CMPA5585025F射频放大器CREE

发布时间：2024-06-07 08:41:20     浏览：678

　　CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。相比硅或砷化镓，GaN具有更高的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT提供更高的功率密度和更宽的带宽。该MMIC采用10引线金属/陶瓷法兰封装，具有最佳的电气和热性能。


CMPA5585025F射频放大器CREE

　　特性：

　　25db小信号增益

　　35w典型PSAT

　　工作高达28 V

　　高击穿电压

　　高温操作

　　尺寸1.00 x 0.385英寸

　　该射频放大器适用于点对点无线电、通信以及卫星通信上行等应用。

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T₂=25G）：

Parameter5.8 GHz6.4 GHz7.2 GHz7.9 GHz8.4 GHzUnits
Small Signal Gain29.524.024.024.022.0dB
Output  Power¹1523201919W
Power  Gain¹21.719.517.218.518.6dB
Power Added Efficiency302520.51919.5%

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

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