JP503AS是一种低姿态，高性能的3dB混合耦合器，易于使用，制造友好的表面安装封装。它是为W-CDMA和其他3G应用而设计的。JP503AS专为平衡放大器、可变移相器和衰减器、低噪声放大器、信号分配而设计，是满足无线工业对更小印刷电路板和高性能要求的理想解决方案。零件已经过严格的鉴定测试，它们是使用热膨胀系数（CTE）的材料制造的，这些材料与FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亚胺等常见基材兼容。生产6个符合RoHS标准的浸锡饰面。

JP503AS特征：

2.0–2.3千兆赫。

3G频率

低损耗

高隔离度

90°正交

表面贴装

磁带和卷轴

无铅

100%测试