CHZ180AaSEB是输入匹配和输出预匹配的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。它为L波段的各种RF功率应用提供了宽带解决方案。

非常适合脉冲雷达应用。

CHZ180AaSEB是在0.5µm栅长的GaN HEMT工艺上提出的。它基于准MMIC技术。

它采用密封法兰陶瓷金属电源封装，可提供低寄生和低热阻。