CREE GaN MMIC 功率放大器

发布时间：2022-02-25 17:22:26 浏览：932

CREE的CMPA0060002是氮化镓(GaN)(HEMT)单片微波集成电路(MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比更具优越的性能指标；包括更好的击穿电压；饱和电子漂移速度更好，传热性更好。与相比Si和GaAs与晶体管相比，CREE GaN MMIC功率放大器还提供更好的功率密度和更宽的带宽。CREE GaN MMIC功率放大器选用分布式（行波）放大器设计方法；可以在极小的空间内保持极宽的带宽。CREE GaN MMIC功率放大器提供带铜钨散热器的裸片和旋入式封装形式。

特征

17dB小信号增益；

3W经典PSAT；

工作电压高达28V；

高击穿电压；

高温工作；

应用领域

超宽带放大器；

光纤驱动器；

测试设备；

EMC放大器驱动器；

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，CREE产品包含：发光二极管芯片，照明发光二极管，背光发光二极管，功率开关器件，无线电频率设备和无线电设备的发光二极管。CREE凭借优势的供应渠道，长期备有库存，以满足中国市场的需求，欢迎咨询。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

产品 SKU	最小频率	最大频率	峰值输出功率	获得	效率	工作电压	形式	包装类型
CMPA0060002F1	直流	6GHz	2 W	18dB	0.25	28 V	封装 MMIC	法兰
CMPA0060002D	直流	6GHz	2 W	17dB	0.3	28 V	MMIC裸片	die
CMPA0060002F	直流	6GHz	2 W	17dB	0.23	28 V	封装 MMIC	法兰
CMPA0060002F-AMP	直流	6GHz	2 W	17dB	不适用	28 V	评估板	法兰
CMPA0060002F1-AMP	直流	6GHz	2 W	18dB	不适用	28 V	评估板	法兰

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: UMS微波GaN功率晶体管