达AM030WX-BI-R，其总栅极宽度为3.0mm。它采用陶瓷BI封装，工作频率可达10GHz。BI封装采用特殊设计的陶瓷封装，带有弯曲（BI-G）或直线（BI）引线，采用插入式安装方式。

超宽带射频晶体管驱动放大器AM010WX-BI-R

2018-11-14 17:15:42

AMCOM的AM010WX-BI-R是一个离散的GaAs PHEMT，其总栅极宽度为1.0mm。它是在陶瓷BI封装，运行高达12千兆赫。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲（Bi-G）或直（BI）引线的安装方式。

Anritsu 拧入式接头V102M-R

2018-11-08 14:04:49

Anritsu 拧入式接头V102M-R，Anritsu 提供了微带弹性触片（"滑动触体"）。 该触体能够在发生温度变化、撞击或振动时对连接提供保护。 V110-1 适用于迹线宽度为 0.15 毫米的微带和共平面波导。

V 凹型凸缘启动器V103F-R

2018-11-08 11:31:15

V 凹型凸缘启动器V103F-R，Anritsu 提供了 V110-1 去应力触体（也称为“滑动触体”）， 该触体能够在发生温度变化、撞击或振动时对连接提供保护。 该型号的触体适用于迹线宽度为 0.15 毫米的微带和共平面波导。 当用于共平面波导时，某些工程师会采用插针重叠设计，这样即可将插针直接焊接到迹线上。

Anritsu 阳头法兰盘接头V103M-R

2018-11-08 11:25:20

V103-R 可与 V100 珠子或 V100B 密封式珠子紧密结合。nritsu 提供了 V110-1 微带弹性触片 （也称为"滑动触体"）， 该触体能够在发生温度变化、撞击或振动时对连接提供保护。 该型号的触体适用于迹线宽度为 0.15 毫米的微带和共平面波导。

雷达射频晶体管AM005WX-BI-R

2018-11-07 11:44:16

雷达射频晶体管AM005WX-BI-R，其总栅极宽度为0.5mm。它是在陶瓷BI封装，运行高达12千兆赫。BI系列使用特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲（Bi-G）或直（BI）引线的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这部分是符合RoHS标准的。

C波段VSAT高功率宽带应用AM032MH4-BI-R

2018-11-07 11:36:48

C波段VSAT高功率宽带应用AM032MH4-BI-R，HIFET是部分匹配的专利设备配置，用于高电压、高功率和宽带应用。该器件的总器件外围为128mm。AM032 MH4-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线和凸缘安装方式。

S波段高压砷化镓场效应晶体管AM030MH4-BI-R

2018-11-07 11:32:45

S波段高压砷化镓场效应晶体管AM030MH4-BI-R ，HIFET是部分匹配的专利设备配置的高电压，高功率，高线性度和宽带应用。该器件的总器件外围为12mm。

0319NA宽带变压器North Hills

2018-11-06 11:44:56

North Hills的0319NA宽带变压器，NA系列的宽带变压器覆盖了0.1至300 MHz的频率范围内的各种电路配置。塑料包装设计用于插入印刷电路板。*North Hills应用注释151-“宽带变压器”提供了关于巴伦变压器主题的进一步信息。

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信号变换器 North Hills

2018-11-06 11:12:41

0320BF/0322BF共模注入口BF系列平衡信号变换器，这条变压器在0.1到100MHz的频率范围内提供了高度平衡的横向信号源。在这种情况下，平衡指的是任一腿相对于地面的电压相等。BF系列变压器具有内置共模信号注入电路，为测量平衡或UTP系统对噪声和干扰的易感性提供了理想的手段。

0706LB低插入和返回损耗巴伦变压器 North Hills

2018-11-06 11:01:39

0706LB低插入和返回损耗巴伦变压器，由不平衡绕组和中心抽头平衡绕组组成的平衡环，双向传递功率，两个方向匹配。North Hills巴伦斯精密工程低插入和回波损耗。优越的平衡是通过内在对称的结构来实现的。

