C波段雷达功率放大器CMPA5259050 CREE

发布时间：2022-10-25 16:25:02 浏览：719

Wolfspeed的CMPA5259050专门为完成高效率而设计氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)；高增益；和宽带宽性能；也使得CMPA5259050特别适合5.2–5.9GHz雷达放大器技术应用。CMPA5259050晶体管选用陶瓷/金属法兰封装。

特征

31dB小信号增益值

50W典型PSAT

额定电压高达28V

高击穿场强

高温度操作

技术应用

AESA雷达

国防雷达

火控雷达

海洋舰队；海域;地面保护雷达

气象雷达

CREE（科锐）成立于1987年，CREE科锐具备30多年的宽带GAP原材料和创新产品，CREE科锐是一个完整的设计合作伙伴，符合射频的需求，CREE科锐为行业内技术领先的机器设备提供更强的功率和更低的功能损耗。CREE科锐由最开始的GaN基材LED产品技术领先全世界，到微波射频与毫米波芯片产品，CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。

详情了解CREE射频微波请点击：http://www.leadwaytk.com/brand/35.html

Product SKU	Technology	Frequency Min	Frequency Max	Peak Output Power	Gain	Efficiency	Operating Voltage	Form	Package Type
CMPA5259050S	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	50%	28 V	Packaged MMIC	Surface Mount
CMPA5259050F-AMP	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	Evaluation Board	Flange
CMPA5259050F	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA5259050D	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	MMIC Bare Die	Die
CMPA5259050F-AMP1	GaN on SiC	5.2 GHz	5.9 GHz	50 W	30 dB	54%	28 V	Packaged MMIC	Flange

上一篇: 使用具有独立栅极偏置控制的并行晶体管的GaN HEMT放大器的线性增强

下一篇: CHA3024-FDB模拟放大器VGA UMS