XEC24P3-30G是一款低轮廓、高性能30dB定向耦合器，采用易于使用、制造友好的表面安装封装。它是专为IMS波段，射频加热应用在2400兆赫至2500兆赫范围。它可以用于高达300瓦的高功率应用。

零件已经过严格的鉴定测试，它们是使用热膨胀系数（CTE）的材料制造的，这些材料与FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亚胺等常见基材兼容。提供6个ENIG（XEC24P3-30G）符合RoHS要求的饰面。

XEC24P3-30G特征：

2400-2500兆赫

高功率

非常低的损耗

紧密耦合

高指向性

生产友好型

磁带和卷轴

ENIG饰面