CGH09120F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带能力而设计，这使得CGH09120F成为MC-GSM、WCDMA和LTE放大器应用的理想选择。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

特征

•UHF-2.5 GHz操作

•21 dB增益

•20W路面处-38 dBc ACLR

•20W铺面时35%的效率

•可采用高度DPD校正