NH16447超高频巴伦North Hills

2018-11-06 10:03:36

NH16447超高频巴伦North Hills，50欧姆至100欧姆巴伦提供了测量电路特性至1.2GHz的简单和直接的方法。超高频巴伦匹配任一方向的阻抗，并且为低插入和回波损耗进行了精密设计。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴伦变压器 North Hills

2018-11-06 09:25:41

North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴伦变压器，一般用途1千赫兹- 125兆赫，由不平衡绕组和中心抽头平衡绕组组成的平衡环，双向传递功率，两个方向匹配。北山巴伦斯精密工程低插入和回波损耗。优越的平衡是通过内在对称的结构来实现的。

L波段高压砷化镓场效应晶体管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48

L波段高压砷化镓场效应晶体管AM010MH4-BI-R，HiFET是高压、高功率、高线性和宽带应用的部分匹配专利设备配置。该器件的总器件外围为4mm。AM010MH4-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达3GHz。

S波段高增益高功率砷化镓场效应晶体管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31

S波段高增益高功率砷化镓场效应晶体管AM120MH2-BI-R，HIFET是部分匹配的专利设备配置，用于高电压、高功率和宽带应用。该器件的总器件外围为24mm。AM120 MH22-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线安装方式。

L波段砷化镓场效应晶体管高电压高功率和宽带应用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07

L波段砷化镓场效应晶体管高电压高功率和宽带应用AM010MH2-BI-R，该器件的总器件外围为2mm。AM010MH2-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线安装方式。

X波段低噪声放大器_X波段低噪声放大器芯片_X波段低噪声放大器厂家

2018-11-05 14:31:26

X波段低噪声放大器芯片是噪声系数很低的放大器。一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。

C波段PCS基站航空电子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02

C波段PCS基站航空电子通信AM005MH2-BI-R。HIFET是部分匹配的专利设备配置，用于高电压、高功率和宽带应用。该器件的总器件外围为1mm。AM9005MH2-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6 GHz。它也是更大功率器件的理想驱动器。

S波段射频砷化镓场效应功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42

S波段射频砷化镓场效应功率管AM300MX-CU-R，这一部分的总闸门宽度为30mm。AM300 MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有直立的引线和凸缘的安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。

WLAN中继器S波段高功率微波射频晶体管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20

WLAN中继器S波段高功率微波射频晶体管AM200MX-CU-R，这一部分的总闸门宽度为20mm。AM200 MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列是一种特殊设计的陶瓷封装，具有直线式引线和凸缘安装式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。

C波段VSAT砷化镓场效应功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06

C波段VSAT砷化镓场效应功率管AM150MX-CU-R ，这一部分的总栅极宽度为15mm。AM150 MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列是一种特殊设计的陶瓷封装，具有直线式引线和凸缘安装式。

L波段S波段大功率砷化镓功率场效应晶体管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化镓功率场效应晶体管AM100MX-CU-R，这一部分的总栅极宽度为10mm。AM100MX-CU-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。Cu系列是一种特殊设计的陶瓷封装，具有直线式引线和凸缘安装式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。

P波段高功率微波应用砷化镓MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17

P波段高功率微波应用砷化镓MESFET器件AM072MX-CU-R，这部分有一个全面的研究7.2mm门的宽度。在AM072MX-CU-R是自行设计的用于高功率微波应用，操作到6GHz。研究铜系列的照片，是在一个自行设计的陶瓷包装与直导和Cu / W的盖在一个下拉的安装方式。

L波段S波段高功率微波应用设计射频晶体管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21

L波段S波段高功率微波应用设计射频晶体管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射频晶体管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32

C波段S波段射频晶体管AM036MX-QG-R，这一部分的总栅极宽度为3.6mm。AM036MX-QG-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达6GHz。