产品详情介绍
CHK8015-99F是一款16W氮化镓高电子迁移率晶体管。该产品为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。
该电路是在SiC衬底上采用0.25µm栅极长度的GaN HEMT技术制造的。
它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配电路。
重要参数
CHK8015-99F 氮化镓功率晶体管
Glin(dB)@频率(GHz): 17 @ 9
工作频率(GHz): 最多18
饱和功率(W): 20
PAE(%)@频率(GHz): 68 @ 9
订货交期:3-4周
产品详情介绍
CHK8015-99F是一款16W氮化镓高电子迁移率晶体管。该产品为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。
该电路是在SiC衬底上采用0.25µm栅极长度的GaN HEMT技术制造的。
它以裸芯片形式提出,并且需要外部匹配电路。