CHK8101a99F是20W氮化镓高电子迁移率晶体管。

该产品为雷达和电信等各种RF电源应用提供通用和宽带解决方案。

它是基于SiC衬底上的0.5µm栅长GaN HEMT技术开发的，并且特别符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令的规定。

它以裸芯片形式提出，并且需要外部匹配电路。