CHK9013-99F 氮化镓功率晶体管
CHK9013-99F 氮化镓功率晶体管

重要参数

CHK9013-99F  氮化镓功率晶体管

Glin（dB）@频率（GHz）： 18 @ 6

工作频率（GHz）： 最多8个

饱和功率（W）：  88

PAE（％）@频率（GHz）：  65 @ 6

订货交期：3-4周

品牌：UMS微波

产品详情介绍

CHK9013-99F是85W氮化镓高电子迁移率晶体管。

该产品为雷达和电信等各种RF电源应用提供通用和宽带解决方案。

该电路是在SiC衬底上采用0.25µm栅长的GaN HEMT技术制造的。

它以裸芯片形式提出，并且需要外部匹配电路。