L波段高压砷化镓场效应晶体管AM010MH4-BI-R

发布时间：2018-11-05 15:33:48     浏览：1555

描述

AMCOM的AM010MH4-Bi-R是双系列GaAs HIFET的一部分。HiFET是高压、高功率、高线性和宽带应用的部分匹配专利设备配置。该器件的总器件外围为4mm。AM010MH4-Bi-R是为高功率微波应用而设计的，工作频率高达3GHz。BI系列采用一种特殊设计的陶瓷封装，具有弯曲或直线的引线和凸缘安装方式。封装底部的法兰同时作为直流接地、射频接地和热路。这个HiFET是符合RoHS标准的。

品牌 型号 货期 库存
AMCOM AM010MH4-BI-R 1周 50
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特征
25V漏极偏压
宽带部分匹配：直流-2.4GHz
高达3 GHz的高频操作
高增益：g= 19dB@ 2.0GHz
高功率：P1dB＝31 dBm @ 2.0GHz
高线性度：IP3＝46dBm @ 2.0GHz

用于有效散热的陶瓷封装


应用
宽带应用
高电压20～28伏
无线本地环路网络
个人电脑基站
WLAN、中继器和超局域网
C波段VSAT
航空电子通信

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