所述CHV1203-FAB是低相位噪声的S波段HBT压控振荡器积分负电阻器，变容二极管和缓冲放大器。在100kHz偏移下，它可提供108dBc / Hz的出色相位噪声。

它设计用于从太空到商业通信系统的广泛应用。

该电路完全集成在InGaP HBT工艺上：2µm的发射极长度，通过衬底和高Q无源元件的通孔。

它采用无铅表面安装密封金属陶瓷6x6mm²封装。它以符合RoHS的SMD封装提供。