HMC347A-Die单刀双掷(SPDT)
发布时间:2025-06-19 16:37:24 浏览:12
HMC347A-Die 是ADI生产制造的一款宽带、非反射式、砷化镓(GaAs)假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)单刀双掷(SPDT)单片微波集成电路(MMIC)芯片。HMC347A-Die采用独特的砷化镓(GaAs)工艺技术。适合用在 0.1 GHz 至 20 GHz 的工作频段,具有较高的隔离度和低插入损耗,尤其适合高频率应用领域。
基本参数
工作频率范围:0.1 GHz 至 20 GHz
插入损耗:0.1 GHz 至 10 GHz:1.6 dB
隔离度:0.1 GHz 至 10 GHz:47 dB
输入线性:输入1 dB压缩点(P1dB):29 dBm(标称值)
功率处理效率:通过线路:27 dBm
控制电压:-5V/0V
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
封装形式:10-Pad裸芯片
封装与安装需求
HMC347A选用裸片(die)形式封装,背部金属化处理,需要使用金锡(AuSn)共晶预制构件或导电性环氧树脂直接贴装到接地层。芯片直径是0.102mm(4密耳),安装时需重点关注以下要点:
基板选择:建议使用0.127mm(5mil)厚氧化铝薄膜基板上的50Ω微带同轴电缆。
共轴处理:在使用0.254mm(10密耳)厚基板时,需将芯片提高0.150mm(6密耳)使其表面与基板共轴。
散热考虑:需通过0.15毫米厚钼散热器连接芯片与接地层。
应用领域
测试设备:用作高频噪声的测试和测量。
微波无线通信和甚小孔径终端(VSAT):在无线电频率中实现切换控制。
军工用无线通信、雷达和电子对抗(ECM):满足军事通信和雷达系统对高频开关的需求。
宽带电信系统:在宽带通信网络中实现信号路由和切换。
光纤产品:在光纤通信中用于切换控制和路由。
空间应用:适合用在航天器等空间设备中的高频率切换控制。
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HMC347A-Die 是 ADI 生产的宽带、非反射式 GaAs pHEMT SPDT MMIC 芯片,采用独特 GaAs 工艺技术,适合 0.1 GHz 至 20 GHz 频段,具有高隔离度、低插入损耗,基本参数包括特定频率范围的插入损耗、隔离度、输入线性、功率处理效率、控制电压和工作温度范围等
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