S波段高增益高功率砷化镓场效应晶体管AM120MH2-BI-R
发布时间:2018-11-05 15:21:31 浏览:1512
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET双系列的一部分。HIFET是部分匹配的专利设备配置,用于高电压、高功率和宽带应用。该器件的总器件外围为24mm。AM120 MH22-Bi-R是为高功率微波应用而设计的,工作频率高达6GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装,具有弯曲或直线的引线安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这个HiFET是符合RoHS标准的。
品牌 | 型号 | 货期 | 库存 |
AMCOM | AM120MH2-BI-R | 1周 | 80 |
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用于有效散热的陶瓷封装
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