UMS微波GaN功率晶体管

发布时间：2022-03-01 17:02:12 浏览：1240

氮化镓具备优质的耐高温性，因此氮化镓制成的电力电子产品几乎不需要制冷。晶体管主要是由硅制作而成，应用在高压线路中计算和提高电子器件射频信号。

GaN功率晶体管通常是L和S波段雷达系统中线性和压缩功率放大器的有源元件。GaN功率晶体管因为其低能量消耗和高功率密度，在电力电子领域的应用越来越普遍。它可应用在航空电子、商业服务、工业生产、医疗设备和国防军事领域的线路和系统中的各种应用领域。它们都使用宽带隙GaN半导体材料的性能，在小封装中形成了具备高功率密度和高输出功率电平的RF/微波晶体管。

UMS提供基于ASIC或目录产品的全面报价，主要基于公司内部的III-V技术，并提供全面的合同服务，使客户能够直接创建自己的产品解决方案。UMS从DC到100 GHz的所有目录产品都是基于GaAs、GaN、SiGe技术，包括高达200 W的功率放大器、混合信号功能、超低噪音放大器和完整的收发器系统。UMS产品以管芯的形式提供，但通常以多芯片模块的形式封装。

深圳市立维创展科技有限公司是UMS的代理商，专业为无线通信工程、航天基站、国防、汽车、ism等行业提供高可靠性射频微波毫米波器件及集成电路。UMS产品采用QFN和模具包装，交货期短，价格优势独特。我们为一些型号提供高质量的UMS产品库存。欢迎咨询。

详情了解UMS请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/36.html

UMS微波GaN功率晶体管

Reference	Glin (dB) @ Freq (GHz)	Operating Frequency (GHz)	Saturated Power (W)	PAE (%) @ Freq (GHz)	Bias (mA)	Bias (V)	Case
Reference	Glin (dB) @ Freq (GHz)	Operating Frequency (GHz)	Saturated Power (W)	PAE (%) @ Freq (GHz)	Bias (mA)	Bias (V)	Case
CHKA011aSXA	23.5 @ 0.44	Up to 1.5	130	75 @ 0.44	640	50	Ceramic Metal Flange
CHK8013-99F	17 @ 6	Up to 10	14	70 @ 6	180	30	Die
CHK9014-99F	13 @ 12	Up to 13	60	50 @ 12	700	30	Die
CHK8015-99F	17 @ 9	Up to 18	20	68 @ 9	200	30	Die
CHKA012a99F	20 @ 3	Up to 4	140	76 @ 3	0.65	50	Die
CHK015AaQIA	18 @ 3	Up to 4	20	55 @ 3	800	50	QFN Plastic package
CHK8101a99F	14 @ 6	Up to 6	20	60 @ 6	0.1	50	Die
CHK9013-99F	18 @ 6	Up to 8	88	65@6	1100	30	Die

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: PULSAR微波带状线2路功率分配器/组合器