CGH21120F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带能力而设计，这使得CGH21120F非常适合1.8-2.3GHz WCDMA和LTE放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

特征

•1.8-2.3 GHz操作

•15 dB增益

•-35 dBc ACLR，20W路面

•20W铺面时35%的效率

•可采用高度DPD校正