EC2612-99F基于0.15µm栅极伪晶型高电子迁移率晶体管（0.15µm pHEMT）技术。

浇口宽度为120µm，0.15微米。T形铝制闸门具有低电阻和出色的可靠性。

该器件显示出非常高的跨导，从而导致非常高的频率和低噪声性能。

它以芯片形式提供，带有通过孔连接的源极，仅需限制栅线和漏极线。