CHZ015AaQEG 内部匹配的GAN功率晶体管

CHZ015AaQEG 内部匹配的GAN功率晶体管

重要参数

CHZ015AaQEG 内部匹配的GAN功率晶体管

射频带宽（GHz）： 1.2-1.4

小信号增益（dB）：16

功率（W）：15

相关增益（dB）： > 14

P-1dB输出（dBm）：-

PAE（％）： > 55

订货交期：3-4周

品牌：UMS微波

产品详情介绍

CHZ015AaQEG是输入匹配的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。

它为L波段的各种RF功率应用提供了宽带解决方案。该电路非常适合脉冲雷达应用。

CHZ015AaQEG是在0.5µm栅长的GaN HEMT工艺上提出的。它基于准MMIC技术。

它以符合RoHS的SMD封装提供。